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          瑞薩電子推出三款低損耗碳化硅功率器件

          —— 三款產(chǎn)品在單一封裝中集成電源轉(zhuǎn)換電路
          作者: 時間:2012-02-10 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            全球領(lǐng)先的高級半導體和解決方案的供應(yīng)商株式會社(以下簡稱“”)宣布推出三款碳化硅()復合,它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結(jié)合了多個碳化硅二極管和多個功率晶體管,組成電源轉(zhuǎn)換電路。這些推出的采用碳化硅的第二個功率半導體產(chǎn)品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新旨在用于家電(如空調(diào))、PC服務(wù)器和太陽能發(fā)電系統(tǒng)等電力電子產(chǎn)品。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/128807.htm

            

           

            最近,為了應(yīng)對環(huán)保問題,降低電氣設(shè)備功耗,提高電氣產(chǎn)品效率的需求不斷提高。特別是提高電源轉(zhuǎn)換效率,以降低空調(diào)、通信基站、PC服務(wù)器和太陽能發(fā)電系統(tǒng)等產(chǎn)品的電源轉(zhuǎn)換電路的功耗,以及電機和工業(yè)設(shè)備等應(yīng)用的逆變電路的功耗的趨勢日漸增強。這刺激了對具備更高效率和更低損耗特性的功率器件的巨大需求。為此,瑞薩電子推出了低損耗碳化硅肖特基勢壘二極管(-SBD)產(chǎn)品。緊隨其后推出的是全新碳化硅復合功率器件系列,這可通過結(jié)合-SBD和大功率MOSFET或IGBT在單一封裝中實現(xiàn)電路(開關(guān)、電源轉(zhuǎn)換等)設(shè)計。

            這些新產(chǎn)品的額定峰值電壓為600 V,并使用基于日立株式會社與瑞薩電子聯(lián)手開發(fā)的低漏電流SiC-SBD技術(shù)的碳化硅二極管。它們將低損耗與緊湊設(shè)計加以完美結(jié)合,并采用5針TO-3P封裝,而引腳分配則針對具體應(yīng)用進行了優(yōu)化,因而很容易在配置電路單元時使用這些器件。

            三款全新SiC功率器件的主要特性:

            (1) 面向臨界導通模式PFC應(yīng)用的RJQ6020DPM器件

            RJQ6020DPM器件在單一封裝中融合了一個SiC-SBD和兩個高壓功率MOSFET,適用于空調(diào)或平板電視電源開關(guān)電路等臨界導通模式PFC應(yīng)用。

            SiC-SBD的反向恢復時間(trr)僅為15納秒(ns),高壓功率MOSFET是采用深溝槽配置實現(xiàn)100 m?低導通電阻的高效超結(jié)(SJ-MOS)晶體管。

            全新RJQ6020DPM器件也可與瑞薩電子提供的R2A20112A/132臨界導通模式PFC-IC結(jié)合應(yīng)用,因而很容易實現(xiàn)交錯控制。

            (2) 面向連續(xù)導通模式PFC應(yīng)用的RJQ6021DPM器件

            RJQ6021DPM器件在單一封裝中結(jié)合了一個SiC-SBD和兩個IGBT,適用于通信設(shè)備和PC服務(wù)器中的AC/DC整流器等PFC應(yīng)用。

            SiC-SBD的反向恢復時間(trr)僅15納秒(ns),超薄晶圓IGBT可提供1.5 V的低導通電壓,這適用于連續(xù)導通模式PFC應(yīng)用。

            全新RJQ6021DPM器件也可于瑞薩電子推出的R2A20114A連續(xù)導通模式PFC-IC結(jié)合應(yīng)用,因而很容易實現(xiàn)交錯控制。

            (3) 面向半橋式逆變電路的RJQ6022DPM器件

            RJQ6022DPM器件在單一封裝中結(jié)合了兩個SiC-SBD和兩個IGBT,適用于空調(diào)和工業(yè)機械中電機驅(qū)動半橋式逆變電路應(yīng)用。

            SiC-SBD的反向恢復時間(trr)僅15納秒(ns),超薄晶圓IGBT可提供1.5 V的低導通電壓和6微秒(μsec.)的短路時間(tsc),這適用于電機驅(qū)動應(yīng)用。

            一個RJQ6022DPM器件足以實現(xiàn)一個半橋式電路設(shè)計,而兩個則可以用于實現(xiàn)全橋配置,三個可用于實現(xiàn)三相橋電路設(shè)計。除簡化電機驅(qū)動電路的設(shè)計外,RJQ6022DPM器件將作為套件解決方案的一部分,與RX600系列等瑞薩微控制器一起提供。

            聚焦全新系列的高壓碳化硅復合功率器件,其開發(fā)是為了帶給客戶由微控制器及模擬和功率器件組成的整體解決方案,同時讓瑞薩電子躋身全球功率器件領(lǐng)袖行列。瑞薩電子計劃推出將全新碳化硅復合功率器件與微控制器、電源控制IC及其他器件相結(jié)合的套件解決方案。目前正在規(guī)劃裝有全新碳化硅復合功率器件、PFC-IC、RX600系列微控制器等的參考板,幫助客戶進行套件評估和產(chǎn)品設(shè)計。



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