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          CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

          • 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布:在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創(chuàng)新與產業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學術論壇上,公司與湖南國芯半導體科技有限公司(簡稱“國芯科技”)簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議,將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發(fā),充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢,并推動其在眾多領域實現(xiàn)廣泛應用。近年來,寬禁帶半導體功率器件(如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等)憑借多方面的性能優(yōu)勢,在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而,在各類應用中
          • 關鍵字: IGBT  SiC  GaN  

          Cree積極擴廠開發(fā)功率及射頻元件,GaN on SiC磊晶技術發(fā)展待觀察

          • 全球SiC晶圓市場規(guī)模約為8千多億美元,SiC晶圓與GaN on SiC磊晶技術大廠Cree為求強化自身功率及射頻元件研發(fā)能力,決議2019年5月于美國總部北卡羅萊納州特勒姆市,擴建1座先進自動化8寸SiC晶圓生產工廠與1座材料超級工廠(Mega Factory),期望借此擴建案,提升Cree在SiC晶圓上的生產尺寸與提升晶圓使用市占,并提供GaN on SiC先進磊晶技術進一步應用于功率及射頻元件中。
          • 關鍵字: Cree  射頻  GaN on SiC磊晶技術  

          支持瓦特到千瓦級應用的氮化鎵技術

          • 兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設計,帶集成柵極驅動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術將功率級盡可能提高(和降低)。氮化鎵在任何功率級別都很關鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性,同時減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經驗來看,您必須至少對其中的部分因素進行權衡,但德州儀器正通過所有這些優(yōu)勢實現(xiàn)設計,同時通過在一個封裝中進行復雜集成來節(jié)省系統(tǒng)級成本,并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半,到為并
          • 關鍵字: 德州儀器  600V氮化鎵(GaN)功率器件  

          MACOM和意法半導體攜手合作提高硅基GaN產能,支持5G無線網(wǎng)絡建設

          •   MACOM Technology Solutions Holdings公司(納斯達克股票代碼:MTSI) (以下簡稱“MACOM”)和意法半導體(紐約證券交易所股票代碼:STM))(以下簡稱“ST”)于25日宣布,將在2019年擴大ST工廠150mm 硅基GaN的產能,200mm硅基GaN按需擴產。該擴產計劃旨在支持全球5G電信網(wǎng)建設,基于2018年初 MACOM和ST宣布達成的廣泛的硅基GaN協(xié)議?! ‰S著全球推出5G網(wǎng)絡并轉向大規(guī)模MIMO(M-MIMO)天線配置,射頻RF功率產品需求預計
          • 關鍵字: MACOM  GaN  

          MACOM推出寬帶多級硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 模塊 具備靈活安裝性能,實現(xiàn)領先的設計敏捷性

          •   全球領先的半導體解決方案供應商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 宣布推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊,擴展其硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 產品組合。該寬帶PA模塊經過優(yōu)化改良,適用于陸地移動無線電系統(tǒng)(LMR)、無線公共安全通信以及軍事戰(zhàn)術通信和電子對抗 (ECM) 領域。MAMG-100227-010 PA模塊兼具50Ω 全匹配、 兩級PA架構的高效設計,以及頂端和底端安
          • 關鍵字: MACOM  GaN  

          GaN逐步向RF領域的發(fā)展之路

          • 目前,氮化鎵(GaN)技術已經不再局限于功率應用,其優(yōu)勢也在向射頻/微波行業(yè)應用的各個角落滲透,而且對射頻/微波行業(yè)的影響越來越大,不容小覷。因為它可以實現(xiàn)從太空、軍用雷達到蜂窩通信的應用。雖然GaN通常與功率放大器(PA)相關度很高,但它也有其他用例。自推出以來,GaN的發(fā)展歷程令人矚目,隨著5G時代的到來,它可能會更加引人關注。
          • 關鍵字: GaN  RF  

          射頻前端市場潛力巨大 GaN發(fā)展優(yōu)勢明顯

          • 目前射頻前端元器件基本均由半導體工藝制備,如手機端的功率放大器(PA)和低噪聲放大器(LNA)主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si,射頻(RF)開關主要基于CMOS、Si、GaAs和GaN材料,從目前的材料工藝角度來看,主要針對5G的Sub-6GHz范圍。以PA為例,許多業(yè)內人士認為,GaN技術的運用將能為PA帶來高效低功耗的優(yōu)勢。
          • 關鍵字: 射頻  GaN  

          盤點2018年全球電子產業(yè)最具代表性的十大“黑科技”

          • 今年整個產業(yè)在技術上也是節(jié)節(jié)攀升,2018年可以說是產業(yè)高速發(fā)展的一年,全球電子產業(yè)也產生了眾多技術突破。
          • 關鍵字: 芯片,GaN  

          第三代半導體又有新成員?氧化鎵有什么優(yōu)點?

