三星和東芝今天共同宣布，雙方將協(xié)力支持新一代高性能NAND閃存技術(shù)：擁有400Mbps接口的DDR NAND閃存，即toggle DDR 2.0規(guī)范。兩家公司將支持這一規(guī)范成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，被業(yè)界廣泛接受使用。

　　最初的SDR NAND閃存架構(gòu)接口速度僅為40Mbps，現(xiàn)行的DDR 1.0標(biāo)準(zhǔn)將接口帶寬提高到了133Mbps。三星和東芝推動(dòng)的toggle DDR 2.0規(guī)范則進(jìn)一步提升到400Mbps，是DDR 1.0的3倍，普通SDR NAND閃存的10倍。

　　高速閃存接口的優(yōu)勢(shì)不言而喻，未來將主要用于移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子產(chǎn)品以及固態(tài)硬盤等領(lǐng)域，大大提升存儲(chǔ)性能。三星和東芝表示，上個(gè)月他們已經(jīng)開始通過JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)推動(dòng)toggle DDR 2.0技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化。