- 據市場研究公司iSuppli發(fā)表的按美元統(tǒng)計的第一季度全球NAND閃存市場的銷售收入數(shù)字顯示，三星和東芝主宰了NAND閃存市場，僅給其它所有的公司留下了較少的市場份額。三星今年第一季度的市場份額是38.5%，緊隨其后的東芝的市場份額是33.8%。其它每一個廠商爭奪的市場份額只有27.7%。
按美元統(tǒng)計，今年第一季度全球NAND閃存市場的銷售收入是43.6億美元，比 2009年第四季度的43.3億美元增長了0.6%。因此，你可以計算出供應商的實際銷售收入。iSuppli稱，這是一個好消息，因為歷史
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Numonyx NAND 閃存
- 繼今年二月份宣布成功試制出25nm制程NAND閃存芯片產品之后，Intel與鎂光的合資公司IMFT( Intel-Micron Flash Technologies)近日宣布開始正式對外銷售量產的25nm制程NAND閃存芯片，這種新制程的芯片產品容量將比34nm制程產品提升一倍。
這次采用25nm制程技術制作的NAND閃存芯片產品主要是8GB容量的芯片產品，這種8GB芯片的面積僅為167平方毫米，其容量可容納2000首歌曲，7000張照片或8小時時長的視頻片段。
目前還不清楚首款配置這
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Intel 25nm NAND
- 據iSuppli市調公司2010年第一季度的NAND閃存市場調查報告顯示，三星與東芝公司兩家占據了NAND閃存市場的絕大部分份額，其中三星的營收 份額最高，達到了38.5%，東芝則位居第二為33.8%，兩者合在一起占據了72.3%的NAND閃存市場營收份額。按美元計算，今年第一季度NAND 閃存的市場總值達到43.6億美元，比去年第四季度NAND閃存市場總值43.3億美元提升了0.6%。由于季節(jié)性因素的影響，每年的第一季度閃存市場一 般都會比上一年最后一季度有所萎縮，而今年則反其道而行，iSuppli
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三星 NAND 閃存
- 英特爾今天開始出貨25納米NAND閃存，容量為8GB，新款芯片外型上比原有的34nm版本更小，但存儲能力卻增加了一倍，這種芯片主要面向智能手機和多媒體播放器。
同時英特爾還暗示600GB的固態(tài)硬盤產品將在今年年末出現(xiàn)，使用的應該也就是這款閃存芯片。
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英特爾 25納米 NAND
- 2010年第1季全球NAND Flash產業(yè)市占率中，仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭，根據集邦統(tǒng)計，三星的市占率高達39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長率較上季增加15%，但平均單價(ASP)小跌5%，全球NAND Flash產業(yè)的產值規(guī)模約43.63億美元，較上季39.1億元成長11.6%。
NAND Flash產業(yè)2009年率先落底反彈，但2010年表現(xiàn)空間不多，在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
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Samsung NAND DRAM
- 美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據協(xié)議，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導體、私募股權基金Francisco Partners)。
完成收購恒憶后美光成為同時擁有DRAM、NAND以及NOR技術的記憶體晶片大廠。恒憶去年第4季營收約5.50億美元，自由現(xiàn)金流量達4,200萬美元。交易完成后美光/恒憶將與意法共享位于義大利Agrate的&ld
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美光 DRAM NAND NOR
- Fudzilla消息，英特爾今年將有SSD方面的大計劃，預計在今年第四季度，公司將展示一款160GB-600GB的大容量高速SSD產品。
這種SSD基于25nm MLC NAND Flash打造，取代之前的34nm MLC技術，容量包括160、300和600GB，屬于第二代X25-M產品序列，包含1.8和2.5英寸版本。
其中1.8英寸版本最大容量300GB，將成為供應家庭娛樂和消費電子的主推產品。
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英特爾 SSD NAND
- 以收入計全球第二大電腦記憶芯片制造商海力士半導體公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布，一季度公司動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)平均售價季比上升3%，09年四季度漲幅為26%。
然而，海力士半導體公司在一份聲明中稱，一季度NAND快閃記憶芯片售價季比下降8%，09年四季度降幅為5%。
該公司補充道，一季度DRAM芯片發(fā)貨量季比上升6%，NAND芯片發(fā)貨量季比持平。
