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北大碳基集成電路成果被《2017中國自然指數(shù)》專題報道
- 2017年5月25日,英國《自然》期刊增刊《2017中國自然指數(shù)》(第5545卷,7655期)出版。最新的自然指數(shù)(nature index)表明,在過去15年中,材料科學(尤其是納米材料等)領(lǐng)域已成為各國政策制定者的關(guān)注重點,大力投資材料科學也成為中國整體科技戰(zhàn)略的重要組成部分。近年來,中國始終是在材料科學領(lǐng)域發(fā)表論文最多的國家,其背后是政府的大規(guī)模資金投入和大力引進人才。然而,材料科學家認為,需要將更多的資源投入到基礎(chǔ)研究的轉(zhuǎn)化中;應(yīng)用科學家表示,如果沒有足夠的扶持,中國在材料研究商業(yè)化方面的努力
- 關(guān)鍵字: 集成電路 CMOS
后CMOS時代 Intel稱有12種設(shè)想可降低產(chǎn)品功耗
- 自從14nm節(jié)點開始,Intel在傳統(tǒng)CMOS半導體工藝升級上的步伐就慢下來了,Tick-Tock戰(zhàn)略名存實亡,還被TSMC、三星兩家趕超、奚落,甚至連市值都被TSMC超越了,以致于Intel為了挽回面子都想法推動新的半導體工藝命名規(guī)則了。傳統(tǒng)CMOS工藝很可能在2024年終結(jié),對此Intel也不是沒有準備,最近他們公布了后CMOS時代的一些技術(shù)思路,Intel的目標是在保持現(xiàn)有晶圓工廠的情況下制造功耗更低的產(chǎn)品,電壓可以低至0.5V,這在目前的晶體管下是不可能的。 根據(jù)EE
- 關(guān)鍵字: Intel CMOS
CMOS集成電路電阻的應(yīng)用分析
- 1 CMOS集成電路的性能及特點 1.1 功耗低CMOS集成電路采用場效應(yīng)管,且都是互補結(jié)構(gòu),工作時兩個串聯(lián)的場效應(yīng)管總是處于一個管導通,另一個管截止的狀態(tài),電路靜態(tài)功耗理論上為零。實際上,由于存在漏電流,CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個門電路的功耗典型值僅為20mW,動態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時)也僅為幾mW?! ?.2 工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電簡單,供電電源體積小,基本上不需穩(wěn)壓。國產(chǎn)CC4000系列的集成電路,可在3~18V電壓下正常工作。 1.3
- 關(guān)鍵字: CMOS 集成電路
CMOS影像傳感器供不應(yīng)求 市場價格止跌
- 據(jù)日本經(jīng)濟新聞(Nikkei)網(wǎng)站報導,攝影用的CMOS影像傳感器市場,由于市場需求增大,原本跌價的趨勢已逐漸趨緩,智能手機用品的2016年7~9月報價甚至與10~12月報價維持相同水準,預料2017年初市場需求不減,報價甚至有上漲的可能。 以1,300萬畫素的產(chǎn)品來看,2016年第1季~第2季單價下滑10%,第3季下滑僅約5%,第4季就停在與第3季相當?shù)拿總€2~3美元水準。 造成CMOS影像傳感器價格下滑趨勢減緩的理由,主要在高階智能手機轉(zhuǎn)向采用雙鏡頭設(shè)計,讓高階手機市場的CMOS影像傳
- 關(guān)鍵字: CMOS 像傳感器
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