驅(qū)動器 文章 進(jìn)入驅(qū)動器技術(shù)社區(qū)
滿足嚴(yán)格效率和性能規(guī)格且小尺寸的電源，需要搭配什么樣的控制器？
- 高性能通信、服務(wù)器和計算系統(tǒng)中的ASIC、FPGA和處理器需要使用能直接從12 V或中間總線生成1.0 V（或更低）電壓的核心電源——最大負(fù)載電流有時候可能高于200 A。這些電源必須滿足嚴(yán)格的效率和性能規(guī)格，且通常具備相對較小的PCB尺寸。LTC7852/LTC7852-1 6相雙輸出降壓控制器為這些電源提供高性能的靈活解決方案。LTC7852/LTC7852-1旨在實現(xiàn)高效率，LTC7852每個相都不使用內(nèi)部柵級驅(qū)動器，且都可以生成一個與電源模塊、DrMOS，或外部柵極驅(qū)動器和分立式MOSFET連接的
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瑞薩三合一驅(qū)動單元方案，助力電動車輕盈啟航
- 如今，電動汽車驅(qū)動器正在從傳統(tǒng)的分布式系統(tǒng)過渡到集中式架構(gòu)。在傳統(tǒng)的電動汽車設(shè)計中，逆變器、車載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器等關(guān)鍵部件往往采用分布式布局，各自獨(dú)立工作，通過復(fù)雜的線束相互連接。這種設(shè)計方式不僅繁雜笨重，且維護(hù)起來也異常復(fù)雜。在這種情況下，X-in-1技術(shù)應(yīng)用而生。X-in-1技術(shù)是一種動力傳動系統(tǒng)的集成技術(shù)，?旨在將多個動力傳動組件集成到單一的系統(tǒng)中，?以提高整體性能、?減少體積和重量。?基于X-in-1技術(shù)，瑞薩推出三合一電動汽車單元解決方案，該方案將多個分布式系統(tǒng)集成到一個實體中，包括車載
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以爆管和接觸器驅(qū)動器提高HEV/EV電池斷開系統(tǒng)安全性
- 混合動力電動車（HEV）與電動車（EV）的電池管理系統(tǒng)（BMS）配電可為車輛核心功能提供電力，同時也提供安全中斷高電壓或高電流事件的機(jī)制。配電系統(tǒng)的兩個核心組件，高電壓繼電器和斷開保險絲，因支持更高電壓、電流、效率和可靠性的需求與日俱增，使得設(shè)計挑戰(zhàn)更高。圖一顯示了高壓繼電器和斷開保險絲的概述。 圖一 : 蓄電池斷開保險絲和 BMS 配電中的高壓繼電器不可復(fù)位的蓄電池斷開保險絲在緊急情況下啟動，以斷開蓄電池與車輛其他部分之間的連接。在正常運(yùn)作期間，高電壓繼電器（也稱為接觸器）連接并斷開整個 HE
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意法半導(dǎo)體隔離柵極驅(qū)動器：碳化硅MOSFET安全控制的優(yōu)化解決方案和完美應(yīng)用伴侶
- 意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。這些驅(qū)動器具有集成的高壓半橋、單個和多個低壓柵極驅(qū)動器，非常適合各種應(yīng)用。在確保安全控制方面，STGAP系列隔離柵極驅(qū)動器作為優(yōu)選解決方案，在輸入部分和被驅(qū)動的MOSFET或IGBT之間提供電氣隔離，確保無縫集成和優(yōu)質(zhì)性能。選擇正確的柵極驅(qū)動器對于實現(xiàn)最佳功率轉(zhuǎn)換效率非常重要。隨著SiC技術(shù)得到廣泛采用，對可靠安全的控制解決方案的需求比以往任何時候都更高，而ST的STGAP系列電氣隔離柵極驅(qū)
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大功率電機(jī)驅(qū)動器應(yīng)用的系統(tǒng)設(shè)計注意事項
- 摘要維持較高額定功率的電機(jī)應(yīng)用引入了低功率應(yīng)用中不需要的設(shè)計注意事項。通過查看功率級的解剖結(jié)構(gòu)，我們可以開發(fā)故障排除指南、外部電路庫、TI 驅(qū)動器產(chǎn)品特性或布局技術(shù)，以應(yīng)對更大功率系統(tǒng)的易失性問題。1 大功率電機(jī)應(yīng)用簡介大功率電機(jī)應(yīng)用范圍廣泛，從數(shù)百瓦的低壓系統(tǒng)（例如 12V 汽車電動座椅）到數(shù)千瓦系統(tǒng)（例如 60V 和 100A 電動工具）。通常，這些系統(tǒng)使用基于分流器的電流檢測和控制大功率 MOSFET 的非隔離柵極驅(qū)動器。雖然這些應(yīng)用可以由電池或轉(zhuǎn)換為直流的網(wǎng)格化交流電源供電，但它們都有一個共同的目
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模擬和數(shù)字技術(shù)交匯之處——智能邊緣
