引言

典型應(yīng)用中，通過串口向LED驅(qū)動(dòng)器發(fā)送指令改變相應(yīng)LED的寄存器值進(jìn)行亮度調(diào)節(jié)。用于亮度控制的數(shù)據(jù)通常為4位至8位，對(duì)應(yīng)于16至256個(gè)亮度等級(jí);有些Maxim的LED驅(qū)動(dòng)器的亮度控制則通過調(diào)整漏極開路LED端口的恒定吸入電流大小來實(shí)現(xiàn)。

該應(yīng)用筆記討論如何在LED恒流驅(qū)動(dòng)器上加入PWM亮度調(diào)節(jié)，通過控制LED電源的通、斷調(diào)節(jié)亮度。也可以通過刷新數(shù)據(jù)位仿真外部PWM亮度控制。內(nèi)置PWM的LED驅(qū)動(dòng)器也可以通過外部PWM實(shí)現(xiàn)亮度調(diào)節(jié)，只要PWM信號(hào)的外部時(shí)鐘可以同步。

PWM仿真

按照一定周期向LED驅(qū)動(dòng)器發(fā)送開/關(guān)控制信號(hào)，可以仿真PWM亮度調(diào)節(jié)的效果。因?yàn)長(zhǎng)ED數(shù)據(jù)接口的傳輸速率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于PWM信號(hào)的頻率，可以使用微控制器或FPGA (現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列)很容易地仿真PWM調(diào)光方式。PWM開關(guān)頻率、數(shù)據(jù)傳輸?shù)臅r(shí)鐘頻率和PWM亮度等級(jí)之間的關(guān)系如式1所示：

其中，fCLOCK為數(shù)據(jù)接口的時(shí)鐘頻率，fPWM為PWM頻率，nPORT為控制端口數(shù)，nLEVEL為亮度等級(jí)。

在該項(xiàng)技術(shù)中，PWM仿真數(shù)據(jù)由控制器連續(xù)發(fā)送到LED的每個(gè)端口，每個(gè)端口1位。所有端口更新一次即為PWM的一個(gè)臺(tái)階。從索引值1開始重復(fù)仿真PWM臺(tái)階，直至索引值等于設(shè)定的亮度等級(jí)，形成一個(gè)PWM周期。例如，如果亮度等級(jí)為256，每個(gè)端口刷新數(shù)據(jù)256次構(gòu)成一個(gè)PWM周期。如果對(duì)應(yīng)端口的亮度等級(jí)高于PWM仿真臺(tái)階的索引值，數(shù)據(jù)為1;否則數(shù)據(jù)為零。只要LED保持點(diǎn)亮狀態(tài)，則始終重復(fù)PWM仿真周期。

該P(yáng)WM仿真控制可以由下列C程序?qū)崿F(xiàn)：

PWM仿真技術(shù)適用于MAX6968和MAX6969。MAX6968為8端口LED恒流驅(qū)動(dòng)器，數(shù)據(jù)接口傳輸速率可達(dá)25Mbps;MAX6969是MAX6968的16端口版本。利用這一方法可以實(shí)現(xiàn)16位或65，536級(jí)亮度控制，MAX6968的PWM頻率可以設(shè)置在47Hz，MAX6969的PWM頻率可以設(shè)置在24Hz。如果只要求12位的亮度控制分辨率，對(duì)應(yīng)的PWM頻率可以分別設(shè)置在752Hz和376Hz。PWM仿真技術(shù)無(wú)需對(duì)電路進(jìn)行任何修改即可實(shí)現(xiàn)每個(gè)驅(qū)動(dòng)口的亮度控制。

LED電源的開關(guān)控制

通過對(duì)LED電源進(jìn)行開、關(guān)控制也可以實(shí)現(xiàn)LED的PWM亮度調(diào)節(jié)。圖1所示電路利用PWM控制電源為L(zhǎng)ED提供額外的亮度調(diào)節(jié)。微處理器向LED驅(qū)動(dòng)器發(fā)送I²C命令產(chǎn)生PWM信號(hào)，PWM波形可以由軟件控制。這種方式適用于具有恒流LED端口，但沒有內(nèi)部亮度調(diào)節(jié)功能的MAX6969，以及帶有可調(diào)節(jié)恒流LED端口的MAX6956。該方案通過一個(gè)晶體管控制PWM信號(hào)的占空比，達(dá)到亮度調(diào)節(jié)的目的。LED亮度可由微處理器通過LED驅(qū)動(dòng)器間接地控制，也可以由晶體管直接控制。以MAX6956為例，恒流驅(qū)動(dòng)與PWM占空比調(diào)節(jié)相結(jié)合，無(wú)需任何其它電路介入。

圖1. 采用PWM控制LED電源實(shí)現(xiàn)亮度調(diào)節(jié)

圖2所示電路采用MOSFET晶體管作為開關(guān)器件，有助于提高效率。

圖2. 功率MOSFET作為開關(guān)器件

利用下式計(jì)算外部晶體管的功耗：

其中，tRISE為晶體管的上升時(shí)間，tFALL為晶體管的下降時(shí)間，T為PWM周期，tON/T為PWM亮度等級(jí)，I為L(zhǎng)ED總電流，RON為晶體管的導(dǎo)通電阻。