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          Vishay發(fā)布用于功率MOSFET的免費在線仿真工具

          —— 更強大的在線熱仿真工具讓使用者能夠定義更多的真實條件,同時用戶使用更加友好
          作者: 時間:2013-03-06 來源:電子產品世界 收藏

            日前, Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出用于功率、microBUCK® 功率IC和產品的免費在線熱仿真工具ThermaSim 3.0版。為精確分析仿真的溫度曲線,功能強大的最新版本ThermaSim引入了很多關鍵特性,比如裸片溫度對功率耗散的時間縮放功能,定義更多的真實條件以提高仿真精度和設計靈活性,減輕對用戶使用經驗的要求。  

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/142769.htm

             其他熱仿真工具只能進行封裝級的仿真,而ThermaSim使用有限元分析(FEA)技術來提高精度。這款免費在線工具在高電流、高溫應用中特別有用,例如汽車、固網通信、桌面和筆記本電腦,以及工業(yè)系統(tǒng)。最新版本的仿真工具還非常適合裕量小的設計,以及會受UIS(未鉗位的電感開關)和汽車拋負載等瞬態(tài)情況影響的應用。

            ThermaSim可幫助設計者在產品原型前對 Siliconix的功率、IC和產品進行詳盡的熱仿真,從而縮短上市時間。對于高可信設計,ThermaSim 3.0在很多方面提供了大量新的和改進的功能,并包括以下內容:

            瞬態(tài)熱仿真(僅對):

            對仿真的功率耗散數(shù)據(jù)進行時間縮放(最大1000級),提高設計可靠性。這種方法可以在仿真曲線的時間段上的多個位置進行縮放,對高功率脈沖(kW級)及持續(xù)時間短(≥1ns)的情況特別有用。此外,工具能夠以最初MOSFET裸片面積的10%、15%或25%作為散熱區(qū),以便對低柵極驅動和漏源電壓尖峰等情況進行更好的分析。

            改善用戶體驗:

            為節(jié)省時間和消除可能的數(shù)據(jù)錄入錯誤,ThermaSim 3.0允許用戶上傳Excel®格式的功率曲線數(shù)據(jù)包,可根據(jù)需要的次數(shù)反復上傳數(shù)據(jù)包,當需要的時候用戶之間可交換仿真結果和整個設計的副本。另外,強大的工具用圖形顯示的方式在PCB上擺放元器件。

            根據(jù)“真實條件”進行仿真:

            用戶甚至可以定義更多的條件,包括在頂層和底層PCB板上的銅擴散,焊錫厚度,焊點質量,氣隙,膠/隔離層的厚度,以及在PCB上或PCB外的導線端接。

            高效仿真:

            異步重新加載和web接口(Ajax),以及負載均衡和高網格解析度,能更快得到仿真結果。



          關鍵詞: Vishay MOSFET DrMOS

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