- 為了增強(qiáng)邊緣智能，機(jī)電執(zhí)行器需要智能和高度集成的驅(qū)動器解決方案。這些智能邊緣設(shè)備融合了執(zhí)行器和傳感器功能，支持在機(jī)器層面更好地進(jìn)行實時決策，并向更高的控制層級、云或AI生產(chǎn)力解決方案提供原位反饋信息。本文討論了模擬和數(shù)字技術(shù)交匯之處——智能邊緣的智能驅(qū)動器解決方案和技術(shù)。在尋求增強(qiáng)邊緣智能的過程中，機(jī)電執(zhí)行器等物理邊緣設(shè)備需要更多智能，才能獲得更好的機(jī)器實時決策等優(yōu)勢。這些執(zhí)行器提供智能、有價值和豐富的傳感器式反饋。此類邊緣設(shè)備是工業(yè)4.0及更高階段的關(guān)鍵。它們控制機(jī)器人，操縱工廠流程并使之自動化，將數(shù)字
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電機(jī)驅(qū)動器的電壓基準(zhǔn)解決方案
- 引言精密信號鏈對電機(jī)驅(qū)動器來說非常重要，因為電機(jī)驅(qū)動器利用精密信號鏈來測量電機(jī)速度、位置、扭矩和電源軌，從而確保高性能系統(tǒng)的穩(wěn)健性和效率。這一點適用于所有電機(jī)系統(tǒng)，例如伺服驅(qū)動器、交流逆變器和速度受控型 BLDC 驅(qū)動器，因為這些器件都具有電壓/電流感測、SIN/COS AFE 和模擬 I/O 等常見子系統(tǒng)。外部電壓基準(zhǔn) 有助于更大限度地提高模擬信號鏈的分辨率和精度，從而優(yōu)化驅(qū)動性能和效率。電機(jī)驅(qū)動基礎(chǔ)知識圖 1. 電機(jī)功率級示例所有電機(jī)驅(qū)動器都需要電機(jī)功率級來為電機(jī)供電并控制電機(jī)，但由于功耗較高，因此可
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onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驅(qū)動IC 應(yīng)用于工業(yè)馬達(dá)控制器
- 1.方案介紹:NCD57000 是一種具有內(nèi)部電流隔離的高電流單通道驅(qū)動器，專為高功率應(yīng)用的高系統(tǒng)效率和高可靠性而設(shè)計。其特性包括互補(bǔ)的輸入端（IN+ 和 IN-）、漏極開路或故障偵測功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護(hù)能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 時的軟關(guān)斷以及獨(dú)立的高低驅(qū)動器輸出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系統(tǒng)設(shè)計及開發(fā)。 NCD57000 可在輸入側(cè)提供 5
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230V LED驅(qū)動器
- 在這個項目中，我們設(shè)計了一個簡單的 230V LED 驅(qū)動器電路，它可以直接從電源驅(qū)動 LED。LED 是一種特殊的二極管，用作光電設(shè)備。與 PN 結(jié)二極管一樣，它在正向偏壓時導(dǎo)通。不過，這種器件的一個特點是能夠在電磁波譜的可見光波段（即可見光）中發(fā)射能量。驅(qū)動 LED 的主要問題是提供幾乎恒定的電流輸入。通常情況下，LED 是通過電池或微控制器等控制設(shè)備來驅(qū)動的。然而，這些設(shè)備都有各自的缺點，例如電池壽命短等。一種可行的方法是使用交流直流電源驅(qū)動 LED。雖然使用變壓器的交流直流電源相當(dāng)流行和廣泛，但對
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Transphorm推出SuperGaN FET低成本驅(qū)動器方案
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統(tǒng)的未來, 氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發(fā)布了一款高性能、低成本的驅(qū)動器解決方案。這款設(shè)計方案面向中低功率的應(yīng)用，適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦，加強(qiáng)了公司在這個30億美元電力市場客戶的價值主張。 不同于同類競爭的 e-mode GaN 解決方案需要采用定制驅(qū)動器或柵極保護(hù)器件的電平移位電路，Transphorm 的 SuperG
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提升馬達(dá)控制驅(qū)動器整合度、最大化靈活性
- 本文敘述三相永磁無刷直流（BLDC）馬達(dá)的工作原理，并介紹兩種換向方法在復(fù)雜性、力矩波動和效率方面的特點、優(yōu)點和缺點；同時提出一種創(chuàng)新的BLDC換向方法，以及馬達(dá)控制器IC在三種換向方法的作用。與傳統(tǒng)的有刷直流馬達(dá)的機(jī)械自換向不同，三相永磁無刷直流（Brushless DC ；BLDC）馬達(dá)控制需要一個電子換向電路。本文簡要回顧BLDC馬達(dá)的工作原理，并介紹兩種最廣泛使用的換向方法在復(fù)雜性、力矩波動和效率方面的特點、優(yōu)點和缺點；然后提出一種創(chuàng)新的BLDC換向方法，并探討安森美（onsemi）的新款馬達(dá)控制
