受惠于智能型手機、平板計算機等行動運算裝置銷售暢旺，帶動晶圓代工45/40納米制程需求，臺積電、聯(lián)電及Global Foundries皆擴大45/40納米制程產(chǎn)能，中芯國際也加緊腳步，預計于2011年下半加入戰(zhàn)局，讓競爭更加激烈。

　　中芯先進制程技術布局積極，2011年預計將再投入10億美元資本支出建置先進制程產(chǎn)能。執(zhí)行長王寧國表示，近期65/55納米技術將會繼續(xù)放量，且2011年底前45/40納米技術將會量產(chǎn)。

　　中芯首席財務官曾宗琳表示，因為中芯尋求加強其資產(chǎn)結構，該公司將尋求替代資金。不過曾宗琳也強調(diào)，中芯2010年的資本支出超過了7億美元，即便不獲得額外的資金，中芯在2011年仍然能夠完成10億美元的資本支出。

　　中芯積極建構40納米生產(chǎn)平臺，透過與供應鏈伙伴進一步拓展合作協(xié)議，另一方面也積極開發(fā)客戶，并協(xié)助既有客戶轉(zhuǎn)換至40納米平臺，以期能加速40納米在2011年下半順利量產(chǎn)，進一步縮短與臺積電、聯(lián)電的競爭差距。

　　中芯2010年由虧轉(zhuǎn)盈，過去代管的武漢新芯晶圓廠，也順利在武漢市政府注資下正式入主，未來將主要生產(chǎn)65、40納米制程，在合資后的3年內(nèi)，達成月產(chǎn)能4.5萬片的目標，提升整體產(chǎn)能。

　　此外，中芯也宣布投資IC設計服務廠燦芯半導體，目前中芯與燦芯也已著手為客戶進行40納米芯片的設計。

　　待中芯納米級制程更加成熟，除大陸本土IC設計客戶外，IDM廠也恐擴大投片中芯，對臺積電與聯(lián)電在大陸的布局造成威脅。

　　不過，臺系晶圓代工廠亦積極提升先進制程能力，為擴充40納米與28納米產(chǎn)能，聯(lián)電2011年資本支出將達約18億美元，與2010年相當，聯(lián)電預估，2011年12寸產(chǎn)能將增加25%，65納米制程全年營收比重將提升至40%左右，40納米制程下半年將提升到10%，顯現(xiàn)聯(lián)電在先進制程進展快速。

　　至于在臺積電方面，臺積電2010年第4季65納米以下先進制程技術比重達52%;其中，65納米制程比重為31%，40納米制程比重約21%，合計65納米以下制程比重已超過一半。