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          東芝針對移動設備的高電流充電電路將推出超緊湊型MOSFET

          作者: 時間:2013-08-27 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            高功耗封裝陣容擴大

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/164325.htm

            東京—公司(TOKYO:6502)日前宣布,該公司已經(jīng)為和平板電腦等的高電流充電電路的開關推出了超緊湊型,包括兩種電池。

            隨著更多功能添加至和手機、平板電腦和筆記本電腦等以及對它們的電池提出更多要求,公司不斷顯著增加充電電流來縮短充電時間,以提高電荷密度和改善用戶體驗。新的超緊湊型“SSM6J781G”和“SSM6J771G”是高功耗封裝的高電流陣容的最新成員。即日起開始批量生產(chǎn)和出貨。

            應用

            和手機、平板電腦和筆記本電腦等的高電流充電開關。

            推薦電路

            高端開關(P溝道)
            結(jié)合升壓控制LSI的高端開關(N溝道)
            低端電池保護的控制開關(N溝道)

            主要特性

            ♦ 高電流
            ♦ 低導通電阻
            ♦ 低電容
            ♦ 小型封裝(1.5 x 1.0mm;WCSP6C)
            ♦ 高功耗

            主要規(guī)格

          N溝道
          產(chǎn)品型號 VDSS
          (V)
          VGSS
          (V)
          ID(DC)
          (A)
          RDS(ON)典型值(mΩ) PD
          (W)
          VGS=2.5V VGS=-4.5V
          SSM6K781G 12 ±8 7 17.9 14.4 1.2
          P溝道MOSFET
          產(chǎn)品型號 VDSS
          (V)
          VGSS
          (V)
          ID(DC)
          (A)
          RDS(ON)典型值(mΩ) PD
          (W)
          VGS = -4.5V VGS = -8.55V
          SSM6J771G -20 ±12 -5 26 23 1.2



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