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CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
- 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布:在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創(chuàng)新與產業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學術論壇上,公司與湖南國芯半導體科技有限公司(簡稱“國芯科技”)簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議,將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發(fā),充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢,并推動其在眾多領域實現(xiàn)廣泛應用。近年來,寬禁帶半導體功率器件(如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等)憑借多方面的性能優(yōu)勢,在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而,在各類應用中
- 關鍵字: IGBT SiC GaN
Cree積極擴廠開發(fā)功率及射頻元件,GaN on SiC磊晶技術發(fā)展待觀察
- 全球SiC晶圓市場規(guī)模約為8千多億美元,SiC晶圓與GaN on SiC磊晶技術大廠Cree為求強化自身功率及射頻元件研發(fā)能力,決議2019年5月于美國總部北卡羅萊納州特勒姆市,擴建1座先進自動化8寸SiC晶圓生產工廠與1座材料超級工廠(Mega Factory),期望借此擴建案,提升Cree在SiC晶圓上的生產尺寸與提升晶圓使用市占,并提供GaN on SiC先進磊晶技術進一步應用于功率及射頻元件中。
- 關鍵字: Cree 射頻 GaN on SiC磊晶技術
支持瓦特到千瓦級應用的氮化鎵技術
- 兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設計,帶集成柵極驅動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術將功率級盡可能提高(和降低)。氮化鎵在任何功率級別都很關鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性,同時減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經驗來看,您必須至少對其中的部分因素進行權衡,但德州儀器正通過所有這些優(yōu)勢實現(xiàn)設計,同時通過在一個封裝中進行復雜集成來節(jié)省系統(tǒng)級成本,并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半,到為并
- 關鍵字: 德州儀器 600V氮化鎵(GaN)功率器件
盤點2018年全球電子產業(yè)最具代表性的十大“黑科技”
- 今年整個產業(yè)在技術上也是節(jié)節(jié)攀升,2018年可以說是產業(yè)高速發(fā)展的一年,全球電子產業(yè)也產生了眾多技術突破。
- 關鍵字: 芯片,GaN
第三代半導體又有新成員?氧化鎵有什么優(yōu)點?
- 目前,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高,它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面,會有非常廣闊的發(fā)展前景?! ∪欢琒iC和GaN并不是終點,最近,氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野,憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶,該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優(yōu)勢。因此,近幾年關于氧化鎵的研究又熱了起來?! 嶋H上,氧化鎵并不是很新的技術,多年前就
- 關鍵字: 半導體 SiC GaN
尺寸減半、功率翻番!——氮化鎵(GaN)技術給機器人、可再生能源和電信等領域帶來革新
- 從“磚頭”手機到笨重的電視機,電源模塊曾經在電子電器產品中占據(jù)相當大的空間,而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減?! 」桦娫醇夹g領域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸,但卻很難更進一步。在現(xiàn)有尺寸規(guī)格下,硅材料無法在所需的頻率下輸出更高的功率。而對于即將推出的5G無線網(wǎng)絡,以及未來的機器人、可再生能源直至數(shù)據(jù)中心技術,功率都是一個至關重要的因素?! 肮こ處煬F(xiàn)在處于一個非常尷尬的境地,一方面他們無法在現(xiàn)有空間內繼續(xù)提高功率,但同時又不希望增大設備所需的空間,”德州儀器產品經理Masoud Behe
- 關鍵字: GaN,機器人
德州儀器新型即用型600V氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)功率級產品組合可支持高達10kW的應用
- 德州儀器(TI)近日宣布推出支持高達10kW應用的新型即用型600 V氮化鎵(GaN),50mΩ和70mΩ功率級產品組合。與AC/DC電源、機器人、可再生能源、電網(wǎng)基礎設施、電信和個人電子應用中的硅場效應晶體管(FET)相比,LMG341x系列使設計人員能夠創(chuàng)建更小、更高效和更高性能的設計?! 〉轮輧x器的GaN FET器件系列產品通過集成獨特的功能和保護特性,來實現(xiàn)簡化設計,達到更高的系統(tǒng)可靠性和優(yōu)化高壓電源的性能,為傳統(tǒng)級聯(lián)和獨立的GaN FET提供了智能替代解決方案。通過集成的<100ns電
- 關鍵字: 德州儀器 GaN
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