EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
v-nand閃存
v-nand閃存 文章 進(jìn)入v-nand閃存技術(shù)社區(qū)
市場(chǎng)調(diào)研公司開(kāi)始對(duì)于2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)作第一次修正
- 全球1月半導(dǎo)體的銷(xiāo)售額數(shù)據(jù)出籠，讓分析師們的眼睛一亮，紛紛提高2010年的預(yù)測(cè)。為什么如此迫不及待，值得思考。 按SIA總裁的看法,全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額1月的最新數(shù)據(jù)(三個(gè)月的移動(dòng)平均值) 比12月的225億美元上升0,3%,分析推動(dòng)市場(chǎng)增長(zhǎng)在眾多方面, 包括計(jì)算機(jī), 手機(jī), 汽車(chē)電子和工業(yè)應(yīng)用。如果與去年同期相比, 銷(xiāo)售額增長(zhǎng)達(dá)47%,顯然與09年1月時(shí)正值全球的最低點(diǎn)有關(guān)。 SIA總裁Scalise認(rèn)為,傳統(tǒng)上因?yàn)榧竟?jié)的原因, 通常1月會(huì)比12月有所下降, 所以
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 汽車(chē)電子 DRAM NAND閃存
三星/海力士NAND閃存芯片邁向20nm級(jí)工藝
- 繼Intel、美光上個(gè)月宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存芯片后，韓國(guó)兩大存儲(chǔ)廠三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工藝NAND閃存投產(chǎn)計(jì)劃。 海力士將采用26nm工藝生產(chǎn)容量為64Gb的NAND閃存芯片，這和Intel、美光首批投產(chǎn)的25nm芯片容量一致。而三星則計(jì)劃在今年第二季度投產(chǎn)27nm NAND閃存。 海力士表示，和30nm工藝相比，新工藝的閃存芯片的產(chǎn)能將翻一番，成本也將大幅度降低。根據(jù)韓國(guó)當(dāng)?shù)孛襟w的報(bào)道，海力士將在今年第三季度開(kāi)始量產(chǎn) 26nm閃存芯片。在這一點(diǎn)上三星已經(jīng)占
- 關(guān)鍵字： 三星 20nm NAND閃存 海力士
智能手機(jī)將使用更高性能的Managed型NAND閃存
- 盡管智能手機(jī)在其它許多方面目前比普通手機(jī)更為先進(jìn)，但目前智能手機(jī)中所配用的閃存與普通手機(jī)里的并沒(méi)有太大的區(qū)別，仍然使用的是普通規(guī)格的閃存，這種閃 存在讀寫(xiě)性能方面較為一般化。不過(guò)這種情況在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)有望改觀，閃存芯片廠商會(huì)為手機(jī)制造性能更好，可媲美PC用閃存性能的閃存芯片。 鎂光公司副總裁Brian Shirley稱：“目前大多數(shù)播放器使用的都是普通的RAW型NAND閃存，不過(guò)我們未來(lái)會(huì)向手機(jī)推出更高級(jí)的Managed型NAND閃存。”這種Mana
- 關(guān)鍵字： 智能手機(jī) NAND閃存 SSD硬盤(pán) iPhone
TDK推出兼容U.DMA 6的工業(yè)用CompactFlash存儲(chǔ)卡和高可靠性RA8系列固態(tài)硬盤(pán)
- TDK公司2008年11月17日宣布，將于2008年12月開(kāi)始銷(xiāo)售兼容U.DMA 6的CFG8A系列工業(yè) 用CompactFlash（CF）存儲(chǔ)卡和兼容并行ATA（PATA）模式的SDG8A系列固態(tài)硬盤(pán) （SSD），最大容量高達(dá)16 Gbyte。 這些產(chǎn)品將TDK獨(dú)創(chuàng)的NAND閃存控制器（兼容GBDriver RA8 U.DMA 6）與高速、高頻寫(xiě) 入單層單元（SLC）NAND閃存相結(jié)合，從而打造出業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的NAND閃存卡，在高速性 能、耐用性及高可靠性方面邁上了新臺(tái)階。 此外，