海力士半導體公布，該公司一季度營業(yè)利潤率為28%，09年四季度該公司營業(yè)利潤率為25%。
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海力士 NAND DRAM
- 英特爾(Intel)和美系記憶體大廠美光(Micron)所成立的合資企業(yè)IM Flash，為了趕上半導體業(yè)2010年牛氣沖天的景氣，決定讓新加坡廠重啟營運。
2005年英特爾和美光因看好NAND Flash市場，遂于2006年初合資成立IM Flash，由英特爾出錢出力，美光則提供技術，由IM Flash專門為這2家公司生產NAND Flash。但在半導體景氣循環(huán)來到低點，再加上金融海嘯的沖擊下，IM Flash受到嚴重沖擊，在2008年IM Flash裁員800人，花費35億美元打造，本應于2
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三星電子 NAND Flash
- 據外電報道，三星電子表示，該公司從上周末開始批量生產20納米制程32GB多層單元(MLC)NAND閃存。
20納米制程32GB多層單元NAND閃存的生產性，比30納米制程高50%左右。三星電子在全球半導體行業(yè)率先投入到了量產。
三星電子相關負責人表示，公司同時開發(fā)20納米制程32GB多層單元專用controller，確保了與30納米級NAND閃存相同的穩(wěn)定性。
三星電子的20納米制程NAND閃存將先用于手機存儲卡SD卡。
此外，今年2月公布開發(fā)20納米制程64GB NAND閃存
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三星電子 20納米 NAND
- Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實現(xiàn), Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據不丟失等一系列優(yōu)點，已逐步取代其它半導體存儲元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
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系統(tǒng) 實現(xiàn) DSP 管理 Flash 存儲 Nand
- 據國外媒體報道，三星電子今天發(fā)布的財報顯示，受益于PC需求增加以及電視價格上漲，該公司第一季度營業(yè)利潤同比猛增7倍。
利潤增長
三星的初步財報顯示，該公司第一季度營業(yè)利潤約為4.3萬億韓元(約合38億美元)，上下浮動區(qū)間為2000億韓元，去年同期調整后營業(yè)利潤僅為 5900億韓元。根據彭博社的調查，15名分析師此前對三星營業(yè)利潤的中位數(shù)預期為4.27萬億韓元。
外界預計，受到存儲芯片以及平板顯示器價格上漲的刺激，三星第一季度將創(chuàng)下今年最好業(yè)績。受此影響，三星股價周一創(chuàng)下歷史新高。分析
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三星電子 NAND 存儲芯片
- 按Benchmark Euqity研究公司報道, 緊接著2009年未的迅速地復蘇, 進入2010年時全球半導體業(yè)在數(shù)量上仍有15-20%的增長。
按Benchmark的分析師Gary Mobley的看法, 從2009年1月的谷底算起,全球芯片出貨量己經增長大於75%。在相同的期間美國費城半導體指數(shù)也增長相近的量。
當大部分工業(yè)分析師都認為今年半導體市場有20%的增長時,Benchmark分析師相信今年非
?？赡苡?2%-24%的增長。
其中某些芯片的庫存包括存儲器，部分模擬電路
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芯片 NAND 智能手機
- 嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應用,當前各類嵌入式系統(tǒng)開發(fā)設計中，存儲模塊是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市場上兩種主要的非易失閃存技術。Nor-flash存儲器的容量較小、寫入速度較慢，但因其隨機讀取速度快，因此在嵌入式系統(tǒng)中，常應用在程
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應用 原理 Nand-Flash 系統(tǒng) 嵌入式
- 市場研究機構Web-Feet Research公布2009年全球NAND閃存供貨商排行榜，三星電子(Samsung Electronics)仍穩(wěn)居市占率第一名位置，其后則是東芝(Toshiba)與SanDisk;SanDisk的表現(xiàn)意外亮眼，領先美光(Micron)、海力士(Hynix)與英特爾(Intel)。
在其它市場研究機構的排行榜中，SanDisk往往并未列名，因為在某些情況下該公司是與合作伙伴東芝視為一體。Web-Feet Research報告中列出了17家閃存制造商的出貨成績，東芝與
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三星電子 NAND
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