作為原邊MOSFET時，IRF1312能用于高達(dá)60V最大輸入電壓，因此最適用于36V至60V及48V穩(wěn)壓輸入母線隔離式直流-直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的半橋或全橋結(jié)構(gòu)。與同類75V MOSFET相比，其80V額定電壓提供額外6% 的防護(hù)帶，使設(shè)計更加堅固耐用。

IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富先生表示：“很多用于原邊應(yīng)用的設(shè)計需要器件額定值降低至75%?，F(xiàn)有的額定電壓75V MOSFET在此要求下，只能支持輸入電壓最大為56V的系統(tǒng)。全新IRF1312 80V MOSFET可實現(xiàn)高達(dá)60V應(yīng)用時的減額要求，因此能為36V至60V總線應(yīng)用確保高可靠性，迎合電信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)的要求。”

作為付邊MOSFET時，IRF1312能在12V應(yīng)用中提供比標(biāo)準(zhǔn)75V MOSFET高出0.4% 的效率，可用于最大輸出電壓達(dá)15V的付邊電路。

全新MOSFET的柵電荷極低，可降低開關(guān)損耗。通態(tài)電阻也較低，能將傳導(dǎo)損耗降至最低。該器件設(shè)有TO-220AB、D2Pak及TO-262封裝。

全新IRF1312、IRF1312S及IRF1312L器件現(xiàn)已投入供應(yīng)，基本規(guī)格下：

產(chǎn)品型號 IRF1312 IRF1312S IRF1312L

封裝 TO-220ABD2PakTO-262

VDSS 80V

10Vgs下最大通態(tài)電阻RDSon 10mOhm

典型Qg值 93nC

典型Qgd值 34nC