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          消息稱三星 Exynos 2500 芯片秘密開發(fā)中,自研 GPU 將基于 AMD 技術(shù)

          • IT之家 4 月 10 日消息,三星近日與 AMD 續(xù)簽了授權(quán)協(xié)議,未來將在智能手機(jī)上使用基于 AMD 技術(shù)的移動(dòng) GPU。消息稱,三星正在秘密開發(fā)一款名為 Exynos 2500 的新一代移動(dòng)芯片,這款芯片將搭載三星自主研發(fā)的 GPU,但也會(huì)使用 AMD 的技術(shù)。這是繼 Exynos 2200 之后,三星和 AMD 的又一次合作,Exynos 2200 是首款采用 AMD RDNA2 架構(gòu)的 Xclipse 920 GPU 的芯片,但表現(xiàn)不盡如人意。據(jù)爆料者 Revegnus 透露,
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          三星 Exynos 1380 處理器性能測試:和驍龍 778G 同級(jí),圖形性能更好

          • IT之家 3 月 24 日消息,三星于今年 2 月推出了 Exynos 1380 處理器,而日前發(fā)布的 Galaxy A54 5G 和 Galaxy M54 5G 兩款手機(jī)均搭載了這款處理器。那么 Exynos 1380 的性能如何呢?荷蘭科技媒體 Galaxy Club 進(jìn)行了匯總。IT之家根據(jù)文章報(bào)道繪制表格如下:GeekBench 6.0GeekBench 6.0Galaxy A52 5G(搭載驍龍 750G)Galaxy A52s 5G(搭載驍龍 778G)Galaxy A53 5G(搭
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          通過避免超速和欠速測試來限度地減少良率影響

          • 在用于汽車 SoC 的納米技術(shù)中,硅上的大多數(shù)缺陷都是由于時(shí)序問題造成的。因此,汽車設(shè)計(jì)中的全速覆蓋要求非常嚴(yán)格。為了滿足這些要求,工程師們付出了很多努力來獲得更高的實(shí)速覆蓋率。主要挑戰(zhàn)是以盡可能低的成本以高產(chǎn)量獲得所需質(zhì)量的硅。在本文中,我們討論了與實(shí)時(shí)測試中的過度測試和測試不足相關(guān)的問題,這些問題可能會(huì)導(dǎo)致良率問題。我們將提供一些有助于克服這些問題的建議。在用于汽車 SoC 的納米技術(shù)中,硅上的大多數(shù)缺陷都是由于時(shí)序問題造成的。因此,汽車設(shè)計(jì)中的全速覆蓋要求非常嚴(yán)格。為了滿足這些要求,工程師們付出了很
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          以芯為翼,助推物聯(lián),芯翼信息完成3億元C輪融資

          • 近日,蜂窩物聯(lián)智能終端系統(tǒng)SoC芯片提供商芯翼信息科技(上海)有限公司(以下簡稱“芯翼信息”)完成3億元人民幣C輪融資,由中國互聯(lián)網(wǎng)投資基金領(lǐng)投,上海浦東智能制造產(chǎn)業(yè)基金、鈞山資本、海通創(chuàng)新、漢仟投資等機(jī)構(gòu)跟投,光源資本擔(dān)任獨(dú)家財(cái)務(wù)顧問。本輪融資資金將用于研發(fā)、生產(chǎn)運(yùn)營以及市場渠道建設(shè)。?芯翼信息成立于2017年,致力于為萬物互聯(lián)時(shí)代提供先進(jìn)的蜂窩物聯(lián)網(wǎng)智能終端系統(tǒng)SoC芯片解決方案。芯翼信息深耕蜂窩物聯(lián)芯片領(lǐng)域,現(xiàn)有十余款產(chǎn)品研發(fā)中,包含蜂窩物聯(lián)通訊SoC以及行業(yè)場景SoC,成功打造業(yè)界最全面
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          晶心科技和 IAR攜手助力奕力科技加速開發(fā)其符合ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)的TDDI SoC ILI6600A

          • Andes晶心科技和IAR近日共同宣布,奕力科技(ILITEK)的觸控與顯示驅(qū)動(dòng)器整合(TDDI)芯片— ILI6600A ,采用Andes通過ISO 26262認(rèn)證的V5 RISC-V CPU核心—N25F-SE,以及IAR經(jīng)過認(rèn)證的Embedded Workbench for RISC-V工具鏈,以支持在其最先進(jìn)的芯片中實(shí)現(xiàn)汽車功能安全(FuSa)。ILI6600A由一個(gè)高度集成的非晶/LTPS(低溫多晶硅)/氧化物TFT(薄膜晶體管) LCD(液晶顯示屏) 驅(qū)動(dòng)器,和一個(gè)內(nèi)嵌式觸控控制器構(gòu)成。透過由
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          支持下一代 SoC 和存儲(chǔ)器的工藝創(chuàng)新

