b觸點型“PhotoMOS”的開發(fā)

　　隨著PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢被廣泛了解，人們將其用于信息通信設(shè)備、OA設(shè)備、FA設(shè)備及其他廣泛的領(lǐng)域。為了滿足大眾進一步的需求，本公司開發(fā)出了“可通過機械實現(xiàn)、并擁有所有觸點構(gòu)成(b觸點、c觸點)”的PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器。

　　為實現(xiàn)該產(chǎn)品的開發(fā)，我們在功率MOSFET制造工藝中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Doping Method)且高耐壓、低導(dǎo)通電阻的耗盡型功率MOSFET。

　　這種DSD法是在以往生產(chǎn)增強型功率MOSFET時所使用的雙重擴散法中，增加了可選擇性地將雜質(zhì)部分擴散的技術(shù)，且該方法在補償溝道雜質(zhì)濃度的同時，形成與基板濃度相同的低濃度的淺層。圖1為兩者賽璐珞部分截面構(gòu)造圖的比較。

　　如圖2所示，該功率MOSFET在柵極電壓為0且為低導(dǎo)通電阻(Typ.18Ω)時，可保持良好的導(dǎo)通狀態(tài)，但是一旦在柵極施加微小的附加電壓，即會呈現(xiàn)出高耐壓(400V以上)的高絕緣性(低漏電流：1μA以下)(如圖3所示)。

　　這種高耐壓、低導(dǎo)通電阻性能原本為二律背反關(guān)系，故在傳統(tǒng)的增強型功率MOSFET中就已經(jīng)需要高度的技術(shù)水平，因此該性能在耗盡型功率MOSFET中能夠得以實現(xiàn)可以說是具有了劃時代意義。