- 關(guān)鍵字： TDK NAND閃存 控制器
福布斯：Sun的閃存夢(mèng)想
- 《福布斯》日前刊文指出，昔日的服務(wù)器巨頭Sun微系統(tǒng)公司正將其新的希望寄托在基于閃存技術(shù)的創(chuàng)新產(chǎn)品之上，希望借此恢復(fù)昔日的輝煌。 11月3日，Sun推出了一系列基于NAND閃存的數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)產(chǎn)品。眾所周知，閃存廣泛應(yīng)用于諸如iPods、筆記本、MP3、MP4產(chǎn)品之中，因?yàn)殚W存不僅可以提供更快的存儲(chǔ)速度，而且更省電。為此Sun號(hào)稱其全新的存儲(chǔ)系統(tǒng)Amber Road不僅更輕薄易于使用，而且其速度和效率是同等產(chǎn)品的4倍。 不像傳統(tǒng)的硬盤(pán)，固件方式的閃存沒(méi)有旋轉(zhuǎn)的部件，因此不需要花費(fèi)
- 關(guān)鍵字： NAND閃存 Sun 硬盤(pán) 存儲(chǔ)系統(tǒng)
美光科技關(guān)廠、裁員、降薪
- 北京時(shí)間10月10日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，半導(dǎo)體儲(chǔ)存及影像產(chǎn)品制造商美光科技（Micron Tech）表示，公司將會(huì)關(guān)閉位于美國(guó)愛(ài)達(dá)荷州首府博伊西（Boise）的NAND閃存芯片工廠，另外，作為電腦存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)重組的一部分公司將在兩年內(nèi)裁員15%。 美光科技目前的員工總數(shù)約為2.26萬(wàn)人，此次裁員涉及總?cè)藬?shù)為2850人，其中1500人來(lái)自博伊西。 本周四，美光科技表示，消費(fèi)者需求下降和產(chǎn)品過(guò)渡供應(yīng)導(dǎo)致閃存芯片的售價(jià)低于成本，因此公司決定關(guān)閉位于博伊西的NAND閃存工廠，并于未來(lái)
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 美光科技 NAND閃存 閃存芯片
金融風(fēng)暴蛻變之痛 芯片制造業(yè)重新洗牌
- 10月10日 據(jù)知情人透露，五樁價(jià)值數(shù)十億美元的重大交易目前已經(jīng)擺上臺(tái)面，牽涉到日本、臺(tái)灣和韓國(guó)的芯片制造業(yè)巨頭。日本電子業(yè)巨頭東芝正在進(jìn)行談判，意欲收購(gòu)美國(guó)的內(nèi)存芯片制造商Spansion。內(nèi)存芯片是手機(jī)、筆記本電腦、攝像機(jī)、MP3播放器等高科技產(chǎn)品的重要支柱。不過(guò)，由于全球金融危機(jī)壓抑了消費(fèi)者的購(gòu)物熱情，對(duì)高科技產(chǎn)品的需求直線降低，導(dǎo)致內(nèi)存芯片的需求跟著下跌，致使芯片售價(jià)低于制造成本。 法國(guó)巴黎銀行分析師彼得-于(Peter Yu)說(shuō)：“這堪比一場(chǎng)完美風(fēng)暴。這個(gè)產(chǎn)業(yè)正步入產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 東芝 美光科技 內(nèi)存芯片 NAND閃存
SSD存儲(chǔ)技術(shù)將終結(jié)HDD
- HDD(混合硬盤(pán)存儲(chǔ))、磁盤(pán)存儲(chǔ)技術(shù)將會(huì)讓位于更簡(jiǎn)便的、更有效的SSD(固態(tài)存儲(chǔ))。有什么證明嗎？希捷、西部數(shù)據(jù)、三星、東芝。英特爾、富士通、AMD、Micron、SandDisk以及LSI邏輯等企業(yè)正在開(kāi)發(fā)閃存技術(shù)作為下一代處理器，并已形成規(guī)模。有一些企業(yè)諸如Spansion 和Virident Systems正在開(kāi)發(fā)先進(jìn)的SSD技術(shù)。閃存技術(shù)是可移動(dòng)USB存儲(chǔ)設(shè)備的蘋(píng)果iPod以及iPhone的核心。戴爾和Sun等多年前就在開(kāi)發(fā)SSD技術(shù)。以下分析可以說(shuō)明為何SSD是HHD的殺手。 高可靠性