          •   目前,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高,它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面,會有非常廣闊的發(fā)展前景?! ∪欢琒iC和GaN并不是終點,最近,氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野,憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶,該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優(yōu)勢。因此,近幾年關于氧化鎵的研究又熱了起來?! 嶋H上,氧化鎵并不是很新的技術,多年前就
          • 關鍵字: 半導體  SiC  GaN  

          QORVO?憑借行業(yè)首款28 GHZ GAN前端模塊增強其5G領先優(yōu)勢

          •   移動應用、基礎設施與航空航天應用RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?(納斯達克代碼:QRVO)憑借行業(yè)首款 28 Ghz 氮化鎵 (GaN) 前端模塊 (FEM) --- QPF4001 FEM,擴大了其 5G 業(yè)務范圍。在基站設備制造商涉足 5G 之后,這款新 FEM 可以幫助他們降低總體系統(tǒng)成本?! ?jù) SNS Telecom & IT 介紹,28 GHz 頻段是早期基于 5G 的固定無線接入 (FWA) 部署的首選頻段,使運營商能夠滿足 5G 對速度、延遲、可靠性和容量的
          • 關鍵字: QORVO  GAN  

          德州儀器用2000萬小時給出使用氮化鎵(GaN)的理由

          •     在多倫多一個飄雪的寒冷日子里。  我們幾個人齊聚在本地一所大學位于地下的高級電力電子研究實驗室中,進行一場頭腦風暴。有點諷刺意味的是,話題始終圍繞著熱量,當然不是要生熱取暖,而是如何減少功率轉換器產生的熱量。我們已經將MOSFET和IGBT分別做到了極致,但是我們中沒有人對此感到滿意。在這個探討過程中,我們盤點了一系列在高壓環(huán)境中失敗的設備?! ≡谀莻€雪花漫天飛舞的日子里,我們聚焦于選擇新方法和拓撲,以尋求獲得更高的效率和密度,當然也要找到改進健全性的途徑。一位高級研究員幫助總
          • 關鍵字: 德州儀器  GaN  

          尺寸減半、功率翻番!——氮化鎵(GaN)技術給機器人、可再生能源和電信等領域帶來革新

          •   從“磚頭”手機到笨重的電視機,電源模塊曾經在電子電器產品中占據(jù)相當大的空間,而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減?! 」桦娫醇夹g領域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸,但卻很難更進一步。在現(xiàn)有尺寸規(guī)格下,硅材料無法在所需的頻率下輸出更高的功率。而對于即將推出的5G無線網(wǎng)絡,以及未來的機器人、可再生能源直至數(shù)據(jù)中心技術,功率都是一個至關重要的因素?!  肮こ處煬F(xiàn)在處于一個非常尷尬的境地,一方面他們無法在現(xiàn)有空間內繼續(xù)提高功率,但同時又不希望增大設備所需的空間,”德州儀器產品經理Masoud Behe
          • 關鍵字: GaN,機器人  

          當今的射頻半導體格局正在發(fā)生變化 - 為什么?

          •   當今的半導體行業(yè)正在經歷翻天覆地的變化,這主要是由于終端市場需求變化和重大整合引起。幾十年前,業(yè)內有許多家射頻公司,它們多半活躍于相同的市場,如今這種局面已被全新的市場格局所取代 - 有多個新興市場出現(xiàn),多家硅谷公司與傳統(tǒng)芯片制造商進行重大兼并和收購。究竟有哪些因素推動著市場格局不斷變化?  哪些因素在推動變革?  半導體行業(yè)格局的變化從根本上由兩個要求驅動:對無所不在的傳感和連接的需求。無論人們身處世界的哪個位置,無論在家中還是在工作場所,都希望能夠安全、有效地與他人溝通交流。市場不再僅僅滿足蜂窩手
          • 關鍵字: 射頻半導體  GaN  

          德州儀器新型即用型600V氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)功率級產品組合可支持高達10kW的應用

          •   德州儀器(TI)近日宣布推出支持高達10kW應用的新型即用型600 V氮化鎵(GaN),50mΩ和70mΩ功率級產品組合。與AC/DC電源、機器人、可再生能源、電網(wǎng)基礎設施、電信和個人電子應用中的硅場效應晶體管(FET)相比,LMG341x系列使設計人員能夠創(chuàng)建更小、更高效和更高性能的設計?! 〉轮輧x器的GaN FET器件系列產品通過集成獨特的功能和保護特性,來實現(xiàn)簡化設計,達到更高的系統(tǒng)可靠性和優(yōu)化高壓電源的性能,為傳統(tǒng)級聯(lián)和獨立的GaN FET提供了智能替代解決方案。通過集成的<100ns電
          • 關鍵字: 德州儀器  GaN  

          SiC和GaN系統(tǒng)設計工程師不再迷茫

          •    SiC和GaN MOSFET技術的出現(xiàn),正推動著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。這些新材料把整個電源轉換系統(tǒng)的效率提高了多個百分點,而這在幾年前是不可想象的?! ≡诂F(xiàn)實世界中,沒有理想的開關特性。但基于新材料、擁有超低開關損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn),既能實現(xiàn)低開關損耗,又能處理超高速率dv/dt轉換,并支持超快速開關頻率,使得這些新技術既成就了DC/DC轉換器設計工程師的美夢,但同時也變成了他們的惡夢。  比如一名設計工程師正在開發(fā)功率轉換應用,如逆變器或馬達驅動控制器,或者正在設
          • 關鍵字: SiC  GaN  
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