          • 本文將解析使 3D NAND、高級(jí) DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級(jí) SoC 和封裝(用于移動(dòng)應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能)的性能,就需要對(duì)架構(gòu)、材料和核心制造流程進(jìn)行復(fù)雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項(xiàng)包括新的計(jì)算架構(gòu)、不同的材料,包括更薄的勢壘層和熱預(yù)算更高的材料,以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠(yuǎn)的方式組合這些。當(dāng)今的頂級(jí)智能手機(jī)使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺(tái),包括一個(gè)或多
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          三星和安霸達(dá)成合作,在 5 納米工藝上為后者量產(chǎn)自動(dòng)駕駛芯片 CV3-AD685

          • IT之家 2 月 21 日消息,三星官方于本周二宣布和美國芯片設(shè)計(jì)公司安霸(Ambarella)達(dá)成合作,在 5 納米工藝上為后者量產(chǎn)芯片,該芯片用于支持汽車的自動(dòng)駕駛功能。三星官方表示,安霸開發(fā)的 CV3-AD685 系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)可以充當(dāng)自動(dòng)駕駛汽車的“大腦”,其性能是前代 CV2 的 20 倍。它讀取和分析來自攝像頭和雷達(dá)的輸入數(shù)據(jù),并自動(dòng)選擇何時(shí)的駕駛模式。三星在官方新聞稿中表示:“這次合作將有助于改變下一代自動(dòng)駕駛汽車安全系統(tǒng),將人工智能處理性能、功率和可靠性提升到新的水平”。I
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          【SoC】聯(lián)發(fā)科天璣7200發(fā)布 臺(tái)積電4nm 跑分不如1080?

          • 今天聯(lián)發(fā)科發(fā)布了天璣家族的新成員——天璣7200,也是天璣7000系列的首顆SoC,來簡單看下規(guī)格如何~規(guī)格上,聯(lián)發(fā)科介紹天璣7200采用臺(tái)積電第二代4nm工藝制程(天璣9200同款工藝?
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          一文詳解SOC、SOH、DOD、SOE

          • 一 前言根據(jù)前一期文章中,某位讀者朋友提出的一些意見,本期想說下本人對(duì)動(dòng)力電池中不同狀態(tài)的理解。動(dòng)力電池荷電狀態(tài),State of Charge簡稱SOC;動(dòng)力電池健康狀態(tài),State of Health簡稱SOH;電池包放電深度,Depth of discharge簡稱DOD;電池剩余能量,Stete of Energy簡稱SOE。二、電池荷電量SOC電池荷電狀態(tài),指的是電池中剩余的電荷的可用狀態(tài),常用以下式子定義,Q額定為電池的額定電荷容量,Q剩余為電池中剩余的電荷余量。如果認(rèn)為Q額定是一個(gè)固定不變的
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          電池,你必須了解的SOC 知識(shí)

          • 眾所周知,電動(dòng)汽車的最核心部分是動(dòng)力電池,動(dòng)力電池的重要性不言而喻。而動(dòng)力電池的SOC顯示則是動(dòng)力電池管理工作的關(guān)鍵內(nèi)容。一、SOC的定義SOC(State ofcharge),即荷電狀態(tài),用來反映電池的剩余容量,其數(shù)值上定義為剩余容量占電池容量的比值,常用百分?jǐn)?shù)表示。其取值范圍為0~1,當(dāng)SOC=0時(shí)表示電池放電完全,當(dāng)SOC=1時(shí)表示電池完全充滿。電池SOC不能直接測量,只能通過電池端電壓、充放電電流及內(nèi)阻等參數(shù)來估算其大小。而這些參數(shù)還會(huì)受到電池老化、環(huán)境溫度變化及汽車行駛狀態(tài)等多種不確定因素的影響
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          全球首顆雙向PD3.1認(rèn)證SOC電源芯片——水芯電子M12269

          • 快充充放電平臺(tái)系列芯片近日,水芯電子旗下芯片M12269正式通過了USB-IF協(xié)會(huì)官方PD3.1合規(guī)性監(jiān)測認(rèn)證,并入選www.usb.org集成商產(chǎn)品列表清單。至此,MERCHIP水芯電子M12269成為業(yè)界第一顆獲得PD3.1雙向認(rèn)證的電源SOC芯片。在USB-IF官網(wǎng),可以查詢該芯片的認(rèn)證TID號(hào)為8833。USB-IF認(rèn)證M12269作為水芯快充充放電平臺(tái)中的一款明星芯片,是面向多串電芯大功率移動(dòng)電源和儲(chǔ)能應(yīng)用的專用SOC,集成了同步升降壓電壓變換器、驅(qū)動(dòng)模塊、電池充放電管理模塊、顯示模塊、電量計(jì)算
          • 關(guān)鍵字: 水芯電子  SOC  

