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三星拉大DRAM制程差距 臺廠須盡速導入40納米
- 臺灣國際半導體展(SEMICON Taiwan 2010)于8日正式開幕,在半導體趨勢論壇中,摩根士丹利證券執(zhí)行董事王安亞針對未來DRAM市場發(fā)出警語,認為未來2Gb產(chǎn)品將成為DRAM市場主流,且未來以40納米制程生產(chǎn)的2Gb將最具競爭力,臺系DRAM廠,包括南亞科、華亞科等,必須盡快提升50納米制程的良率,且轉進40納米制程世代,才會具有成本競爭力。 三星電子(Samsung Electronics)日前對于2010年下半DRAM市場發(fā)出供過于求的悲觀論調,使得全球DRAM產(chǎn)業(yè)大幅受挫,臺系D
- 關鍵字: 三星 DRAM 40納米
分析稱臺系DRAM廠明年可望大幅增長
- 據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出,在臺系 DRAM 廠中,南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉進兩大因素,使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。 南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片,明年上半年可達6萬片,華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片,同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進及明年轉進42nm,預計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠,以品牌銷售顆料計,南科明年將成為臺灣DRA
- 關鍵字: 南科 DRAM Flash
分析稱臺系DRAM廠2011年可望大幅增長
- 據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出,在臺系 DRAM 廠中,南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉進兩大因素,使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。 南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片,明年上半年可達6萬片,華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片,同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進及明年轉進42nm,預計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠,以品牌銷售顆料計,南科明年將成為臺灣DRA
- 關鍵字: 南科 DRAM Flash
臺系DRAM廠的轉型與挑戰(zhàn)
- 根據(jù)集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報告指出,臺系DRAM廠中,南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉進兩大因素,使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。南科除今年將12吋月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片,明年上半年可達6萬片,華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片,同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進及明年轉進42nm,預計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠,以品牌銷售顆料計,南科明年將成為臺灣DRAM廠之冠。
- 關鍵字: 南科 DRAM Flash
來自美國硅谷的信息(下)
- 不要忽略驗證工具 Mentor Graphics副總裁兼總經(jīng)理Joseph Sawicki介紹了他們的最新產(chǎn)品,版圖的寄生參數(shù)提取工具Calibre xACT 3D,Joseph稱,以往此類工具在提取器件的寄生參數(shù)時都是二維的,即對器件的幾何坐標進行標示和記錄從而確定寄生參數(shù),而Calibre xACT 3D則是提取單個器件以及不同器件之間的三維空間信息,這樣所得到的寄生參數(shù)當然更精確。 八仙過海,鏖戰(zhàn)消費電子 電子產(chǎn)業(yè)的復蘇已經(jīng)成為不爭的事實,眾廠商怎么在這第二輪增長中挖到自己
- 關鍵字: Mentor USB接口 DRAM 存儲器 201008
韓國三星電子公司發(fā)展模式的啟迪
- 環(huán)視當今世界電子企業(yè)巨頭,其中最被稱道的公司有兩家:一是美國的App1e公司,一是韓國的三星電子集團。尤其是三星電子公司特別值得中國公司學習,也的確是最應該學習的公司。據(jù)說,有中國公司如聯(lián)想、TCL等都曾以三星電子公司為榜樣,但愿未來在中國的土地上真能出現(xiàn)“中國的三星公司”,中國電子工業(yè)勢必將走上更快更好的發(fā)展道路。 發(fā)展簡史 三星電子集團公司成立于1938年,當初只是一家做做干魚、蔬菜、水果等出口貿(mào)易的小公司,但發(fā)展頗快,到上世紀50年代初,便成長為韓國的頭號貿(mào)易
- 關鍵字: 三星電子 DRAM TFT-LCD 201008
Hynix擬在7-9月期間擬投5.69億美金擴充升級廠房
- Yonhap News報導,全球第二大記憶體制造商Hynix Semiconductor Inc. 13日在呈交至韓國證交所的文件中宣布,該公司將投資6,770億韓元(5.69億美元)擴充、升級現(xiàn)有的生產(chǎn)線,同時并將投入研發(fā)工作。Hynix表示,這項投資目的在改善成本競爭力并增加產(chǎn)能,以幫助該公司提升對市場需求的反應能力。Hynix并表示,這項投資計劃將在7-9月期間執(zhí)行。 iSuppli曾于8月9日發(fā)表研究報告指出,受到制造設備供應量有限、制程轉換面臨挑戰(zhàn)的影響,2010年下半年DRAM供給量
- 關鍵字: Hynix DRAM
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