即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調整容量時，任務關鍵的伺服器和通信設備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板，從而避免了出現連接火花、背板供電干擾和電路板卡復位等問題。控制器 IC 驅動與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關 (圖 1)。電路板插入后，MOSFE
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安全工作區(qū) MOSFET LTC4233 熱插拔 熱插拔控制器
在本《電源設計小貼士》中，我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法進行研究。在《電源設計小貼士28》中，我們討論了如何設計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據系統(tǒng)組件的物理屬性，計算得到熱阻和熱容。遍及整個網絡的各種電壓代表各個溫度。
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熱插拔 MOSFET 網絡
意法半導體推出了采用先進的PowerFLATTM 5x6雙面散熱(DSC)封裝的MOSFET晶體管，新產品可提高汽車系統(tǒng)電控單元(ECU)的功率密度，已被為全球所有的汽車廠商提供先進技術的汽車零配件大廠電裝株式會社選用?！ TLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶體管，可用于汽車電機控制、電池極性接反保護和高性能功率開關。厚度0.8mm的PowerFLATTM 5x6 DSC封裝保留了標準封裝的尺寸和高散熱效率的底部設計，同時將頂部的源極曝露在
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意法半導體 MOSFET
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)壯大現有的CoolMOS?技術產品陣容，推出600 V CoolMOS? P7和600 V CoolMOS? C7 Gold (G7)系列。這兩個產品系列的擊穿電壓高達600 V，具備更出色的超結MOSFET性能。它們可在目標應用中實現非常出色的功率密度?！ ?00 V CoolMOS&
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英飛凌 MOSFET
東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出新系列小型封裝高壓智能功率器件(IPD)，這些產品用于空調、空氣凈化器和空氣泵等各類風扇電機。該新系列包括600V/2.5A “TPD4204F"和500V/2.5A “TPD4206F2"兩款產品，產品出貨即日啟動?！ ±脰|芝最新的MOSFET技術，新系列IPD在新開發(fā)的小型表面貼裝“SOP30”封裝中實現高壓和低功率損耗，該封裝尺寸僅為20.0mm x 14.2mm。其封裝空間僅約為東
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東芝 MOSFET
東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V/650V超結N溝道功率MOSFET，該產品適用于工業(yè)和辦公設備。該新“DTMOS V系列”最初將提供12款產品。樣品發(fā)貨即日啟動，批量生產發(fā)貨計劃于3月中旬啟動?！ ≡撔孪盗袚碛信c東芝當前的“DTMOS IV系列”相同水平的低導通電阻、高速開關性能，同時，其優(yōu)化的設計流程使EMI性能提升約3至5dB[1]。而且，降低的單位面積導通電阻(RON x A)性能使新的650v 0.
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東芝 MOSFET
意法半導體最新的900V MDmesh? K5超結MOSFET管讓電源設計人員能夠滿足更高功率和更高能效的系統(tǒng)需求，具有同級最好的導通電阻(RDS(ON))和動態(tài)特性?！ ?00V擊穿電壓確保高總線電壓系統(tǒng)具有更高的安全系數。新系列產品含有首個RDS(ON)導通電阻低于100m?的900V MOSFET管，是RDS(ON) 電阻最低的DPAK產品。業(yè)內最低的柵電荷(Qg)確保開關速度更快，在需要寬輸入電壓的應用領域，實現更大的配置靈活性。這些特性確保標準準諧振電
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意法半導體 MOSFET
高性能轉換器設計中的同步整流對于低電壓、高電流應用（比如服務器和電信電源）至關重要，這是因為過將肖特 基二極管整流替換為同步整流 MOSFET 能夠顯著提高效率和 功率密度。同步整流 MOSFET 的很多關鍵參數甚至器件和印 制電路板的寄生元件都會直接影響同步整流的系統(tǒng)效率。同步整流 MOSFET 的主要要求為：同步整流中的功率損耗(1)導通損耗 二極管整流器的導通損耗占了電源總功耗的很大一部圖1 ?75 V MOSFET 和 600 V MOSFET 中 RDS(ON)的相對比例 ?
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功率 MOSFET
功率因數校正 (PFC) 是輸入功率不低于75 W的AC-DC轉換器的一項強制要求。在某些消費應用（如LED照明） 中，要求在低至5 W的功率下進行某些形式的PFC。在低功 率下，可使用為控制線路頻率而設計的無源元件實現校正目 的。但在高功率下，無源解決方案會變得相當“笨重”而昂 貴；使用高開關頻率有源器件可減小所需無源元件的尺寸。 有源PFC的標準實現方式是輸入整流器后跟升壓轉換 器。盡管新式拓撲正逐漸獲得接受，但升壓PFC仍然是主要解決方案，本文將對其進行進一步
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功率 電路 MOSFET
東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布面向高效電源推出具備改進的低導通電阻、高速開關的800V超級結N溝道功率MOSFET。“DTMOS?IV系列”的八款新MOSFET利用超結結構，與東芝之前的“π-MOSVIII系列”相比，其可將其單位面積導通電阻(RON?x?A)降低近79%。?該系列產品改進的高速開關還有助于提高使用該系列產品的芯片組的電源效率。這些MOSFET適用于工業(yè)電源，服務器、筆記本電腦適配器和充電器以及移動設備的備用電源以及LED照明燈
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東芝 MOSFET
東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布面向快速充電器推出支持4.5V邏輯電平驅動的100V?N溝道功率MOSFET，以此擴大其低電壓N溝道功率MOSFET的產品陣容?！癠-MOS?VIII-H系列”的兩款新MOSFET分別是“TPH4R10ANL”和“TPH6R30ANL”，產品出貨即日啟動?！ ‰S著快速充電器的普及和發(fā)展，市場需要更高性能的用于次級側整流器的功率MOSFET。這些新的MOSFET利用東芝低電壓溝槽結構工藝，實現了業(yè)界領先的[1]低導通電阻和高速性能。該結
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東芝 MOSFET
摘要–當一個功率MOSFET管被用在電橋拓撲或用作電源二次側同步整流管時，體漏二極管的特性以及品質因數將變得非常重要。當需要Qrr 數值很低的軟反向恢復時，集成肖特基二極管的新60V ST “F7”功率MOSFET管確保能效和換向性能更加出色?！ .前言 在同步整流和電橋結構中，RDSon 和 Qg 兩個參數并不是對功率MOSFET管的唯一要求，實際上，本征體漏二極管的動態(tài)特性對MOSFET整體性能影響很大。體漏二極管的正向壓降(VF,d
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MOSFET MOSFET
日本三菱化學及富士電機、豐田中央研究所、京都大學、產業(yè)技術綜合研究所的聯(lián)合團隊成功解決了在氮化鎵(GaN)芯片上形成GaN元件功率半導體關鍵技術。GaN功率半導體是碳化硅功率半導體的下一代技術。日本通過發(fā)光二極管的開發(fā)積累了GaN元件技術，GaN芯片生產量占據世界最高份額。若做到現有技術的實用化，將處于世界優(yōu)勢地位。
功率半導體有利于家電、汽車、電車等的節(jié)能，產業(yè)需求很大。GaN功率半導體中，硅基板上形成橫型GaN系的高電子遷移率晶體管等設備已經量產，但是，GaN基板上形成GaN的金屬-氧化物半
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GaN MOSFET
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