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美光、SK海力士和西部數(shù)據(jù)都減產(chǎn)存儲芯片，三星：我不減產(chǎn)
- 據(jù)BusinessKorea報道，近日，美光科技、SK海力士和西部數(shù)據(jù)等內(nèi)存芯片制造商宣布，隨著全球需求的下降，他們將減產(chǎn)。相反，三星電子表示，它不會減少其內(nèi)存芯片產(chǎn)量，而是通過提高生產(chǎn)線的效率來應(yīng)對不斷變化的市場環(huán)境。
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SK海力士全球首個量產(chǎn)128層堆疊4D閃存：沖擊176層
- SK海力士宣布，已經(jīng)全球第一家研發(fā)成功并批量生產(chǎn)128層堆疊的4D NAND閃存芯片，此時距離去年量產(chǎn)96層4D閃存只過去了八個月。SK海力士由此實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的閃存垂直堆疊密度，單顆芯片集成超過3600億個閃存單元，每一個可存儲3個比特位，為此SK海力士應(yīng)用了一系列創(chuàng)新技術(shù)，比如超同類垂直蝕刻技術(shù)、高可靠性多層薄膜單元成型技術(shù)、超快低功耗電路技術(shù)，等等。同時，新的128層4D閃存單顆容量1Tb(128MB)，是業(yè)內(nèi)存儲密度最高的TLC閃存，每顆晶圓可生產(chǎn)的比特容量也比96層堆疊增加了40％。雖然包括SK
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DRAM價格暴跌 韓國前景“一片烏云”
- 根據(jù)據(jù)韓媒《韓鮮日報》報導(dǎo)，DRAM的價格接連下跌，零售的計算機用DRAM價格最終也下跌到5萬韓元以下，這樣的走勢比預(yù)期要快許多，預(yù)計今年出口的前景也不樂觀?！ ≡陧n國電子產(chǎn)品價格比較網(wǎng)“Danawa”上，本月6日三星電子DDR48GBPC4-21300DRAM價格是4萬8900韓元，已經(jīng)下跌到5萬韓元以下，與去年4月9萬9270韓元的高點相比下跌了50.7%?！ 2B(企業(yè)間交易)市場價格指標(biāo)也呈暴跌的趨勢，據(jù)市調(diào)公司DRAMeXchange指出，2月底的DDR48Gb的固定交易價格是比起今年1月
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存儲三巨頭流年不利：三星/SK海力士/美光收入將暴跌29％
- 這兩年，DRAM內(nèi)存、NAND閃存市場跌宕起伏，也帶動內(nèi)存條、固態(tài)硬盤持續(xù)動蕩，而作為掌握核心芯片資源的三星電子、SK海力士、美光等巨頭，自然是賺得盆滿缽滿，甚至不惜刻意壓制產(chǎn)能來把控市場?！ 〉菚r過境遷，整個市場風(fēng)云突變，由于季節(jié)性因素、庫存積壓、價格走低等因素影響，三巨頭的日子越來越不好過了。 根據(jù)DigiTimes的調(diào)研數(shù)據(jù)，2018年第四季度，三星電子、SK海力士、美光的內(nèi)存、閃存總收入同比大跌了26%，環(huán)比也減少了18%，其中內(nèi)存17%、閃存20%?！ ∮捎诖鎯π酒瑑r格跌勢不斷，下游渠道
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SK海力士首發(fā)標(biāo)準(zhǔn)DDR5內(nèi)存
- SK海力士官方宣布，公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的下一代DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒，且是首款滿足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的DDR5。 據(jù)介紹，新內(nèi)存采用SK海力士自家的1Ynm工藝制造，電壓是標(biāo)準(zhǔn)的1.1V，相比于DDR4 1.2V可節(jié)省30%的功耗，同時工作頻率高達(dá)5200MHz，相比于DDR4 3200MHz快了足有60%，帶寬也高達(dá)41.6GB/s，可以每秒傳輸11部全高清電影。SK海力士計劃2020年起量產(chǎn)這款新型DDR5內(nèi)存顆粒。 市調(diào)機構(gòu)IDC的數(shù)據(jù)顯示，DDR5內(nèi)存需求將在20
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美對晉華實施禁售令，韓國廠從中獲利？
- 30日起，美國對中國福建晉華實施的緊急禁售令開始生效，間接在半導(dǎo)體市場又掀起新的漣漪。外界開始看好韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，這樣的期盼也即時反映到股市中，30日三星電子和SK海力士皆以強漲作收，市場反應(yīng)似乎透露三星、SK海力士有機會借此大賺貿(mào)易戰(zhàn)爭財? 在貿(mào)易戰(zhàn)的中美矛盾不斷激化的情況下，美國商務(wù)部周一(29日)緊急宣布，為了維護(hù)國家安全，對中國福建晉華集成電路實施緊急禁售令，將福建晉華列入美國產(chǎn)品、軟件和技術(shù)出口的黑名單，這與之前中興通訊受到的懲罰手法相似?！ ∵@一禁令的實施，讓外界開始觀望韓國半導(dǎo)體是否
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SK海力士從惠普和IDT公司購入多項專利，增強自身專利實力
- 據(jù)外媒IAM報道，雖然SK海力士目前在美國面臨著ITC調(diào)查，并在中國大陸遭受著專利侵權(quán)問題困擾，但近幾個月的專利轉(zhuǎn)讓數(shù)據(jù)表明，SK海力士仍與既有合作伙伴成功達(dá)成了數(shù)項新交易?！ 蟮婪Q，SK海力士在其2018年第二季度財報中，兩次補充了專利組合。SK海力士先后收購了惠普(HP)和美國集成設(shè)備技術(shù)公司(IDT)的專利資產(chǎn)?！ 碜悦绹鴮＠?USPTO)的記錄表明，今年4月，HP 有六項專利轉(zhuǎn)讓給 SK 海力士。據(jù)ROL律師事務(wù)所(Richardson Oliver Law Group)2018年第二季
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SK海力士宣布業(yè)內(nèi)首款4D閃存
- 正在美舉辦的Flash Memory Summit首日已經(jīng)結(jié)束，亮點頗多?！ eynote環(huán)節(jié)，倒數(shù)第二個出場(排在我國的長江存儲前)的是SK海力士，它在NAND市場的全球份額排名第五，DRAM份額全球第二?！ ∈紫仁?D NAND的技術(shù)路線選擇，SK海力士稱，CTF(Charge Trap Flash，電荷捕獲型)比Floating Gate(浮柵型)存儲單元面積更小、速度更快、更耐用(P/E次數(shù)多)?！ ∑鋵嵢菑?013年的第一代V-NAND 3D閃存就開始使用CTF了，東芝/西數(shù)(閃迪)的B
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