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幾個氮化鎵GaN驅(qū)動器PCB設(shè)計必須掌握的要點
- NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關(guān)。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅(qū)動器的PCB設(shè)計策略概要，本文將為大家重點說明利用 NCP51820 設(shè)計高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動電路必須考慮的 PCB 設(shè)計注意事項。本設(shè)計文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。VDD 電容VDD 引腳應(yīng)有兩個盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶瓷電容。如圖 7 所示，較低值的高頻旁路電
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單芯片驅(qū)動器+ MOSFET技術(shù) 改善電源系統(tǒng)設(shè)計
- 本文介紹最新的驅(qū)動器+ MOSFET（DrMOS）技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊（VRM）應(yīng)用中的優(yōu)勢。單芯片DrMOS組件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進(jìn)而增強(qiáng)最終應(yīng)用的整體性能。隨著技術(shù)的進(jìn)步，多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些組件需要的功率急劇增加。微處理器所需的此種電源由穩(wěn)壓器模塊（VRM）提供。在該領(lǐng)域，推動穩(wěn)壓器發(fā)展的主要有兩個參數(shù)。首先是穩(wěn)壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個參數(shù)是功率轉(zhuǎn)換效率，高
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用于汽車負(fù)載應(yīng)用的上橋 SmartFET 驅(qū)動器
- 上橋 SmartFET 因其易于使用和高水平的保護(hù)而越來越受歡迎。與標(biāo)準(zhǔn) MOSFET 一樣，SmartFET 非常適合各種汽車應(yīng)用。它們的區(qū)別在于內(nèi)置在上橋 SmartFET 器件中的控制電路?？刂齐娐烦掷m(xù)監(jiān)控輸出電流和器件溫度，同時針對電壓瞬變和其他意外應(yīng)用條件提供被動保護(hù)。這種主動和被動保護(hù)功能的結(jié)合確保了穩(wěn)定可靠的應(yīng)用方案，延長了器件本身及其所保護(hù)的應(yīng)用負(fù)載的使用壽命。安森美(onsemi)現(xiàn)在提供從 45 mΩ到 160 mΩ的上橋 SmartFET系列?。這些器件是受保護(hù)的單通道上橋
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驅(qū)動器源極引腳的效果：雙脈沖測試比較
- 在上一篇文章中，我們通過工作原理和公式了解了有無驅(qū)動器源極引腳的差異和效果。有驅(qū)動器源極引腳的MOSFET可以消除源極引腳的電感帶來的影響，從而可降低開關(guān)損耗。在本文中，我們將通過雙脈沖測試來確認(rèn)驅(qū)動器源極引腳的效果。?具備驅(qū)動器源極引腳，可以大大降低導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗。?如果ID導(dǎo)通峰值或VDS關(guān)斷浪涌因開關(guān)速度提升而增加，就需要采取對策。在上一篇文章中，我們通過工作原理和公式了解了有無驅(qū)動器源極引腳的差異和效果。有驅(qū)動器源極引腳的MOSFET可以消除源極引腳的電感帶來的影響，從而可降低開關(guān)損耗。在本文
- 關(guān)鍵字： ROHM 驅(qū)動器
驅(qū)動器介紹
簡介
通過某個文件系統(tǒng)格式化并帶有一個驅(qū)動器號的存儲區(qū)域。存儲區(qū)域可以是軟盤、CD、硬盤或其他類型的磁盤。單擊“Windows 資源管理器”或“我的電腦”中相應(yīng)的圖標(biāo)可以查看驅(qū)動器的內(nèi)容。
要想了解軟盤和光盤中的信息，就必須把他們分別插入到軟盤驅(qū)動器和光盤驅(qū)動器中，供計算機(jī)對上面的數(shù)據(jù)信息進(jìn)行識別和處理。
軟盤驅(qū)動器和光盤驅(qū)動器都位于機(jī)箱中，只把它們的"嘴巴"露在外面，隨時準(zhǔn)備" [ 查看詳細(xì) ]
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