3至5年內(nèi)中國(guó)芯片將沖破美國(guó)限制,應(yīng)用驅(qū)動(dòng)是我們的優(yōu)勢(shì),封裝是彎道超車(chē)的機(jī)會(huì)
在近期的中國(guó)國(guó)際電視臺(tái)(CGTN)專(zhuān)訪(fǎng)中,中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)理事長(zhǎng)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)陳南翔就中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀與未來(lái)展開(kāi)了深入的討論。以下是對(duì)話(huà)的主要內(nèi)容整理:
中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的增長(zhǎng)潛力陳南翔指出,盡管中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)尚未實(shí)現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng),但這一天終將到來(lái)。他預(yù)測(cè),在摩爾定律不再奏效的同時(shí),中國(guó)將受益于新的封裝技術(shù)。憑借在應(yīng)用和封裝技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì),中國(guó)的芯片產(chǎn)業(yè)將在3至5年內(nèi)實(shí)現(xiàn)“爆炸式增長(zhǎng)”,為中國(guó)克服美國(guó)的技術(shù)限制開(kāi)辟道路。
在談到中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)能否追趕上西方時(shí),陳南翔表示,中國(guó)的機(jī)會(huì)在于市場(chǎng)和消費(fèi)者在應(yīng)用上的創(chuàng)新。他提出,由于摩爾定律等技術(shù)路徑依賴(lài)的消失,中國(guó)應(yīng)該采取應(yīng)用驅(qū)動(dòng)的發(fā)展模式,利用中國(guó)市場(chǎng)的獨(dú)特優(yōu)勢(shì),推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
“因?yàn)楝F(xiàn)在是一個(gè)應(yīng)用為王的時(shí)代,此外以前大家注重的都是晶圓制造技術(shù),而在當(dāng)下還需要最新的封裝技術(shù)的加持。比如當(dāng)前火熱的AI芯片都是需要最先進(jìn)的晶圓制造技術(shù)和最先進(jìn)的封裝技術(shù)的?!标惸舷枵f(shuō)。
產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新模式陳南翔回顧了中國(guó)在發(fā)展集成電路過(guò)程中走過(guò)的彎路,本質(zhì)上中國(guó)想要發(fā)展的是一種(芯片)產(chǎn)業(yè),但是在過(guò)去,這一事情是交給大學(xué)、研究院、科學(xué)院來(lái)做,他們把這一研究做的更學(xué)術(shù)性,而中國(guó)現(xiàn)在需要的是一種產(chǎn)業(yè),需要?jiǎng)?chuàng)新的產(chǎn)業(yè)、創(chuàng)新的服務(wù)以及創(chuàng)新的商業(yè)模式,從而轉(zhuǎn)變?yōu)樽罱?jīng)濟(jì)的商業(yè)價(jià)值,這是兩種完全不同的路徑。
他強(qiáng)調(diào)了從學(xué)術(shù)性研究轉(zhuǎn)向產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新、服務(wù)和商業(yè)模式的必要性,認(rèn)為中國(guó)現(xiàn)在需要的是一種能夠轉(zhuǎn)化為經(jīng)濟(jì)商業(yè)價(jià)值的產(chǎn)業(yè)模式。經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的摸索,中國(guó)已經(jīng)明白了什么樣的發(fā)展模式是注定要失敗的,并正在探索一種新的市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)型產(chǎn)業(yè)模式。
談及封裝技術(shù)的重要性,陳南翔認(rèn)為,當(dāng)前三星、英特爾、臺(tái)積電等公司在3納米等技術(shù)節(jié)點(diǎn)上的定義各不相同,缺乏統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)?!耙郧澳柖捎行У臅r(shí)候,在每一個(gè)節(jié)點(diǎn)上,大家都知道三年后如何發(fā)展、六年以后如何發(fā)展。但是在當(dāng)下再問(wèn)大家這一節(jié)點(diǎn)在三年乃至六年后如何發(fā)展,大家很難說(shuō)清楚?!?/span>
在當(dāng)前應(yīng)用為王的時(shí)代,陳南翔認(rèn)為,封裝技術(shù)將成為關(guān)鍵,其重要性或?qū)⒊骄A制造技術(shù)。這種技術(shù)態(tài)勢(shì)的轉(zhuǎn)變對(duì)中國(guó)而言是一個(gè)巨大利好,為中國(guó)實(shí)現(xiàn)“彎道超車(chē)”提供了機(jī)會(huì)。