- 關(guān)鍵字： NAND閃存 SSD Spansion 存儲(chǔ) USB
Seagate欲收購(gòu)SanDisk 分析師表示不看好
- 據(jù)EETimes報(bào)道，近來(lái)在閃存產(chǎn)業(yè)界盛傳希捷(Seagate)將全部或部份收購(gòu)SanDisk；不過(guò)對(duì)于這樁可能的婚事，分析師卻不看好。 有人推測(cè)Seagate僅對(duì)SanDisk的固態(tài)硬盤(pán)(SSD)業(yè)務(wù)感興趣；更早的時(shí)候還有謠傳指出Seagate將收購(gòu)Simple Tech (一家SSD和其它產(chǎn)品供貨商)。不過(guò)Seagate不愿對(duì)這些謠言發(fā)表評(píng)論，SanDisk也不做任何響應(yīng)。 雖然身為一家硬盤(pán)機(jī)供貨商，Seagate對(duì)閃存技術(shù)非常感興趣，且認(rèn)為SSD將對(duì)其傳統(tǒng)業(yè)務(wù)構(gòu)成潛在威脅。為了維護(hù)市
- 關(guān)鍵字： SanDisk NAND閃存 Seagate 希捷 收購(gòu)
東芝提高手機(jī)存儲(chǔ)卡產(chǎn)能60%
- 日本最大的芯片制造商?hào)|芝公司計(jì)劃將手機(jī)用小型存儲(chǔ)卡產(chǎn)能提升60%。昨天，外電引述業(yè)內(nèi)人士的分析稱，隨著日本國(guó)內(nèi)越來(lái)越多的人希望能在手機(jī)上觀看和錄制電視節(jié)目，市場(chǎng)對(duì)手機(jī)內(nèi)存的需求變得異常旺盛。公司打算逐月增產(chǎn)東芝Micro SD閃存卡，盡量趕在2009年春季實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)2000萬(wàn)件的目標(biāo)。 近日，東芝隆重推出了用于移動(dòng)數(shù)碼消費(fèi)設(shè)備的最大容量嵌入式NAND閃存，預(yù)計(jì)今年第四季度開(kāi)始量產(chǎn)。
- 關(guān)鍵字： 東芝 手機(jī) 存儲(chǔ)卡 NAND閃存
手機(jī)拆機(jī)分析揭示移動(dòng)存儲(chǔ)的未來(lái)
- NAND和mDRAM激增，NOR-less機(jī)型增多 手機(jī)內(nèi)存內(nèi)容是否正在發(fā)生根本性變化？ 在相對(duì)較短的時(shí)間內(nèi)，隨著手機(jī)從商用工具發(fā)展成隨處可見(jiàn)的大眾通信工具，手機(jī)所使用的內(nèi)存一直基于NOR閃存與SRAM的組合，最近是NOR閃存與pSRAM的組合。但是，這種內(nèi)存配置正在面臨使用移動(dòng)DRAM(mDRAM)和/或NAND閃存組合的方案的挑戰(zhàn)。 這種轉(zhuǎn)變的背后，是因?yàn)槭袌?chǎng)需要大容量、低成本數(shù)據(jù)存儲(chǔ)用于保存語(yǔ)音/音樂(lè)、照片和視頻，NAND最適于滿足這種需求。這些功能也需要手機(jī)RAM
- 關(guān)鍵字： 手機(jī) NOR閃存 pSRAM DRAM NAND閃存 iSuppli
存儲(chǔ)卡和優(yōu)盤(pán)市場(chǎng)仍有巨大潛力
- 6月5日消息，盡管業(yè)內(nèi)廠商認(rèn)為存儲(chǔ)卡和優(yōu)盤(pán)市場(chǎng)飽和了，金士頓公司總裁John Tu最近表示，這個(gè)市場(chǎng)仍存在巨大的商業(yè)潛力。 Tu說(shuō)，存儲(chǔ)卡和優(yōu)盤(pán)每個(gè)月的平均出貨量達(dá)2000萬(wàn)個(gè)。巨大的出貨量表明這個(gè)市場(chǎng)仍在增長(zhǎng)。他認(rèn)為，存儲(chǔ)卡和優(yōu)盤(pán)將作為消費(fèi)者與不同種類的內(nèi)容打交道的一個(gè)“平臺(tái)”。 雖然許多人認(rèn)為存儲(chǔ)設(shè)備廠商應(yīng)該向數(shù)字內(nèi)容提供商付費(fèi)以便為其產(chǎn)品產(chǎn)品增加內(nèi)容，但是，Tu說(shuō)應(yīng)該是內(nèi)容提供商向金士頓付費(fèi)，以便通過(guò)金士頓成功的銷(xiāo)售網(wǎng)絡(luò)、品牌和市場(chǎng)份額來(lái)分
