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處理器外接SDRAM的控制技術(shù)介紹

處理器外接SDRAM的控制技術(shù)介紹,現(xiàn)代的處理器(SoC)或DSP都內(nèi)建有內(nèi)存控制器，它是外部SDRAM、FLASH、EEPROM、SRAMhellip;hellip;等內(nèi)存的控制接口。但不同處理器內(nèi)部的內(nèi)存控制方式都不盡相同，而且它們的控制程序大部分都位于開機(jī)程序內(nèi)，皆屬于
關(guān)鍵字：介紹技術(shù) 控制 SDRAM 處理器

DDR測試技術(shù)和工具是否跟上了時(shí)代步伐？

　　DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存，如今大多數(shù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲器技術(shù)，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機(jī)的采納，DDR內(nèi)存儼然成為智能手機(jī)轉(zhuǎn)變的方向之一，例如韓國泛泰去年底最新推出的Android智能手機(jī)Vega X就搭載了512MB的DDR2內(nèi)存。　　DDR技術(shù)不斷發(fā)展，并行總線達(dá)到了串行技術(shù)的速度，時(shí)鐘速度達(dá)到1GHz。目前，DDR3現(xiàn)在已經(jīng)具備1.6Gb/s的數(shù)據(jù)速率，而DDR3-1866及更高速率版本正在開發(fā)中，很快就會(huì)出現(xiàn)在市場上。
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基于FPGA與SDRAM的數(shù)字電視信號采集系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)

要FPGA與的數(shù)字信號采集系統(tǒng)?？梢蕴峁┐笕萘康拇鎯臻g。提供優(yōu)秀的系統(tǒng)適應(yīng)能力。該方案通過計(jì)算機(jī)并口實(shí)現(xiàn)與計(jì)算機(jī)的通信 ,但是高性能的邏輯分析儀價(jià)格昂貴,而且存取深度不足限制了對于海量數(shù)字電視信號的分析能力
關(guān)鍵字： SDRAM FPGA 數(shù)字電視信號采集系統(tǒng)

一種基于FPGA的立體視頻轉(zhuǎn)換系統(tǒng)研究設(shè)計(jì)

自由立體顯示器是一種無需佩戴輔助裝置就能觀看三維立體效果的顯示器。由于立體顯示器能夠真實(shí)還原三維...
關(guān)鍵字： FPGA 立體視頻轉(zhuǎn)換 SDRAM DVI

如何實(shí)現(xiàn)FPGA到DDR3 SDRAM存儲器的連接

采用90nm工藝制造的DDR3 SDRAM存儲器架構(gòu)支持總線速率為600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高帶寬，工作電壓低至1.5V，因此功耗小，存儲密度更可高達(dá)2Gbits。該架構(gòu)無疑速度更快，容量更大，單位比特的功耗更低，但問
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基于FPGA的LED大屏幕控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

相比于液晶顯示、投影顯示等其他大屏幕顯示技術(shù)，LED顯示技術(shù)有其獨(dú)特的優(yōu)越性：高亮度、寬可視角度、豐富...
關(guān)鍵字： LED大屏幕 FPGA 反γ校正 SDRAM

基于SDRAM文件結(jié)構(gòu)存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng)

基于SDRAM文件結(jié)構(gòu)存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng),O 引言　　面對不同的應(yīng)用場景，原始采樣數(shù)據(jù)可能包含多種不同樣式的信號，這給傳統(tǒng)基于連續(xù)存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng)帶來了挑戰(zhàn)。除此之外，由于對不同信號的處理往往需要不同的數(shù)據(jù)幀結(jié)構(gòu)，緩存系統(tǒng)的設(shè)計(jì)需要保存原
關(guān)鍵字：方式數(shù)據(jù) 系統(tǒng) 存儲結(jié)構(gòu) SDRAM 文件基于

基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設(shè)計(jì)

基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設(shè)計(jì),　　本白皮書討論各種存儲器接口控制器設(shè)計(jì)所面臨的挑戰(zhàn)和 Xilinx 的解決方案，同時(shí)也說明如何使用 Xilinx軟件工具和經(jīng)過硬件驗(yàn)證的參考設(shè)計(jì)來為您自己的應(yīng)用(從低成本的 DDR SDRAM 應(yīng)用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 這樣
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基于DSP E1—16XS的硬件開發(fā)平臺設(shè)計(jì)