“動(dòng)蕩且無(wú)序”的時(shí)代到來(lái)陳南翔坦言,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正面臨全國(guó)人民的期待,這增加了行業(yè)的曝光度和對(duì)人才的吸引力。同時(shí),他也提到了來(lái)自媒體和公眾的壓力,希望公眾能夠理性、耐心地看待國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展,“這是一場(chǎng)馬拉松而非短跑競(jìng)賽,希望大家給予足夠的時(shí)間和空間,讓產(chǎn)業(yè)能夠扎實(shí)地構(gòu)建基礎(chǔ),才能展現(xiàn)其實(shí)力?!?/span>
他同時(shí)提到了長(zhǎng)江存儲(chǔ)在面對(duì)美國(guó)制裁時(shí)的困境。在去年10月當(dāng)選為中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)理事長(zhǎng)后,陳南翔就呼吁業(yè)界同舟共濟(jì),攜手應(yīng)對(duì)來(lái)自美國(guó)的科技制裁。他表示,一些國(guó)家出于地緣政治考量,已經(jīng)破壞了芯片半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的全球化體系,現(xiàn)在行業(yè)面臨巨大的不確定性,“再全球化”正在發(fā)生。
陳南翔認(rèn)為,芯片產(chǎn)業(yè)鏈將進(jìn)入“動(dòng)蕩且無(wú)序”的時(shí)刻。不僅沖擊現(xiàn)有的全球供應(yīng)鏈產(chǎn)業(yè)分工,甚至給產(chǎn)業(yè)發(fā)展模式帶來(lái)重大影響。 他提議,如果中國(guó)企業(yè)依法合規(guī)買(mǎi)到的設(shè)備不能交貨或者無(wú)法使用,廠(chǎng)家應(yīng)該設(shè)定一個(gè)時(shí)間回購(gòu)設(shè)備,“我想做個(gè)呼吁,去建設(shè)你們的誠(chéng)信,體現(xiàn)于你們的公平原則。就長(zhǎng)江存儲(chǔ)來(lái)講,依法合規(guī)買(mǎi)回來(lái)的設(shè)備連零件也拿不到。如果是公平的話(huà),應(yīng)該會(huì)設(shè)一個(gè)時(shí)間,把設(shè)備在新的條件下回購(gòu),這樣才公平?!?nbsp;
長(zhǎng)存的反擊此外,陳南翔還提到了長(zhǎng)江存儲(chǔ)對(duì)美光提起的專(zhuān)利侵權(quán)訴訟,指控這家美國(guó)公司侵犯了其11項(xiàng)專(zhuān)利,涉及3D NAND的各個(gè)方面。長(zhǎng)江存儲(chǔ)請(qǐng)求法院下令,要求美光停止在美國(guó)銷(xiāo)售其閃存,并向其支付專(zhuān)利使用費(fèi)。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示,美光的96層(B27A)、128層(B37R)、176層(B47R)和232層(B58R)3D NAND存儲(chǔ)器以及美光的部分DDR5 SDRAM產(chǎn)品(Y2BM系列)侵犯了其在美國(guó)提交的11項(xiàng)專(zhuān)利或?qū)@暾?qǐng),它們涵蓋了3D NAND和DRAM功能的基本方面。
2022年底,美國(guó)商務(wù)部根據(jù)所謂的“證據(jù)”,以威脅其國(guó)家安全為由,將長(zhǎng)江存儲(chǔ)列入了實(shí)體清單,使其不能從美國(guó)獲得128層及以上的3D NAND的晶圓制造設(shè)備和技術(shù)。
這次起訴,并非長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美國(guó)的第一次“反擊”。2023年11月,長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美國(guó)加州北區(qū)地方法院,對(duì)美光及子公司美光消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品事業(yè)部提起訴訟,指控美光侵犯8項(xiàng)與3D NAND Flash相關(guān)的美國(guó)專(zhuān)利。
關(guān)于陳南翔
陳南翔,今年62歲,于2021年5月加入國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片企業(yè)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”,出任長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)、代理CEO。在此之前,陳南翔曾擔(dān)任紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁、華潤(rùn)微電子常務(wù)副董事長(zhǎng)等職務(wù),在華潤(rùn)集團(tuán)工作18年,擁有電子科技大學(xué)半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)工學(xué)學(xué)士、航天711所大規(guī)模集成電路專(zhuān)業(yè)工學(xué)碩士、北京師范大學(xué)低能核物理研究所理學(xué)博士學(xué)位。
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