DRAM顆粒6月現(xiàn)貨價逼近生產(chǎn)成本 跌勢趨緩訊號浮現(xiàn)
DRAM價格第2季大幅走跌,根據(jù)供應鏈透露,6月起DRAM顆?,F(xiàn)貨價格再度走跌,主流交易規(guī)格的8Gb顆粒正式跌破3美元關卡。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201906/401319.htmDRAM價格第2季大幅走跌,上游顆粒價格逼近成本損益的邊緣。
這意味著DRAM顆粒報價已經(jīng)直逼制造原廠的成本邊緣,尤其是規(guī)模較小的DRAM供應商將面臨生產(chǎn)成本損平的保衛(wèi)戰(zhàn),部分規(guī)格也可能低于成本價,盡管獲利侵蝕壓力大增,但業(yè)界也預估,DRAM價格跌幅將可望進入尾聲。
受到第2季五窮六絕的傳統(tǒng)淡季效應以及國際情勢動蕩不安,DRAM價格在第2季持續(xù)大幅走跌,據(jù)指出,各家模塊廠商在5月紛紛取得8Gb DRAM顆粒約3美元的價格,而持續(xù)下探至上游制造原廠的生產(chǎn)成本底線,已成為業(yè)界關注市場價格何時止穩(wěn)的指標,預計6月~7月初將可望落底回穩(wěn)。
業(yè)界認為,依照各家DRAM制造廠商的良率與成本估算,三星電子(Samsung Electronics)最具有成本競爭力,主流8Gb DRAM IC顆粒的制造成本約落在1.5~2美元左右,SK海力士(SK Hynix)緊追在后,但制造成本仍落在2~2.5美元之內。
至于美光則處于伯仲之間,約莫介于2.2~2.4美元的區(qū)間,而其它臺系廠商的規(guī)模較小,成本可能將超過2.5美元以上。
雖然終端庫存去化緩慢及市場需求回溫情況均不如預期,中美貿易戰(zhàn)情勢不明,也讓需求拉貨趨于保守,部分市場人士原先認為,下半年韓系大廠仍可能祭出積極的降價策略。
但隨著6月DRAM顆粒價格下探至2.x美元的水平,業(yè)界認為,以三星為首的存儲器大廠將開始控制跌價速度,特別是DRAM業(yè)務近年來成為三星半導體事業(yè)的獲利金雞母,當8Gb IC顆?,F(xiàn)貨價支撐于2.5美元以上時,最具有成本優(yōu)勢的三星仍有獲利空間,但一旦降至2.5美元以下時,DRAM營運獲利恐將不足以支撐其半導體事業(yè)的獲利表現(xiàn),這也將意味著DRAM跌價走勢將收斂趨緩,
DRAM價格從2018年底反轉下跌,當時在10月8Gb DDR4顆粒的現(xiàn)貨價格仍有接近7美元的行情,但2019年第1季起跌幅擴大,到了6月的8Gb顆粒已跌破3美元大關,各家DRAM廠商將面臨不同程度的營運壓力,對于制程尚未進入10納米級的臺系DRAM廠商,如南亞科、力晶等,受限于產(chǎn)能規(guī)模較小,第2季獲利壓縮情況將更為嚴峻,甚至部分規(guī)格將低于成本。
南亞柯董事長吳嘉昭日前指出,2018年第4季到今年第1季DRAM價格一路走跌,第1季價格下跌超過了20%,而第2季價格還會再下跌,期望第3季的電子產(chǎn)業(yè)旺季將好轉。
南亞科技5月營收為新臺幣42.44億元,創(chuàng)下近4個月以來新高,僅次于1月的42.58億元。在市場價格走跌趨勢下,南亞科4~5月營收回溫,也反應出市場需求逐月增加的表現(xiàn)。
市場預期,第2季DRAM現(xiàn)貨市場跌價幅度將達20~25%,在上游IC顆粒供過于求及跌價快速影響下,大容量8GB DDR4模塊跌幅更為明顯,相較于3月約維持40美元左右,到了6月市價行情也低于30美元,估計8GB DDR4模塊的滲透率將快速攀升,可望提前超越4GB模塊成為市場主流。
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