          南芯推出 PD 3.1 快充 SoC SC9712:支持 140W (28V5A) 充電功率

          • IT之家 2 月 14 日消息,南芯科技今日推出全新集成 36V 高效同步降壓控制器的雙端口快充 (1C1A) SoC - SC9712。官方表示,相較于傳統(tǒng)雙口充方案,選用 SC9712 可節(jié)省 3 顆芯片,大大精簡多口快充充電器的電路設(shè)計(jì),易于產(chǎn)品開發(fā),實(shí)現(xiàn)雙 USB 口 (1C1A, Type C + USB A) 快速充電。據(jù)介紹,SC9712 方案能為電腦、平板電腦、手機(jī)等便攜式設(shè)備提供高達(dá) 140W (28V5A) 的充電功率。參數(shù)方面,SC9712 的 Type C 接口為 DFP
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          提供長傳輸距離、大內(nèi)存、高度安全的FG25 sub-GHz SoC現(xiàn)在全面供貨

          • 致力于以安全、智能無線技術(shù),打造更加互聯(lián)世界的領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Labs(亦稱“芯科科技”)近日宣布,其旗艦版FG25 sub-GHz?SoC已實(shí)現(xiàn)全面供貨,該產(chǎn)品可通過Silicon Labs及其分銷商合作伙伴進(jìn)行供應(yīng)。FG25是專為Wi-SUN等低功耗廣域網(wǎng)(LPWAN)和專有sub-GHz協(xié)議打造的旗艦版SoC,它配置有強(qiáng)大的ARM Cortex-M33處理器和更大的內(nèi)存。FG25是用于長距離、低功耗傳輸?shù)睦硐隨oC,當(dāng)它與Silicon Labs EFF01前端模塊配合使用時(shí),能夠
          • 關(guān)鍵字: sub-GHz SoC  Silicon Labs  

          意法半導(dǎo)體推出單片天線匹配IC,配合Bluetooth LE SoC和STM32無線MCU,讓射頻設(shè)計(jì)變得更輕松、快捷

          • 意法半導(dǎo)體單片天線匹配 IC系列新增兩款優(yōu)化的新產(chǎn)品,面向BlueNRG-LPS系統(tǒng)芯片(SoC),以及STM32WB1x 和STM32WB5x*無線MCU。單片天線匹配 IC有助于簡化射頻電路設(shè)計(jì)。針對(duì)BlueNRG-LPS優(yōu)化的 MLPF-NRG-01D3和針對(duì)STM32WB優(yōu)化的MLPF-WB-02D3集成了一個(gè)外部天線實(shí)現(xiàn)最佳射頻輸出功率和接收靈敏度所需的完整濾波和阻抗匹配電路。每款器件的天線側(cè)標(biāo)稱阻抗都是50Ω。片級(jí)封裝面積很小,凸點(diǎn)間距0.4mm,回流焊后的封裝高度630μm。意法半導(dǎo)體的新天
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          Arm中國大裁員:SoC、HPC兩團(tuán)隊(duì)被裁人數(shù)最多

          • Arm是全球知名芯片架構(gòu)企業(yè),也是知名芯片IP核供應(yīng)商。大部分IP核都可以直接向IP廠商采購獲得,再由芯片設(shè)計(jì)企業(yè)在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)出自己的芯片。高通和華為即在Cortex-A系列處理器的基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)出驍龍和麒麟芯片。就是這家知名的企業(yè)在近期迎來一波大裁員,據(jù)媒體報(bào)道,Arm中國從上周開始裁員,主要裁減研發(fā)團(tuán)隊(duì), 其中SoC、HPC兩個(gè)團(tuán)隊(duì)裁撤人數(shù)最多,其余的研發(fā)團(tuán)隊(duì)會(huì)有不同程度的小范圍裁減,賠償比例N+3。當(dāng)前,Arm中國人員1000人左右,研發(fā)人員在700人規(guī)模, 研發(fā)產(chǎn)品覆蓋:SOC
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          soc介紹

          SoC技術(shù)的發(fā)展   集成電路的發(fā)展已有40 年的歷史,它一直遵循摩爾所指示的規(guī)律推進(jìn),現(xiàn)已進(jìn)入深亞微米階段。由于信息市場的需求和微電子自身的發(fā)展,引發(fā)了以微細(xì)加工(集成電路特征尺寸不斷縮?。橹饕卣鞯亩喾N工藝集成技術(shù)和面向應(yīng)用的系統(tǒng)級(jí)芯片的發(fā)展。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入超深亞微米乃至納米加工時(shí)代,在單一集成電路芯片上就可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)復(fù)雜的電子系統(tǒng),諸如手機(jī)芯片、數(shù)字電視芯片、DVD 芯片等。在未 [ 查看詳細(xì) ]

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