基本上，功率半導(dǎo)體大致可分為功率離散元件 (Power Discrete) 與功率積體電路 (Power IC) 二大類，其中，功率離散元件產(chǎn)品包括 MOSFET、二極管，及 IGBT，當(dāng)中又以 MOSFET 與 IGBT 最為重要。
而全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中，用于工業(yè)控制比重最高，達(dá)34%，其次是汽車及通訊領(lǐng)域各占23%，消費(fèi)電子則占20%。
近年來，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域已從工業(yè)控制和消費(fèi)電子拓展至新能源、軌道交通、智慧電網(wǎng)、變頻家電等市場(chǎng)，整體市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)定成長(zhǎng)趨勢(shì)。根據(jù) IHS Markit 預(yù)測(cè)，2018年全球功率元件市場(chǎng)規(guī)模約為391億美元，預(yù)估至 2021年市場(chǎng)規(guī)模將上升至441億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率為 4.1%。

而IC Insights則指出在各類半導(dǎo)體功率元件中，未來最看好的產(chǎn)品將是 MOSFET與 IGBT模組。
當(dāng)前，全球MOSFET市場(chǎng)主要由英飛凌占據(jù)，根據(jù) IHS 統(tǒng)計(jì)指出，英飛凌市占高達(dá)27%，排名第二為安森美，市占率13%，第三則是瑞薩的9%。
而在價(jià)值含量高的高壓MOSFET領(lǐng)域中，英飛凌更是以36%的市占率大幅領(lǐng)先所有競(jìng)者對(duì)手，意法半導(dǎo)體與東芝則以市占19% 及11% 分居二、三名。 

目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，根據(jù)Omdia的統(tǒng)計(jì)，以2019 年度銷售額計(jì)，MOSFET前三為英飛凌、安森美和華潤(rùn)微。
IGBT領(lǐng)域，據(jù)IHS數(shù)據(jù)，國(guó)內(nèi)IGBT前三為英飛凌、三菱電機(jī)、安森美，比亞迪、斯達(dá)半導(dǎo)排進(jìn)前十。
總的來說，聞泰科技、華潤(rùn)微、比亞迪和斯達(dá)半導(dǎo)基本屬于國(guó)內(nèi)MOSFET、IGBT領(lǐng)域第一梯隊(duì)的公司，緊隨其后的公司還包括士蘭微、新潔能、捷捷微電、揚(yáng)杰科技、中車時(shí)代等。