- 日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.日前宣布，發(fā)布用于DC-link應用的新款環(huán)境友好的金屬化聚丙烯膜電容器---MKP1848C。器件具有1μF～500μF的容量范圍、小尺寸占位，電壓等級從500V到1200V?！ {借單位體積的高容量和在+70℃、標稱直流電壓下超過10萬小時的長壽命，經(jīng)濟實用的MKP1848C非常適合可再生能源逆變器、電機驅(qū)動和電源等工業(yè)電源應用。 DC-link電容器的ESR低至1.5mΩ，每毫米引線間隔的自感小于1nH，可承受高
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Vishay 電容器 MKP1848C
- 日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，將2512外形尺寸的PTN系列精密表面貼裝薄膜片式電阻的功率等級提到2W。Vishay?Dale薄膜器件采用自鈍化的耐潮鉭氮化物電阻膜技術，具有高功率等級和低至±25ppm/℃的絕對TCR，在-55℃～+125℃寬溫條件下，經(jīng)過激光微調(diào)的公差低至±0.1%?！ TN電阻的鉭氮化物電阻膜使器件的耐潮水平超過MIL-PRF-55342的極限，使這款器件非常適合軍工、航天、電信和工業(yè)應用的低噪聲、高精度控制系
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Vishay TCR PTN
- 日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出采用超小尺寸的熱增強PowerPAK??SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET?功率MOSFET。Vishay?Siliconix?SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動下具有20?V(12V?VGS和8V?VGS)器件中最低的導通電阻，占位面積為2mm?x?2mm?！ ?/li>
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Vishay MOSFET SiA936EDJ
- 日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出用于電機驅(qū)動、太陽能逆變器、新能源和焊接設備，以及其他高工作電壓應用的新款IGBT和MOSFET驅(qū)動器VOW3120-X017T，擴充其光電子產(chǎn)品組合。VOW3120-X017T的最短電氣間隙和外爬電距離為10mm。該器件不僅具有長隔離距離，還具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔離電壓，非常適合在高工作電壓下運轉(zhuǎn)的應用及污染程度較重的環(huán)境?！ 〕司哂袃?yōu)異的隔離能力，使用可靠和久經(jīng)考驗的光電子
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Vishay IGBT MOSFET VOW3120
- 日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出高穩(wěn)定性薄膜片式電阻的實驗室樣品套件---TNPW0402?e3?(LTW0402?e3?96/4)和TNPW0603?e3?(LTW0603?e3?96/4)，它們可幫助工程師開發(fā)原型，加快電子系統(tǒng)的上市時間?！ 〗裉彀l(fā)布的樣品套件分別提供了采用TNPW0402?e3和TNPW0603?e3封裝的大約100個最
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Vishay TNPW0402 E-96 薄膜技術
- 日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出高穩(wěn)定性薄膜片式電阻的實驗室樣品套件---TNPW0402?e3?(LTW0402?e3?96/4)和TNPW0603?e3?(LTW0603?e3?96/4)，它們可幫助工程師開發(fā)原型，加快電子系統(tǒng)的上市時間?！ 〗裉彀l(fā)布的樣品套件分別提供了采用TNPW0402?e3和TNPW0603?e3封裝的大約100個最常
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Vishay TNPW0402 傳感器 RoHS E-96
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款可編程開關---Vishay Siliconix SiP12109，其頻率高達1.5MHz，輸入電壓4.5～15V的4A器件，擴充了Vishay的microBUCK?系列集成式同步降壓穩(wěn)壓器。Vishay Siliconix SiP12109在節(jié)省空間的3mm x 3mm QFN-16封裝內(nèi)集成了高邊和低邊功率MOSFET，為設計者提供了
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Vishay SiP12109 microBUCK CM-COT DC/DC
- 日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出兩款通過AEC-Q101認證的配對高速940nm紅外發(fā)射器和硅PIN光電二極管VSMB10940X01/VEMD10940FX01和VSMB11940X01/VEMD11940FX01，采用小尺寸3mm?x?2mm側(cè)視表面貼裝封裝。VSMB10940X01/VEMD10940FX01高度為1mm，VSMB11940X01/VEMD11940FX01的高度為0.6mm，是業(yè)內(nèi)高度最低的側(cè)視產(chǎn)品
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Vishay 紅外 PIN VSMB AEC-Q101
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的具有轉(zhuǎn)換速率控制功能的6.5mΩ雙向電池開關--- SiP32101，可在便攜式電子設備、醫(yī)療設備和儀器儀表中用來隔離低壓電池。在這些空間受限的應用中，Vishay Siliconix SiP32101比使用分立MOSFET的方案能節(jié)省91%的PCB空間，在小尺寸12凸點WCSP封裝內(nèi)實現(xiàn)了低導通電阻和超低靜態(tài)電流。
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Vishay SiP32101 雙向
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，擴充其TANTAMOUNT?低ESR TR3和標準工業(yè)級293D系列固鉭表面貼裝片式電容器，使B、C、D、E、V和W外形尺寸器件的電壓提高到75V。來自于Vishay Sprague的該款器件是業(yè)內(nèi)首個75V模塑鉭電容器，是為滿足在+28V和+35V應用中降額50%額定電壓而設計的。
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Vishay 模塑鉭電容器 表面貼裝片式
- 2014 年 2 月20 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用該公司IHLP? 技術制造，可用于SEPIC DC/DC轉(zhuǎn)換器和其他應用的新系列組合耦合電感器。
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Vishay 電感器 LED IHCL
- 2014 年 2 月19 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發(fā)布采用小尺寸3.85mm x 3.85mm x 2.24mm頂視SMD封裝的新款850nm紅外發(fā)射器--- VSMY98545，擴大其光電子產(chǎn)品組合。VSMY98545基于SurfLight?表面發(fā)射器芯片技術，集成鏡片，具有高驅(qū)動電流、高發(fā)光強度和高光功率，同時具有低熱阻。
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Vishay 發(fā)射器 VSMY98545
- 2014 年 2 月18 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出具有更強穩(wěn)定性的新系列SMD NTC熱敏電阻---NTCS....E3...SMT，可用于溫度檢測和補償電路。
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Vishay 熱敏電阻 NTC
- 2014 年 2 月17 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出7個新的45V和50V器件，擴充其TMBS? Trench MOS勢壘肖特基整流器。這些高電流密度的整流器適合汽車和商業(yè)應用，具有3A～8A的電流等級和低正向壓降，采用薄外形表面貼裝DO-221BC(SMPA)封裝。
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Vishay 整流器
- 2014 年 2 月13 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發(fā)布用于高功率表面貼裝射頻應用的新系列厚膜片式電阻---RCP系列。Vishay Dale RCP系列器件具有1206小外形尺寸，在+70℃和標準印制板貼裝情況下的功率等級為1W，采用主動式溫度控制后，功率等級可達11W。
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Vishay RCP 電阻
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