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為什么存儲器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標
- 存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場面寬，使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標。 縱觀DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲器廠退出，表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢達最先退出。奇夢達的退出使市場少了10萬片的月產(chǎn)能。 在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中，存儲器也是走在前列，如
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車載MP3中Flash文件系統(tǒng)的設(shè)計與應(yīng)用
- 引言 目前車載播放器基本上采用的是CD播放器、MD播放器以及磁帶播放器等。由于這類播放器內(nèi)部具有一些機械式傳動部件,再加上裝在汽車這個特定的環(huán)境中,經(jīng)常會由于機械傳動或者光頭、磁頭受震動發(fā)生跳音或絞帶現(xiàn)
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FLASH K9F1G08U0M在MSP430F149嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- FLASH K9F1G08U0M在MSP430F149嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用, NAND Flash是采用NAND結(jié)構(gòu)技術(shù)的非易失存儲器，具有ROM存儲器的特點，存儲在該芯片中的數(shù)據(jù)可在斷電情況下維持10年不丟失，而芯片的引腳與訪問又具有類似于RAM的特點。NAND FLASH 存儲器將數(shù)據(jù)線與地址線復(fù)用為8條線
- 關(guān)鍵字： 系統(tǒng) 應(yīng)用 嵌入式 MSP430F149 K9F1G08U0M FLASH
張汝京下課 中芯大漲
- 為中芯解開多年無法突破的經(jīng)營困境，而與臺積電未來如能合作，將會是個雙贏的局面。張汝京的下臺，為臺積電、中芯國際都找到下一個春天。 11月11日，臺灣有四家報紙的頭版頭條報道了同一則新聞：中芯國際創(chuàng)辦人、執(zhí)行長張汝京宣布辭職;董事會即刻宣布由王寧國接任執(zhí)行董事兼集團總裁、首席執(zhí)行官。全世界最大的晶圓代工廠臺積電入股中芯半導(dǎo)體10%的股份。 中芯將分5年賠償臺積電2億美元，并且無償授予臺積電8%的中芯股權(quán)，且臺積電另可在3年內(nèi)以每股1.3港幣的價格認購2%的中芯股權(quán)。 這件事情所以在臺灣
- 關(guān)鍵字： 中芯國際 晶圓 NOR NAND
NAND成本優(yōu)勢明顯，NOR成明日黃花
- 市場研究機構(gòu)水清木華日前發(fā)布“2009年手機內(nèi)存行業(yè)研究報告”指出，NOR閃存在512Mb是個門檻。高于350Mb，NOR閃存的成本飛速增加。同時，NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一，應(yīng)用廠家很少;而NAND閃存則容量越大，成本優(yōu)勢越明顯，應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛，應(yīng)用廠家也多。手機市場變化迅速，現(xiàn)在每一款手機的生命周期通常都小于5年，NOR最強大的優(yōu)勢“長壽”也不復(fù)存在。盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降，但是專心NOR領(lǐng)域的只有Spansion。而NAND
- 關(guān)鍵字： 手機 NAND NOR
手機內(nèi)存：NAND優(yōu)勢愈加明顯，NOR風(fēng)光不再
- 市場研究機構(gòu)水清木華日前發(fā)布"2009年手機內(nèi)存行業(yè)研究報告"指出,NOR閃存在512Mb是個門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時,NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一,應(yīng)用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢越明顯,應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛,應(yīng)用廠家也多.手機市場變化迅速,現(xiàn)在每一款手機的生命周期通常都小于5年,NOR最強大的優(yōu)勢"長壽"也不復(fù)存在.盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領(lǐng)域的只有Spansion.而NAND領(lǐng)域,三
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND NOR RAM
nor flash介紹
NOR Flash存儲器
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]
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