近日，Cadence宣布，運用IBM FinFET制程技術所設計的 ARM Cortex-M0 處理器14nm測試晶片已投入試產。成功投產14nmSOI FinFET 技術歸功于三家廠商攜手建立的生態(tài)體系，在以 FinFET 為基礎的 14nm設計流程中，克服從設計到制造的各種新挑戰(zhàn)。

　　14nm生態(tài)系統(tǒng)與晶片是ARM、Cadence與IBM合作在14nm以上的先進制程開發(fā)系統(tǒng)晶片(SoCs)之多年期協(xié)議的重大里程碑。運用FinFET技術的14nm設計SoC實現(xiàn)了大幅減少耗電的承諾。

　　“這個晶片代表著先進制程技術的重大里程碑，這是三家公司的專家們通力協(xié)作的成果。”Cadence益華電腦晶片實現(xiàn)事業(yè)群資深副總裁徐季平表示：“FinFET設計為設計社群提供了重大的優(yōu)勢，但也需要先進晶圓廠、IP與EDA技術的支持，以克服可觀的挑戰(zhàn)。Cadence、IBM與ARM通力合作克服了這些挑戰(zhàn)，也為各種生產設計而發(fā)展出能夠支援14nmFinFET開發(fā)的生態(tài)系統(tǒng)。”

　　這個晶片之所以開發(fā)，是為了要驗證14nm設計專屬基礎IP的建構基塊。除了ARM處理器、SRAM記憶體區(qū)塊之外，還包含了其他區(qū)塊，為以FinFET為基礎的ARM Artisan實體IP的基礎IP開發(fā)工作提供不可或缺的特性資料。

　　每當SoC往更小的面積進行設計時，就會帶來新的挑戰(zhàn)，這些挑戰(zhàn)需要SoC設計產業(yè)鏈中的領導廠商通力合作，一起來解決。”ARM副總裁暨實體IP事業(yè)部總經理Dipesh Patel表示：“在14nm的設計上，多數(shù)的挑戰(zhàn)來自于FinFET技術，而我們與Cadence和IBM的合作就是專注于實現(xiàn)14nmFinFET技術在設計與經濟成本上的可行性，克服這些挑戰(zhàn)。」

　　ARM設計工程師們運用建立在IBM的絕緣層上覆矽(silicon-on-insulator，SOI)技術之上的14nmFinFET技術的ARM Cortex-M0處理器，提供最佳的效能/功耗組合。采用周延的14nm雙重曝光與FinFET支援方法，搭配使用Cadence技術的工程人員來設計FinFET 3D電晶體晶片。

　　“這次14nm測試晶片試產是我們在SOI上運用內建的電介質隔離功能，而在FinFET取得的重大進展。”IBM半導體研發(fā)中心副總裁Gary Patton表示：“事實上，Cadence與ARM在設計解決方案上協(xié)同作業(yè)，將這個以IBM的FinFET技術為基礎的測試晶片投入試產。我們仍將繼續(xù)合作，在14nm以上兌現(xiàn)全空乏型(fully depleted) SOI FinFET裝置的卓越功耗、效能與變異性控制的承諾。”

　　為了成功，工程師們必須要有14nm與FinFET規(guī)則臺(rule decks)以及更佳的時序分析的支援。這個晶片是運用Cadence Encounter Digital Implementation (EDI)系統(tǒng)而設計實現(xiàn)的，具備運用Cadence Virtuoso工具而設計的ARM 8-track 14nmFinFET標準單元庫。EDI系統(tǒng)提供按照以FinFET為基礎的14nmDRC規(guī)則執(zhí)行設計實現(xiàn)所需的先進數(shù)位功能，并納入全新GigaOpt最佳化技術，享受FinFET技術所提供的功耗與效能優(yōu)勢。此外，這個解決方案也運用通過生產驗正的雙重曝光更正設計實現(xiàn)功能。Encounter Power System、Encounter Timing System與Cadence QRC Extraction提供支援14nmFinFET結構的14nm時序與電源signoff功能。