【年度報(bào)告】全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)行情變化與未來展望
自2020年疫情爆發(fā)以來,遠(yuǎn)程辦公、網(wǎng)上教育、流媒體等等應(yīng)用引爆對(duì)消費(fèi)電子及云服務(wù)的需求增長(zhǎng),全球數(shù)字化轉(zhuǎn)型加速。與此同時(shí),包括存儲(chǔ)芯片在內(nèi)的半導(dǎo)體行業(yè)在突如其來的需求以及供應(yīng)鏈加速囤貨的作用下,最終形成長(zhǎng)達(dá)近兩年的全球性全面缺貨浪潮。
然而,從2021年三季度開始全面的供不應(yīng)求已經(jīng)轉(zhuǎn)化為結(jié)構(gòu)性的供需失衡,長(zhǎng)短料現(xiàn)象在各大終端市場(chǎng)持續(xù)發(fā)酵,企業(yè)庫(kù)存水位逐漸堆高,下游進(jìn)入庫(kù)存調(diào)整周期。進(jìn)入2022年,在俄烏沖突、疫情重燃、通脹上升等一系列事件沖擊下,全球經(jīng)濟(jì)下行風(fēng)險(xiǎn)加劇,對(duì)智能手機(jī)、PC等科技產(chǎn)品的需求正在快速下降,“低需求高庫(kù)存”的困境不斷發(fā)酵,導(dǎo)致供需關(guān)系迅速轉(zhuǎn)變,供過于求的市況引發(fā)市場(chǎng)的進(jìn)一步下跌。
正值市場(chǎng)多變之秋,CFM閃存市場(chǎng)推出《2022年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)總結(jié)與2023年展望》,立足2022年展望2023年及未來存儲(chǔ)市場(chǎng)的變化與發(fā)展。更多詳情請(qǐng)聯(lián)系Service@ChinaFlashMarket.com
一、2022年NAND Flash和DRAM市場(chǎng)容量?jī)H以個(gè)位數(shù)百分比增長(zhǎng)
三年“疫情紅利”消退,2022年成為拐點(diǎn),存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)步入尾聲。據(jù)CFM閃存市場(chǎng)預(yù)計(jì),2022年NAND Flash市場(chǎng)容量規(guī)模增長(zhǎng)6%達(dá)到610 B GB,DRAM 市場(chǎng)容量規(guī)模增長(zhǎng)4%達(dá)到194 B Gb。相較于此前NAND Flash和DRAM分別保持30%和20%以上的速度增長(zhǎng),2022年的6%與4%的增速無疑處在歷史低位,對(duì)于2023年在需求改善的前提下有望回到20%和10%的增長(zhǎng)速度。
二、2022年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模下跌13%, 2023年或恢復(fù)溫和增長(zhǎng)
在這些沖擊影響之下,不論是NAND Flash還是DRAM的價(jià)格均紛紛大跌,其中Flash Wafer 512Gb TLC價(jià)格已經(jīng)跌至1.9美元,年內(nèi)跌幅達(dá)54%。價(jià)格暴跌、容量增長(zhǎng)放緩,導(dǎo)致今年三季度存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比大跌26.7%至316.38億美元,創(chuàng)10個(gè)季度新低;2022年1-9月存儲(chǔ)市場(chǎng)累計(jì)規(guī)模為1165.34億美元,同比下滑2.8%。而在四季度情況并未好轉(zhuǎn),預(yù)計(jì)DRAM和NAND Flash的市場(chǎng)規(guī)模依然會(huì)環(huán)比下跌20%,而價(jià)格的持續(xù)下跌預(yù)計(jì)仍將延續(xù)到2023年一季度。整體來看,CFM閃存市場(chǎng)預(yù)計(jì)2022年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模將下滑約13%,終結(jié)2020、2021年兩年的連續(xù)增長(zhǎng)。
分季度來看,2022年四季度存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模已經(jīng)回到2019年一、二季度的周期底部水平,在淡季效應(yīng)下預(yù)計(jì)2023年一季度將環(huán)比續(xù)跌,不過,一季度或?qū)?023年最低點(diǎn),從2023年二季度起,存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模將逐季增長(zhǎng)。
三、庫(kù)存積壓、收入下滑,“降成本、去庫(kù)存”成為下游廠商的主旋律
