b觸點(diǎn)型PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器就是通過配備這種耗盡型功率MOSFET而實(shí)現(xiàn)的產(chǎn)品。對傳統(tǒng)的a觸點(diǎn)型PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器(AQV214)和b 觸點(diǎn)型PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器(AQV414)做一比較，可看出絕對最大額定值及其他性能均無大異。因此，可通過組合兩種產(chǎn)品來構(gòu)成電路，使其在更廣泛的領(lǐng)域得以運(yùn)用。

　　PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的種類及區(qū)別使用

　　如表1所示，PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器分為8大類，根據(jù)各類產(chǎn)品的特長可用于不同的領(lǐng)域。

　　小結(jié)

　　綜上所述，PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器不僅摒棄了傳統(tǒng)的機(jī)械型繼電器所負(fù)載的“靈敏度差”、“發(fā)出運(yùn)作聲響”、“因開閉造成產(chǎn)品壽命有限”等缺陷，而且還具有一般的SSD可控硅輸出光電耦合器所不具備的高電壓控制、低導(dǎo)通電阻、b觸點(diǎn)回路、AD/DC兼用通電、低漏電流等卓越的特性，再加上其能被用于電信、通信設(shè)備、OA設(shè)備、自動檢針、防盜·防災(zāi)設(shè)備、ME設(shè)備、測量儀器等廣泛領(lǐng)域，因此PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器在今后的高速發(fā)展將令人拭目以待!