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)卡 優(yōu)盤(pán) 金士頓 NAND閃存
產(chǎn)綜研聯(lián)合東京大學(xué)研制出采用強(qiáng)電介質(zhì)NAND閃存單元
- 日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（產(chǎn)綜研）與東京大學(xué)，聯(lián)合研制出了采用強(qiáng)電介質(zhì)柵極電場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Ferroelectric gate field-effect transistor：FeFET）的NAND閃存存儲(chǔ)單元?？刹翆?xiě)1億次以上，寫(xiě)入電壓為6V以下。而此前的NAND閃存存儲(chǔ)單元只能擦寫(xiě)1萬(wàn)次，且寫(xiě)入電壓為20V。以往的NAND閃存只能微細(xì)化到30nm左右，而此次的存儲(chǔ)單元技術(shù)還可以支持將來(lái)的20nm和10nm工藝技術(shù)。 此次，通過(guò)調(diào)整p型Si底板溝道中所注入雜質(zhì)的條件，使NAND
- 關(guān)鍵字： FeFET NAND閃存 東京大學(xué) 產(chǎn)綜研
芯片設(shè)備業(yè)有望迎來(lái)新一輪增長(zhǎng)周期
- 《商業(yè)周刊》文章指出，經(jīng)過(guò)一年時(shí)間的磨難和快速衰退，半導(dǎo)體廠商們有望在2009年迎來(lái)新一輪增長(zhǎng)周期。 當(dāng)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士正在為美國(guó)經(jīng)濟(jì)是否已經(jīng)陷入衰退而爭(zhēng)論不休時(shí)，半導(dǎo)體設(shè)備廠商們?cè)缇徒?jīng)歷了衰退浪潮的侵襲。標(biāo)準(zhǔn)普爾分析師Angelo Zino表示：“芯片設(shè)備產(chǎn)業(yè)擁有繁榮周期，它早在一年前就已經(jīng)進(jìn)入衰退期，2008年的情況也不太樂(lè)觀。” Zino說(shuō)，預(yù)計(jì)今年的半導(dǎo)體設(shè)備的銷(xiāo)售額將繼續(xù)下滑，主要是因?yàn)閮?nèi)存芯片尤其是DRAM芯片的需求疲軟。他說(shuō)：“我們
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 DRAM NAND閃存
東芝稱NAND閃存供不應(yīng)求 計(jì)劃增建12吋晶圓廠
- 東芝半導(dǎo)體部門(mén)總裁兼運(yùn)行官齊藤莊藏表示，公司無(wú)法滿足NAND閃存的需求，且訂單已排至12月。其坦承，公司僅能滿足70%顧客訂單需求。 東芝計(jì)劃在日本興建一座新的12吋晶圓廠。東芝與其合作伙伴SanDisk最近才啟用位于日本三重縣四日市廠區(qū)興建的第4座晶圓廠(Fab4)。 齊藤莊藏還證實(shí)，該公司正在策劃下建下一座晶圓廠——Fab5，不過(guò)，確切的廠址還沒(méi)有確定。 此外，齊藤莊藏對(duì)NAND閃存的平均售價(jià)并不樂(lè)觀。不過(guò)他認(rèn)為市場(chǎng)對(duì)閃存的需求十分強(qiáng)勁，東芝公司也計(jì)劃大幅度提高產(chǎn)量，以滿足迅速
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 東芝 半導(dǎo)體 NAND閃存 嵌入式
v-nand閃存介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條v-nand閃存!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)v-nand閃存的理解，并與今后在此搜索v-nand閃存的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)v-nand閃存的理解，并與今后在此搜索v-nand閃存的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473