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          羅姆的第4代SiC MOSFET成功應用于日立安斯泰莫的純電動汽車逆變器

          發(fā)布人:12345zhi 時間:2022-12-28 來源:工程師 發(fā)布文章

          從2025年起將向全球電動汽車供貨,助力延長續(xù)航里程和系統(tǒng)的小型化

          全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)的第4代SiC MOSFET和柵極驅(qū)動器IC已被日本先進的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會社(以下簡稱“日立安斯泰莫”)用于其純電動汽車(以下簡稱“EV”)的逆變器。

          羅姆的第4代SiC MOSFET成功應用于日立安斯泰莫的純電動汽車逆變器

          在全球?qū)崿F(xiàn)無碳社會的努力中,汽車的電動化進程加速,在這種背景下,開發(fā)更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統(tǒng)已經(jīng)成為必經(jīng)之路。尤其是在EV領(lǐng)域,為了延長續(xù)航里程并減小車載電池的尺寸,提高發(fā)揮驅(qū)動核心作用的逆變器的效率已成為一個重要課題,業(yè)內(nèi)對碳化硅功率元器件寄予厚望。

          羅姆自2010年在全球率先開始量產(chǎn)SiC MOSFET以來,在SiC功率元器件技術(shù)開發(fā)方面,始終保持著業(yè)界先進地位。其中,新推出的第4代SiC MOSFET改善了短路耐受時間,并實現(xiàn)了業(yè)界超低的導通電阻。在車載逆變器中采用該產(chǎn)品時,與使用IGBT時相比,電耗可以減少6%(按國際標準“WLTC燃料消耗量測試”計算),非常有助于延長電動汽車的續(xù)航里程。

          日立安斯泰莫多年來一直致力于汽車用電機和逆變器相關(guān)的先進技術(shù)開發(fā),并且已經(jīng)為日益普及的EV提供了大量的產(chǎn)品,在該領(lǐng)域擁有驕人的市場業(yè)績。此次,為了進一步提高逆變器的性能,日立安斯泰莫首次在主驅(qū)逆變器的電路中采用了SiC功率器件,并計劃從2025年起,依次向包括日本汽車制造商在內(nèi)的全球汽車制造商供應相應的逆變器產(chǎn)品。

          未來,羅姆將作為SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè),不斷壯大產(chǎn)品陣容,并結(jié)合能夠更大限度地激發(fā)元器件性能的控制IC等外圍元器件技術(shù)優(yōu)勢,持續(xù)提供有助于汽車技術(shù)創(chuàng)新的電源解決方案。

          <關(guān)于日立安斯泰莫>

          日立安斯泰莫通過由動力總成系統(tǒng)和安全系統(tǒng)業(yè)務、底盤業(yè)務、摩托車業(yè)務、軟件業(yè)務以及售后市場業(yè)務組成的戰(zhàn)略業(yè)務組合,致力于不斷增強業(yè)務和技術(shù)創(chuàng)新能力。公司秉承以“綠色”、“數(shù)字化”、“創(chuàng)新”為核心的發(fā)展目標,通過可以減少廢氣排放的高效內(nèi)燃機系統(tǒng)和電動系統(tǒng),助力改善地球環(huán)境,并通過自動駕駛、先進駕駛輔助系統(tǒng)以及先進底盤系統(tǒng),助力提升出行的安全性和舒適性。通過提供先進的移動出行方案,為實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會和提高客戶的企業(yè)價值做貢獻。

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