為計算應用中的功率因數(shù)校正電路選擇MOSFET(上)
功率因數(shù)校正 (PFC) 是輸入功率不低于75 W的AC-DC轉(zhuǎn)換器的一項強制要求。在某些消費應用(如LED照明) 中,要求在低至5 W的功率下進行某些形式的PFC。在低功 率下,可使用為控制線路頻率而設(shè)計的無源元件實現(xiàn)校正目 的。但在高功率下,無源解決方案
會變得相當“笨重”而昂 貴;使用高開關(guān)頻率有源器件可減小所需無源元件的尺寸。 有源PFC的標準實現(xiàn)方式是輸入整流器后跟升壓轉(zhuǎn)換 器。盡管新式拓撲正逐漸獲得接受,但升壓PFC仍然是主要解決方案,本文將對其進行進一步研究。
表1 80 Plus效率和PFC認證標準。
在服務器和計算機電源中,PFC只是眾多要求的一個方面。另外還存在通稱為80 Plus的其他要求,其中包括從 Standard 80 Plus直至Titanium 80 Plus的不同系統(tǒng)效率等級,如 表1所示。從系統(tǒng)效率方面的這些嚴格規(guī)范可以看出,為應 用選擇最佳器件甚至對
經(jīng)驗豐富的設(shè)計工程師也顯然是個挑 戰(zhàn)。最終標準當然是系統(tǒng)的實際性能。但由于目前市場上 具有多種不同電壓和封裝的MOSFET可供選擇,所以通過實 驗來評估所有器件是不切實際的,因為具有代表性的樣本 可能過于龐大。有些設(shè)計工程師簡單地從既 定可選產(chǎn)品中選擇RDSON最低的器件,但 這總是導致昂貴和非最理想的解決方案。其 他許多設(shè)計工程師則依賴所謂的品質(zhì)因數(shù)(FOM)。
傳統(tǒng)的FOM一直是RDSON x QG之積,這 保證了導通損耗與開關(guān)損耗之間的平衡。有 人通過使用其他參數(shù)(如MOSFET的QGD或 QOSS而非QG)或在等式中添加其他項提出了 FOM的若干變體。遺憾的是,常規(guī)FOM的提出都不是為 了預測設(shè)計工程師所看重的實際性能。等式 中沒有代表工作條件的項,如開關(guān)頻率、柵 極驅(qū)動,乃至輸出電流或功率。而且,任何開關(guān)器件的總損耗都是導通損耗和開關(guān)損
(a)
(b)
圖1 基礎(chǔ)PFC升壓電路 (a) 及其臨界和連續(xù)模式 (b) 的簡化 PFC 波形
的器件參數(shù)化數(shù)據(jù)、電路參數(shù)知識和復雜的數(shù)學方程式。但我們在這里的目的不是進行高精度的損耗計算,而是使這種 計算方法易于為大多數(shù)設(shè)計工程師使用,使他們能夠通過比 較少量的器件參數(shù)來選擇最佳器件。升壓FPC的基礎(chǔ)電路及其標準波形如圖1所示。這里, 我們在工作模式上選擇連續(xù)電流模式 (CCM)。分析涵蓋的 功率范圍為100 W(筆記本電腦交流-直流電源適配器的典型 值)至500 W(臺式機“銀盒”電源的典型值)。對于任何應用中的功率MOSFET,其各項損耗如下所列:
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