2020-2021年期間,包括存儲(chǔ)芯片在內(nèi)的整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)在突如其來的需求推動(dòng)以及“缺貨”的恐慌心理下,供應(yīng)鏈加速甚至加倍囤貨。但消費(fèi)電子并非為一次性使用的特殊需求,在短期內(nèi)不會(huì)產(chǎn)生復(fù)購(gòu),因此過去兩年時(shí)間內(nèi)激增的購(gòu)買量不可能持續(xù)出現(xiàn)。2022年在各種不確定性因素的干擾下,人們的消費(fèi)觀念趨于保守,于是“需求”消失了,而倉(cāng)庫(kù)里的產(chǎn)品卻越堆越多。
從下圖中可以看出,在2022年二季度末華碩、聯(lián)想、小米的庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)均創(chuàng)新高,雖然在三季度的庫(kù)存均有不同程度的減少,但仍然遠(yuǎn)高于2019年的水平。而部分PC大廠也表示現(xiàn)階段PC產(chǎn)業(yè)庫(kù)存還未回到健康狀態(tài),去庫(kù)存效果有限,可能在2023年下半年供需才有機(jī)會(huì)恢復(fù)正常。在未來需求能見度不高的情況下,毫無疑問各大終端廠商將把重心持續(xù)放在去庫(kù)存以及降成本上。而“降成本”最為有效的手段之一即為裁員,據(jù)報(bào)道,亞馬遜、谷歌、Meta、抖音、惠普、小米等等均已啟動(dòng)裁員計(jì)劃。
在一系列不確定性因素的沖擊下,消費(fèi)需求受到極大的抑制。CFM閃存市場(chǎng)預(yù)計(jì)2022年智能手機(jī)出貨量將為12.5億部,同比減少6.7%,預(yù)計(jì)2023年下半年會(huì)有一定回溫使得2023全年出貨量呈現(xiàn)微幅增長(zhǎng)。在經(jīng)歷兩年的高速增長(zhǎng)后,PC需求開始減退,2022年P(guān)C出貨量將同比減少15%至2.93億臺(tái),同時(shí)也將會(huì)在2023年繼續(xù)減少5%。各大云服務(wù)商的收入均出現(xiàn)不同程度的放緩跡象,而庫(kù)存調(diào)整的問題也出現(xiàn)在了服務(wù)器市場(chǎng),但基于AI和云計(jì)算的整體增長(zhǎng)前景持續(xù),部分需求將延后,CFM閃存市場(chǎng)預(yù)計(jì)2022年服務(wù)器出貨量為1330萬(wàn)臺(tái)同比增長(zhǎng)3%,2023年有望恢復(fù)至5%的增速。
四、汽車市場(chǎng)依然釋放著熱能
與消費(fèi)電子市場(chǎng)的“寒意”不同,汽車市場(chǎng)仍舊釋放出熱能。據(jù)中汽協(xié)最新預(yù)測(cè),2022年新能源車汽車銷量670萬(wàn)輛,同比增長(zhǎng)90.3%,預(yù)計(jì)2023年還將增長(zhǎng)35%至900萬(wàn)輛,滲透率達(dá)到32.6%。
而汽車電動(dòng)化的發(fā)展也加速對(duì)汽車存儲(chǔ)的需求。美光在9-11月季度中汽車市場(chǎng)收入同比增長(zhǎng)30%,尤其是對(duì)新一代的IVI系統(tǒng)以及更先進(jìn)的駕駛輔助系統(tǒng)等需求的增長(zhǎng),推動(dòng)著2023年汽車存儲(chǔ)市場(chǎng)的強(qiáng)勁增長(zhǎng)。在接下來的五年里,美光也預(yù)計(jì)汽車DRAM和NAND的年復(fù)合增長(zhǎng)率將會(huì)是整體DRAM和NAND市場(chǎng)的兩倍。
五、存儲(chǔ)原廠經(jīng)營(yíng)策略將發(fā)生轉(zhuǎn)變
供需失衡的環(huán)境使得存儲(chǔ)原廠的庫(kù)存水位飆漲。美光9-11月財(cái)季庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)已經(jīng)飆升至214天,首度突破150天的高水位,上個(gè)季度為139天,去年同期為103天。而在DRAM/NAND Flash價(jià)格持續(xù)下跌的市況下,企業(yè)也遭受著利潤(rùn)損失的侵蝕。在面對(duì)庫(kù)存高漲、四季度普遍利潤(rùn)虧損的情形下,基于對(duì)未來大部分市場(chǎng)需求不明朗的預(yù)期,各大原廠也在減少產(chǎn)出、降低投資、放緩技術(shù)升級(jí)等等方面作出了一些相應(yīng)的措施,試圖穩(wěn)定價(jià)格的向下波動(dòng)。
而這些舉措又將如何影響2023年DRAM和NAND Flash的價(jià)格****?敬請(qǐng)關(guān)注完整報(bào)告,獲取相關(guān)信息。
本報(bào)告一共36頁(yè),完整報(bào)告內(nèi)容包括存儲(chǔ)市場(chǎng)價(jià)格變化分析、原廠的經(jīng)營(yíng)策略分析、存儲(chǔ)容量的未來增長(zhǎng)、各應(yīng)用市場(chǎng)的變化與展望、NAND Flash和DRAM的技術(shù)發(fā)展等內(nèi)容。
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