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內(nèi)存行業(yè)或已觸底現(xiàn)貨漲價(jià)但復(fù)蘇道路漫長

　　《華爾街日?qǐng)?bào)》撰文稱，從上周末三星和海力士發(fā)布的財(cái)報(bào)可以看出，內(nèi)存芯片行業(yè)似乎已經(jīng)觸底，這對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)來說是一個(gè)積極的信號(hào)。　　雖然內(nèi)存芯片行業(yè)收入只占全球半導(dǎo)體行業(yè)2600億美元總收入的14%，但作為使用廣泛的芯片，其地位類似芯片行業(yè)中的日用商品，很難與其他芯片部門區(qū)分開來，因此是芯片行業(yè)整體表現(xiàn)的主要指標(biāo)。內(nèi)存行業(yè)下滑開始于2007年初，隨后芯片行業(yè)在2008年就開始了全面衰退。　　上周五，兩家全球最大的內(nèi)存芯片商三星電子和海力士都在發(fā)布第一季度報(bào)告時(shí)稱，與芯片有關(guān)的虧損低于上年同期。
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iSuppli：存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)恢復(fù)盈利還為時(shí)過早

　　在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應(yīng)商為了維護(hù)自己的形象，紛紛強(qiáng)調(diào)潛在的市場(chǎng)復(fù)蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預(yù)計(jì)總體內(nèi)存芯片價(jià)格將在2009年剩余時(shí)間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認(rèn)為，這些廠商不會(huì)在近期真正恢復(fù)需求與獲利能力。繼　　在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應(yīng)商為了維護(hù)自己的形象，紛紛強(qiáng)調(diào)潛在的市場(chǎng)復(fù)蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預(yù)計(jì)總體內(nèi)存芯片價(jià)格將在2009年剩余時(shí)間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認(rèn)為，這些廠商不會(huì)在近期真正恢復(fù)需求與獲利能力。
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TDK推出兼容串行ATA II的GBDriver RS2系列NAND閃存控制器

　　TDK公司日前宣布開發(fā)出兼容串行ATA (SATA) II的NAND閃存控制器芯片GBDriver RS2 系列，并計(jì)劃于五月份開始銷售。　　TDK新型GBDriver RS2是一款高速SATA控制器芯片，支持有效速率達(dá)95MB/S的高速訪問。該產(chǎn)品支持2KB/頁和4KB/頁結(jié)構(gòu)的SLC(單層單元)內(nèi)存以及MLC(多層單元)NAND閃存，可用于制造容量為128MB至64GB的高速SATA存儲(chǔ)。因而，GBDriver RS2可廣泛用于各種應(yīng)用領(lǐng)域，從SATADOM1及其他的嵌入式存儲(chǔ)器，到視聽設(shè)
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內(nèi)存晴雨表：聲稱內(nèi)存市場(chǎng)復(fù)蘇的報(bào)告過于夸張

　　在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應(yīng)商為了維護(hù)自己的形象，紛紛強(qiáng)調(diào)潛在的市場(chǎng)復(fù)蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預(yù)計(jì)總體內(nèi)存芯片價(jià)格將在2009年剩余時(shí)間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認(rèn)為，這些廠商不會(huì)在近期真正恢復(fù)需求與獲利能力。　　繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營業(yè)收入比去年第四季度下降14.3%之后，這些產(chǎn)品市場(chǎng)將在今年剩余時(shí)間內(nèi)增長。第二季度DRAM與NAND閃存營業(yè)收入合計(jì)將增長3.6%，第三和第四季度分別增長21.9%和17.5%。　　圖4所示為iSuppli公
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集邦：海力士大幅減產(chǎn)NAND 將由第三位滑落至第五位

