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v-nand 文章 進(jìn)入v-nand技術(shù)社區(qū)
三星48層3D V-NAND快閃存儲(chǔ)器揭密
- 備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。 三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級(jí)單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M，并強(qiáng)調(diào)將用于各種固態(tài)硬碟(SSD)，也預(yù)計(jì)會(huì)在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實(shí)現(xiàn)了，我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現(xiàn)其蹤影(如圖1)。 圖1：三星T3 2TB S
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND
東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成
- 東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲(chǔ)器事業(yè)的副社長(zhǎng)成毛康雄于6日舉行的投資人說(shuō)明會(huì)上表示，將沖刺N(yùn)AND Flash產(chǎn)量，目標(biāo)在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴(kuò)增至2015年度的3倍水準(zhǔn)(以容量換算)。 關(guān)于已在2016年度開(kāi)始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash，成毛康雄指出，將強(qiáng)化3D Flash的生產(chǎn)，目標(biāo)在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進(jìn)一步提高至9成左右水準(zhǔn)。 東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。 日經(jīng)、韓國(guó)先驅(qū)報(bào)(
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Cell on Peri構(gòu)造有利IDM提升3D NAND Flash競(jìng)爭(zhēng)力
- Cell on Peripheral Circuit(以下簡(jiǎn)稱(chēng)Cell on Peri)構(gòu)造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營(yíng)開(kāi)發(fā)，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類(lèi)似此一構(gòu)造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
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2016年下半3D NAND供應(yīng)商上看4家 三星仍將具產(chǎn)能技術(shù)優(yōu)勢(shì)
- DIGITIMES Research觀察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應(yīng)3D NAND Flash的主要業(yè)者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲(chǔ)器業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash，三星獨(dú)家供應(yīng)3D NAND Flash的狀況將改變，不過(guò)，三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構(gòu)邁進(jìn)，短期內(nèi)仍將掌握產(chǎn)能與技術(shù)優(yōu)勢(shì)。 三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層
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三星3D V-NAND 32層對(duì)48層 僅僅是垂直層面的擴(kuò)展？
- 三星公司已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)其48層(即單NAND內(nèi)48層單元，屬于第三代升級(jí)技術(shù))3D V-NAND芯片，預(yù)計(jì)其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級(jí)SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設(shè)備當(dāng)中，將包含大量48層3D V-NAND存儲(chǔ)芯片且通過(guò)引線鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲(chǔ)單元，意味著每個(gè)NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
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3D NAND成半導(dǎo)體業(yè)不景氣救世主
- 韓媒NEWSIS報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對(duì)策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進(jìn)入量產(chǎn)的技術(shù)，在這之前業(yè)界采用的是水平結(jié)構(gòu)，3D垂直堆疊技術(shù)成為克服制程瓶頸的解決方案。 3D NAND比20納米級(jí)產(chǎn)品的容量密度高，讀寫(xiě)速度快，耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲(chǔ)器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小?；谏鲜鰞?yōu)點(diǎn)，對(duì)于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺(tái)的相關(guān)服務(wù)，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
- 關(guān)鍵字： 3D NAND 半導(dǎo)體
NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢(shì)明顯 價(jià)格走揚(yáng)
- 第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng)。 TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng)，而近一個(gè)月漲幅開(kāi)始增加。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，NAND Flash原廠持續(xù)降低對(duì)于通路(Channel)的供貨比重來(lái)滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
- 關(guān)鍵字： NAND Flash
中國(guó)成為全球新建晶圓廠主要推手
