電源設(shè)計小貼士 41:DDR 內(nèi)存電源
CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后,電源電壓也隨之降低,從而在柵極層大大降低功耗。這種低電壓器件擁有更低的功耗和更高的運行速度,允許系統(tǒng)時鐘頻率升高至千兆赫茲級別。在這些高時鐘頻率下,阻抗控制、正確的總線終止和最小交叉耦合,帶來高保真度的時鐘信號。傳統(tǒng)上,邏輯系統(tǒng)僅對一個時鐘沿的數(shù)據(jù)計時,而雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 內(nèi)存同時對時鐘的前沿和下降沿計時。它使數(shù)據(jù)通過速度翻了一倍,且系統(tǒng)功耗增加極少。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/178232.htm高數(shù)據(jù)速率要求時鐘分配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計要倍加小心,以此來最小化振鈴和反射效應,否則可能會導致對邏輯器件非有意計時。圖 1 顯示了兩種備選總線終止方案。第一種方案(A)中,總線終止電阻器放置于分配網(wǎng)絡(luò)的末端,并連接至接地。如果總線驅(qū)動器處于低態(tài)下,電阻器的功耗便為零。在高態(tài)下時,電阻器功耗等于電源電壓(VDD)平方除以總線電阻(源阻抗加端接電阻)。平均功耗為電源電壓平方除以兩倍總線電阻。
圖 1 VTT 端接電壓降低一半端接功耗
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