　　針對(duì)NAND閃存產(chǎn)業(yè)，研究機(jī)構(gòu)集邦科技最新研究報(bào)告指出，三星可望穩(wěn)居今年全球市占率龍頭寶座，而海力士則因大幅減產(chǎn)，市場(chǎng)占有率恐將下滑剩下10%，落居第5名。　　集邦科技根據(jù)各NAND Flash供貨商目前的制程技術(shù)、產(chǎn)能、營運(yùn)狀況分析指出，三星因擁有較大產(chǎn)能，同時(shí)制程持續(xù)轉(zhuǎn)往42納米及3x納米，預(yù)期今年市占率 40%以上居冠，日本東芝與美商SanDisk聯(lián)盟的產(chǎn)能利用率略降，但制程技術(shù)也將轉(zhuǎn)往 43納米及32納米，預(yù)期東芝今年的市場(chǎng)占有率約在30%以上居次。　　集邦科技表示，市場(chǎng)占有率第三和第
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三星和海力士獲得蘋果7000萬NAND大單

　　4月15日消息據(jù)韓國媒體報(bào)道蘋果最近向韓國三星電子與海力士兩家公司下單，要求供應(yīng)7000萬顆NAND型閃存芯片，用于生產(chǎn)iPhone和iPod。此次訂單較去年大漲了八成，引發(fā)蘋果可能推出新一代iPhone的聯(lián)想　　韓國時(shí)報(bào)指出，有可靠的消息來源透露“三星電子被要求供應(yīng)5000萬顆8Gb的NAND型閃存芯片給蘋果，而海力士也將供應(yīng)2000萬顆。” 　　部分分析師認(rèn)為，蘋果這次大規(guī)模訂單，將刺激韓國芯片廠商業(yè)績，同時(shí)，也有助于全球芯片產(chǎn)業(yè)早日復(fù)蘇。　　分析師還指出，N
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三維NAND內(nèi)存技術(shù)將讓固態(tài)存儲(chǔ)看到希望

　　IBM的技術(shù)專家Geoff Burr曾說過，如果數(shù)據(jù)中心的占地空間象足球場(chǎng)那么大，而且還要配備自己的發(fā)電廠的話，那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢(mèng)。然而，如果首席信息官們現(xiàn)在不定好計(jì)劃將他們的數(shù)據(jù)中心遷移到固態(tài)技術(shù)平臺(tái)的話，那么10年以后他們就會(huì)陷入那樣的噩夢(mèng)之中。　　這并非危言聳聽，過去的解決方案現(xiàn)在已經(jīng)顯露出存儲(chǔ)性能和容量不足的現(xiàn)象，這就是最好的證明。以前，如果需要更多的性能或容量，企業(yè)只需在數(shù)據(jù)中心添加更多的傳統(tǒng)硬盤就可以了，而且那樣做也很方便?，F(xiàn)在，Geoff Burr在2008年發(fā)表的一
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FSI國際宣布將ViPR?全濕法去除技術(shù)擴(kuò)展到NAND存儲(chǔ)器制造

　　美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國際有限公司(納斯達(dá)克：FSII)今日宣布：一家主要的存儲(chǔ)器制造商將FSI 帶有獨(dú)特ViPR?全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA?清洗系統(tǒng)擴(kuò)展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對(duì)采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對(duì)準(zhǔn)多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機(jī)臺(tái)在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評(píng)估?？蛻?/li>
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FSI國際宣布將ViPR全濕法去除技術(shù)擴(kuò)展到NAND存儲(chǔ)器制造

　　全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國際有限公司(納斯達(dá)克：FSII)日前宣布：一家主要的存儲(chǔ)器制造商將FSI 帶有獨(dú)特ViPR全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA清洗系統(tǒng)擴(kuò)展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對(duì)采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對(duì)準(zhǔn)多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機(jī)臺(tái)在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評(píng)估。客戶對(duì)制造過程中無灰化光刻膠剝離法、實(shí)現(xiàn)用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機(jī)臺(tái)能力給予肯定。除了
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業(yè)界稱Windows 7將推動(dòng)NAND閃存芯片需求