- 全球在2016年與2017年將開(kāi)始興建的晶圓廠至少有19座，其中有半數(shù)以上都是在中國(guó)。 根據(jù)SEMI的統(tǒng)計(jì)，全球在2016年與2017年將開(kāi)始興建的晶圓廠至少有19座，其中有半數(shù)以上都是在中國(guó);而2016年全球半導(dǎo)體廠商晶片制造設(shè)備支出估計(jì)將可達(dá)到360億美元，較2015年增加1.5%，2017年則可望再成長(zhǎng)13%、達(dá)到407億美元。 包括全新、二手與專(zhuān)屬(in-house)晶圓廠設(shè)備支出，在2015年衰退了2%;而SEMI預(yù)期，3D NAND快閃記憶體、10奈
- 關(guān)鍵字： 晶圓 NAND
三星否認(rèn)擴(kuò)產(chǎn)3D NAND？外資：三星明年3D產(chǎn)能將擴(kuò)充至37.5%
- 據(jù)韓國(guó)時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo)，三星電子于15日宣稱(chēng)“2017年底前斥資25兆韓元擴(kuò)充3D NAND型快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)能”的投資內(nèi)容尚未敲定，但有分析師似乎認(rèn)為韓媒的報(bào)導(dǎo)內(nèi)容相當(dāng)可信。 barron`s.com16日?qǐng)?bào)導(dǎo)，JP摩根發(fā)表研究報(bào)告指出，三星應(yīng)該會(huì)在今年底將3D NAND的月產(chǎn)能拉高至接近16萬(wàn)片晶圓 (西安廠12萬(wàn)片、Line 16廠接近4萬(wàn)片)。三星的西安廠目前已接近產(chǎn)能全開(kāi)，且該公司還計(jì)劃把Line 16廠的部分2D NAND產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為3D。 另外，三星也將善用Line
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
中國(guó)半導(dǎo)體成效驚人 包攬近兩年過(guò)半全球新增產(chǎn)能
- 中國(guó)砸銀彈扶植半導(dǎo)體進(jìn)度、成效驚人，國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)上周五發(fā)布最新報(bào)告指出，今明兩年全球新增的半導(dǎo)體產(chǎn)能，預(yù)估有超過(guò)一半都將來(lái)自中國(guó)。 據(jù)SEMI表示，全球2016-2017年共將興建17座半導(dǎo)體廠，當(dāng)中有10座設(shè)在中國(guó)，其中兩座生產(chǎn)存儲(chǔ)器、晶圓代工四座、剩余四座規(guī)模較小，主要生產(chǎn)類(lèi)比式芯片、微機(jī)電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical Systems)與
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 NAND
NAND需求好轉(zhuǎn) 將帶動(dòng)DRAM市場(chǎng)趨于健康
- 蘋(píng)果iPhone 7已展開(kāi)備貨，記憶體容量倍增，銷(xiāo)售也看好，業(yè)界預(yù)期第3季NAND快閃記憶體的需求將好轉(zhuǎn)，大廠的產(chǎn)能將轉(zhuǎn)向NAND快閃記憶體，這將帶動(dòng)DRAM市況也趨健康，記憶體模組廠創(chuàng)見(jiàn)、威剛、宇瞻等，預(yù)估下半年?duì)I運(yùn)會(huì)比上半年好。 創(chuàng)見(jiàn)預(yù)期今年記憶體市況將比去年好轉(zhuǎn)，主要因上游大廠資本支出較保守，產(chǎn)能增加有限，致使價(jià)格趨緩跌;受惠智能手機(jī)等產(chǎn)品儲(chǔ)存容量不斷上升，加上SSD取代硬盤(pán)態(tài)勢(shì)成形，SSD需求強(qiáng)勁，儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)下半年市況比DRAM佳。 威剛董事長(zhǎng)陳立白日
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
從Nand特性談其燒錄關(guān)鍵點(diǎn)
- 為什么燒錄Nand Flash經(jīng)常失敗?為什么燒錄成功了，一部分Nand芯片貼板之后系統(tǒng)卻運(yùn)行不起來(lái)?…，等等，問(wèn)了那么多為什么，那我反問(wèn)一個(gè)問(wèn)題：你了解Nand Flash的特性及其燒錄關(guān)鍵點(diǎn)嗎? ? 一、Nand flash的特性 1、位翻轉(zhuǎn) 在 NAND 閃存是通過(guò)對(duì)存儲(chǔ)單元(Cell)進(jìn)行充電來(lái)完成數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的，存儲(chǔ)單元的閾值電壓就對(duì)應(yīng)著數(shù)據(jù)值。當(dāng)讀取的時(shí)候，通過(guò)將它的閾值電壓與參考點(diǎn)對(duì)比來(lái)獲得其數(shù)據(jù)值。對(duì)SLC 而言，就只有兩種狀態(tài)和一個(gè)
- 關(guān)鍵字： Nand 燒錄
2016年第一季NAND品牌營(yíng)收排行榜
- TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，在平均銷(xiāo)售單價(jià)下滑幅度明顯高于位元出貨量成長(zhǎng)的情況下，第一季NAND Flash品牌商營(yíng)收較去年第四季下滑2.9%，已連續(xù)兩個(gè)季衰退。 2016年第一季全球NAND Flash市況持續(xù)受供過(guò)于求影響，通路顆粒合約價(jià)下滑約10%;智慧型手機(jī)、平板電腦與筆記型電腦出貨大幅衰退也讓eMMC、用戶級(jí)固態(tài)硬碟(SSD)跌價(jià)幅度擴(kuò)大至13~18%。 TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示
- 關(guān)鍵字： NAND 英特爾
下半年NAND Flash一定缺貨，且會(huì)非常缺
- 全球儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應(yīng)商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示，固態(tài)硬碟(SSD)價(jià)格已到甜蜜點(diǎn)，今年出貨將大爆發(fā)，成為成長(zhǎng)最強(qiáng)勁的記憶體產(chǎn)品;法人預(yù)估臺(tái)廠概念股群聯(lián)、創(chuàng)見(jiàn)、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等，可望掀比價(jià)效應(yīng)。 慧榮是以臺(tái)灣為研發(fā)重心，立足全球的國(guó)際公司，上周五(20日)股價(jià)以每股42.19美元?jiǎng)?chuàng)2005年6月在美國(guó)那斯達(dá)克掛牌以來(lái)新高，市值達(dá)1.48億美元(約新臺(tái)幣48.5億元)，同創(chuàng)歷史新高。 茍嘉章昨天主持慧榮愛(ài)心園游會(huì)后，針對(duì)今年NAND Fl
- 關(guān)鍵字： NAND Flash
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)v-nand的理解，并與今后在此搜索v-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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