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          移相全橋大功率軟開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2011-10-26 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          1 引言

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/178481.htm

            在電鍍行業(yè)里,一般要求工作電源的輸出電壓較低,而電流很大。電源的功率要求也比較高,一般都是幾千瓦到幾十千瓦。目前,如此的電鍍電源一般都采用晶閘管相控整流方式。其缺點(diǎn)是體積大、效率低、噪音高、功率因數(shù)低、輸出紋波大、動(dòng)態(tài)響應(yīng)慢、穩(wěn)定性差等。

            本文介紹的電鍍用,輸出電壓從0~12V、電流從0~5000A 連續(xù)可調(diào),滿載輸出功率為60kW.由于采用了ZVT軟開(kāi)關(guān)等技術(shù),同時(shí)采用了較好的散熱結(jié)構(gòu),該電源的各項(xiàng)指標(biāo)都滿足了用戶的要求,現(xiàn)已小批量投入生產(chǎn)。

            2 主電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

            鑒于如此的輸出,高頻逆變部分采用以IGBT為功率開(kāi)關(guān)器件的全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),整個(gè)主電路如圖1 所示,包括:工頻三相交流電輸入、二極管整流橋、EMI 濾波器、濾波電感電容、高頻全橋逆變器、高頻變壓器、輸出整流環(huán)節(jié)、輸出LC 濾波器等。

            隔直電容Cb 是用來(lái)平衡變壓器伏秒值,防止偏磁的。考慮到效率的問(wèn)題,諧振電感LS 只利用了變壓器本身的漏感。因?yàn)槿绻撾姼刑?,將?huì)導(dǎo)致過(guò)高的關(guān)斷電壓尖峰,這對(duì)開(kāi)關(guān)管極為不利,同時(shí)也會(huì)增大關(guān)斷損耗。另一方面,還會(huì)造成嚴(yán)重的占空比丟失,引起開(kāi)關(guān)器件的電流峰值增高,使得系統(tǒng)的性能降低。

          圖1 主電路原理圖

          3 零電壓軟開(kāi)關(guān)

            高頻全橋逆變器的控制方式為移相FB2ZVS 控制方式,控制芯片采用Unitrode 公司生產(chǎn)的UC3875N。超前橋臂在全負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了零電壓軟開(kāi)關(guān),滯后橋臂在75 %以上負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了零電壓軟開(kāi)關(guān)。圖2 為滯后橋臂IGBT 的驅(qū)動(dòng)電壓和集射極電壓波形,可以看出實(shí)現(xiàn)了零電壓開(kāi)通。

            開(kāi)關(guān)頻率選擇20kHz ,這樣一方面可以減小IGBT的關(guān)斷損耗,另一方面又可以兼顧高頻化,使功率變壓器及輸出濾波環(huán)節(jié)的體積減小。

          圖2 IGBT驅(qū)動(dòng)電壓和集射極電壓波形圖

            4 容性功率母排

            在最初的實(shí)驗(yàn)樣機(jī)中,濾波電容C5 與IGBT 模塊之間的連接母排為普通的功率母排。在實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)IGBT上的電壓及流過(guò)IGBT的電流均發(fā)生了高頻震蕩,圖3 為滿功率時(shí)采集的變壓器初級(jí)的電壓、電流波形圖。原因是并聯(lián)在IGBT 模塊上的突波吸收電容與功率母排的寄生電感發(fā)生了高頻諧振。滿載運(yùn)行一小時(shí)后,功率母排的溫升為38 ℃,電容C5 的溫升為24 ℃。

          圖3  使用普通功率母排時(shí)變壓器初級(jí)電壓、電流波形

            為了消除諧振及減小功率母排、濾波電容的溫升,我們最終采用了容性功率母排,圖4 為采用容性功率母排后滿功率時(shí)采集的變壓器初級(jí)的電壓、電流波形圖。從圖中可以看出,諧振基本消除,滿載運(yùn)行一小時(shí)后,無(wú)感功率母排的溫升為11 ℃,電容C5的溫升為10 ℃。

          圖4  使用容性功率母排后變壓器初級(jí)電壓和電流波形


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