3月21日消息，內(nèi)存廠商預(yù)計(jì)Windows 7的將推動(dòng)NAND閃存芯片的需求，因?yàn)檫@種新的操作系統(tǒng)為利用固態(tài)硬盤進(jìn)行了優(yōu)化。在當(dāng)前的市場(chǎng)不確定的情況下，優(yōu)化固態(tài)硬盤以便適應(yīng)Windows 7已經(jīng)成為固態(tài)硬盤廠商和筆記本電腦廠商的重點(diǎn)。
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NAND多空未明　市場(chǎng)仍在觀望

集邦科技(DRAMeXchange)表示，2月下旬NAND Flash(閃存)合約價(jià)格呈現(xiàn)上揚(yáng)，現(xiàn)貨價(jià)格方面卻已經(jīng)開始下跌；然而，目前現(xiàn)貨市場(chǎng)仍處于多空未明狀態(tài)，觀望氣氛濃厚，買家不敢貿(mào)然搶進(jìn)。集邦表示，2月下旬主流MLC NAND Flash合約均價(jià)約上漲8%到36%，SLC合約價(jià)則維持平盤，價(jià)格上漲的主要原因是今年首季國際大
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三星NAND產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)占有率40%

　　市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange指出，2008年NAND Flash品牌廠商公布去年第四季暨全年?duì)I收排名出爐，SAMSUNG以46億1千4百萬美元，市占率為40.4％，蟬聯(lián)第一寶座觀察2007年與2008年NAND Flash品牌市場(chǎng)變化，2007年品牌廠商全年?duì)I收約為133億6千8百萬美元，2008年則為114億1千8百萬美元，年?duì)I收下跌14.6％，2008年平均銷售價(jià)格較2007年下跌63％。　　Toshiba以全年?duì)I收為32億5百萬美元，市占率28.1％排名居次，比2007年的
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解密16G MLC NAND閃存表象下的技術(shù)細(xì)節(jié)

2006年初，美光科技公司與英特爾公司的合作企業(yè)IMFlashTechnologies公司(IMFT)在市場(chǎng)上閃亮登場(chǎng)。通過整合I...
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受益東芝海力士減產(chǎn) NAND閃存價(jià)格回穩(wěn)

　　12月25日消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，NAND Flash12月下旬合約價(jià)出爐，終止先前下跌趨勢(shì)，至少都以平盤以上開出，主流規(guī)格晶片漲幅更在16%以上，隨價(jià)格回穩(wěn)走揚(yáng)，將有助創(chuàng)見、威剛、群聯(lián)等模組業(yè)者降低庫存跌價(jià)損失壓力。　　業(yè)者指出，這次NAND Flash價(jià)格止跌回穩(wěn)，主要是反應(yīng)日本東芝與韓國海力士減產(chǎn)效益，隨晶片廠對(duì)力保價(jià)格不跌有了堅(jiān)定共識(shí)，也意味NAND Flash回穩(wěn)態(tài)勢(shì)已逐步確立。　　根據(jù)集邦科技昨日最新報(bào)價(jià)，NAND Flash12月下旬合約價(jià)都以平盤以上開出，其中以16Gb主流規(guī)格
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東芝削減NAND閃存芯片30%產(chǎn)量

　　東芝宣布，削減30%的閃存芯片產(chǎn)量，以應(yīng)對(duì)需求降低，庫存增加的考驗(yàn)。　　東芝還說，位于日本四日市的四家工廠本月將停工17天，以降低內(nèi)存卡與MP3播放器的產(chǎn)量。　　東芝在一份聲明中說：“全球經(jīng)濟(jì)不景氣以及消費(fèi)低迷正在對(duì)半導(dǎo)體需求產(chǎn)生嚴(yán)重沖擊。尤其是NAND閃存芯片，由于使用這種芯片的MP3播放器供應(yīng)過剩，其需求大幅下降。東芝慎重考慮了這種情形，決　　定降低四日市工廠的產(chǎn)量。” 　　東芝在四日市有兩家300毫米晶圓工廠以及兩家200毫米晶圓工廠。300毫米晶圓廠將停工
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