模型提取的準(zhǔn)確性以及在不同場(chǎng)合的正確使用一直是SI仿真工作中的“應(yīng)用核心”，因?yàn)樗钅荜U釋什么是“Rubbish in，Rubbish out”。

為什么說模型是仿真的核心？

很久、很久以前，也就是【菊廠】剛成立Si部門之時(shí)，SI團(tuán)隊(duì)的某某問了IBM幾個(gè)仿真問題，最后以國人的“客氣”傳統(tǒng)問了下對(duì)方需收多少費(fèi)時(shí)“￥#%@￥#%OOXX……”，幾個(gè)問題最后付了2萬多美金（這是20多年前），我當(dāng)時(shí)的直覺得就是“模型很值錢，知識(shí)很值錢”。

當(dāng)習(xí)慣了SI仿真流程的越來越白癡化后，拿來就用成了理所當(dāng)然的習(xí)慣。平時(shí)拿到一個(gè)SI仿真模型后，你是否曾想過：模型里的數(shù)據(jù)是怎么來的？你是否認(rèn)真分析過里面的數(shù)據(jù)？

一般SI工程師拿到一個(gè)IBIS模型時(shí)，首選會(huì)使用IBIS Check類的軟件看下是否有Error，對(duì)待出現(xiàn)的Warning很多人則直接選擇了無視，我們實(shí)際做項(xiàng)目時(shí)還是應(yīng)該把每個(gè)Warning的內(nèi)容過一遍，但一些Warning的確認(rèn)需要封裝內(nèi)部的知識(shí)支撐。

器件仿真模型主要由芯片封裝+Buffer這2部分構(gòu)成（當(dāng)然，隨著仿真的復(fù)雜化，后面會(huì)加入更多的其它內(nèi)容），對(duì)Buffer的數(shù)據(jù)部分應(yīng)保持它的原始性而不應(yīng)進(jìn)行手工的修改（每每想起以前有人把Buffer的數(shù)據(jù)修改以便使輸出波形得到優(yōu)化的手法就感到汗顏！）。

國內(nèi)由于各方面的原因，芯片行業(yè)只有極少幾家技術(shù)還不錯(cuò)，大環(huán)境一直沒真正好起來，沒有好實(shí)體企業(yè)支撐，廣大工程屌絲相應(yīng)就會(huì)缺少鍛煉與成長的機(jī)會(huì)，就封裝而言，很多人對(duì)封裝的內(nèi)部結(jié)構(gòu)不了解，因而對(duì)封裝模型文件中的數(shù)據(jù)分析起來就會(huì)感到吃力甚至糊里糊涂，以下的這些點(diǎn)在提取芯片封裝模型時(shí)應(yīng)要注意。

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封裝的結(jié)構(gòu)

封裝設(shè)計(jì)選型時(shí)一般都會(huì)盡量選用已有的封裝模型，除非特別的需求會(huì)做一些局部的改動(dòng)及優(yōu)化，常見的裝細(xì)分形式很多，如下圖。但主體是WB與FC加工方式再結(jié)合的BGA與LEADFRAME的組合架構(gòu)，隨著技術(shù)的發(fā)展而衍生出TSV、Bar Die等等。

圖2 封裝發(fā)展趨勢(shì)（基于Pin密度）

**圖片摘自《芯片SIP封裝與工程設(shè)計(jì)》

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影響模型精度的因素

封裝模型提取時(shí)，影響結(jié)果的因素很多，如：層疊與參數(shù)、地參考點(diǎn)選取、Wirebond外形結(jié)構(gòu)、耦合精度設(shè)置等，這些在實(shí)際的提取時(shí)一般會(huì)作折衷的處理，模型提取不是越復(fù)雜就越好，需要有一個(gè)綜合的考慮。

一般封裝模型提取的流程如下（不同軟件會(huì)有一定的差別），主要步驟設(shè)置有：層疊、Wirebond/Bump、焊盤及虛擬平面等，最后選上要提取的網(wǎng)絡(luò)運(yùn)行即可，如下圖。過程非常簡單，《芯片SIP封裝與工程設(shè)計(jì)》書中已描述得太詳細(xì)，在這里不作展開。

圖3 封裝模型提取流程

流程雖然簡單，但是在設(shè)置如：Wirebond、材料的介電常數(shù)、參考地平面的選取等方面需要一定的工程經(jīng)驗(yàn)，而不是隨便填寫一些不真實(shí)的數(shù)據(jù)，這些數(shù)據(jù)的選取及設(shè)置與項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)有較大的關(guān)系，最佳的方式就是測(cè)試的回歸驗(yàn)證。

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模型仿真結(jié)果分析

IBIS封裝的電性參數(shù)有多種形式的網(wǎng)表輸出，不同形式在不同工程應(yīng)用場(chǎng)合會(huì)表現(xiàn)非常的高效，如：耦合的Pi型與T型網(wǎng)表、單線自身的RLC參數(shù)等等、如下圖。

圖5 仿真結(jié)果輸出形式

通過立體的輸出結(jié)果則更便于檢查，如下圖互容與自容值的立體比較。

仿真輸出的結(jié)果中，不同信號(hào)間的互容矩陣中的Spice矩陣與Maxwell矩陣需要特別注意，Maxwell認(rèn)為是數(shù)學(xué)上的模型，而Spice通常認(rèn)為是物理意義上的模型更易于理解，它們間的對(duì)應(yīng)關(guān)如下式，因而拿到一個(gè)模型時(shí)如要引用它的自容與自感，需要弄清楚它屬于哪類自容。

圖7 Maxwell與SPICE電容矩陣關(guān)系

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總結(jié)

對(duì)于SI仿真工作，不能簡單按軟件流程提取結(jié)果，更應(yīng)花時(shí)間在模型的研究與提取上，從而使仿真的精度更有保障，隨著芯片信號(hào)工作頻率的提高，很多情況下只使用簡單的RLC三個(gè)值的封裝參數(shù)就會(huì)表現(xiàn)得捉襟見肘，使用PKG或S參數(shù)等帶耦合性的模型可以使精度更高，當(dāng)然如能獲取封裝設(shè)計(jì)文件自行提取則最為理想了。