關(guān)鍵字： E1—16XS SDRAM 開發(fā)板

MIPS科技推出針對MIPS-Based設(shè)備的Skype參考方案

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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茂德、鈺創(chuàng)攜手進(jìn)軍SDRAM

　　臺系DRAM廠陸續(xù)啟動(dòng)多角化產(chǎn)品線策略，近期茂德悄悄與鈺創(chuàng)進(jìn)行結(jié)盟，將在中科12寸晶圓廠為鈺創(chuàng)代工高容量256Mb DDR2產(chǎn)品，采用72納米制程，目前已進(jìn)入試產(chǎn)，這是茂德跨入消費(fèi)性電子市場重要里程碑，對鈺創(chuàng)而言，亦在SDRAM產(chǎn)能吃緊情況下獲得及時(shí)雨。　　2008~2009 年DRAM產(chǎn)業(yè)低潮雖然僅淘汰歐系奇夢達(dá)(Qimonda)，但各家DRAM業(yè)者都意識到太過執(zhí)著于標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品，終究是一條不歸路，因此自 2010年開始，陸續(xù)傳出DRAM廠開始布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品領(lǐng)域，包括SDRAM、
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Cyclone II如何實(shí)現(xiàn)的DDR SDRAM接口

Cyclone II如何實(shí)現(xiàn)的DDR SDRAM接口,在不增加電路板復(fù)雜度的情況下要想增強(qiáng)系統(tǒng)性能，改善數(shù)據(jù)位寬是一個(gè)有效的手段。通常來說，可以把系統(tǒng)頻率擴(kuò)大一倍或者把數(shù)據(jù)I/O管腳增加一倍來實(shí)現(xiàn)雙倍的數(shù)據(jù)位寬。這兩種方法都是我們不希望用到的，因?yàn)樗鼈儠?huì)增加
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力晶王其國：DRAM制程難度提升　摩爾定律放緩

　　力晶總經(jīng)理王其國表示，目前12寸晶圓廠不論在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM或是代工業(yè)務(wù)如LCD驅(qū)動(dòng)IC芯片、SDRAM產(chǎn)品上，產(chǎn)能都相當(dāng)吃緊，未來DRAM業(yè)者在轉(zhuǎn)制程和蓋新廠上，會(huì)因?yàn)樨?cái)務(wù)問題而放緩腳步，因此短期內(nèi)不擔(dān)心供過于求的問題，尤其是相當(dāng)看好智能型手機(jī)(Smart Phone)對于DRAM產(chǎn)能的消耗量，算是殺手級的應(yīng)用，對于未來DRAM產(chǎn)業(yè)看法相當(dāng)正面。　　王其國表示，過去摩爾定律認(rèn)為每隔18個(gè)月晶圓產(chǎn)出數(shù)量可多出1倍，但未來隨著DRAM產(chǎn)業(yè)制程技術(shù)難度增加，制程微縮的腳步放緩，可能較難達(dá)成，加上現(xiàn)在轉(zhuǎn)進(jìn)
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基于A3P125和SDRAM實(shí)現(xiàn)多功能、高分辨率顯示方案

采用A3P125和SDRAM該方案采用A3P125和SDRAM的方式實(shí)現(xiàn)，由于A3125資源較為豐富，除了可以實(shí)現(xiàn)高分辨率的顯示以外，還可以實(shí)現(xiàn)多圖層的功能，功能上高于上述的方案。

　　功能特點(diǎn)：
　　1、采用Actel中等容量
關(guān)鍵字：分辨率顯示方案多功能實(shí)現(xiàn) A3P125 SDRAM 基于

三星跳電　存儲器產(chǎn)業(yè)鏈繃緊神經(jīng)

　　三星電子(Samsung Electronics)韓國器興廠24日下午停電約1小時(shí)，雖然三星官方指出影響不大，但業(yè)界對于已極度缺貨的DRAM市場相當(dāng)緊張，甚至傳出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影響，尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存儲器零組件都供貨吃緊，三星跳電事件恐讓存儲器供應(yīng)鏈出現(xiàn)供貨排擠效應(yīng)。　　三星器興廠發(fā)生停電意外，在啟動(dòng)不斷電系統(tǒng) (UPS)后，1小時(shí)內(nèi)便恢復(fù)運(yùn)作，估計(jì)此事件對公司營運(yùn)影響不大。　　存儲器業(yè)者指出，這次三星受影響廠區(qū)
關(guān)鍵字：三星電子 DRAM SDRAM 存儲器