為了超過競爭對手IBM的fab club(生產(chǎn)線俱樂部) 己經(jīng)實現(xiàn)了它們的之前預(yù)想。

　　它的俱樂部包括ARM、IBM、Samsung、GlobalFoundries及Synopsys，據(jù)報道已能提供基于高k和金屬柵的 32/28nm的工藝及設(shè)計平臺。

　　IBM的fab club包括IBM、Samsung及GlobalFoundries在2008年首先公布32nm工藝。而在去年該俱樂部宣布28nm工藝，都是高k介質(zhì)工藝，由成員單位共同開發(fā)完成。

　　上周三星宣稱，它的代工業(yè)務(wù)已可提供32nm低功耗的高k/金屬柵工藝。

　　三星表示此種工藝己在它位于韓國的Giheung300mm邏輯電路生產(chǎn)線上完成可靠性測試，目前可以提供給客戶進行設(shè)計，并投產(chǎn)。

　　對于28nm低功耗工藝已在Global Foundries完成factory qualified(工廠驗證) 及三星于2011年Q1也相繼完成。

　　三星在高k/金屬柵工藝方面已走在全球商業(yè)化的領(lǐng)先地位，而Global Foundries表示它將放棄32nm而直接進入28nm。

　　IBM的32/28nm綜合解決方案包括ARM的物理IP及Synopsys的EDA設(shè)計流程。平臺進一步推動ARM的Cortex技術(shù)進步，同樣可用Galaxy和其它EDA工具來利用Synopsys的Lynx設(shè)計系統(tǒng)。對于32/28nm設(shè)計，從RTL至GDSII的執(zhí)行方案減少風(fēng)險及總的設(shè)計成本。

　　對于大部分領(lǐng)先的芯片制造商都希望早日使用高k介質(zhì)工藝，但是大部分制造商發(fā)現(xiàn)工藝非常困難。英特爾是例外，它們采用后柵的高k工藝，己能提供 45/32nm工藝。

　　由此，IBM 的fab club己走在臺灣競爭對手的前頭。TSMC居全球代工首位，它們希望在今年9月底能導(dǎo)入高功能的高k金屬柵工藝。到12月時，TSMC認為能提供高功能 /低功耗的高k金屬柵的28nm工藝。

　　另一家代工商聯(lián)電也宣稱將提供高k工藝。