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          LDO噪聲詳解

          作者: 時(shí)間:2012-12-24 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          引言

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/185506.htm

          隨著通信信道的復(fù)雜度和可靠性不斷增加,人們對于電信系統(tǒng)的要求和期望也不斷提高。這些通信系統(tǒng)高度依賴于高性能、高時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器器件,而這些器件的性能又非常依賴于系統(tǒng)電源軌的質(zhì)量。當(dāng)使用一個(gè)高噪聲電源供電時(shí),時(shí)鐘或者轉(zhuǎn)換器 IC 無法達(dá)到最高性能。僅僅只是少量的電源噪聲,便會(huì)對性能產(chǎn)生極大的負(fù)面影響。本文將對一種基本 拓?fù)溥M(jìn)行仔細(xì)研究,找出其主要噪聲源,并給出最小化其輸出噪聲的一些方法。

          表明電源品質(zhì)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)是其噪聲輸出,它常見的參考值為 RMS 噪聲測量或者頻譜噪聲密度。為了獲得最低 RMS 噪聲或者最佳頻譜噪聲特性,線性電壓穩(wěn)壓器(例如:低壓降電壓穩(wěn)壓器,),始終比開關(guān)式穩(wěn)壓器有優(yōu)勢。這讓其成為噪聲敏感型應(yīng)用的選擇。

          基本 拓?fù)?/strong>

          一個(gè)簡單的線性電壓穩(wěn)壓器包含一個(gè)基本控制環(huán)路,其負(fù)反饋與內(nèi)部參考比較,以提供恒定電壓—與輸入電壓、溫度或者負(fù)載電流的變化或者擾動(dòng)無關(guān)。

          圖 1 顯示了一個(gè) LDO 穩(wěn)壓器的基本結(jié)構(gòu)圖。紅色箭頭表示負(fù)反饋信號(hào)通路。輸出電壓 VOUT 通過反饋電阻 R1 和 R2 分壓,以提供反饋電壓 VFB。VFB 與誤差放大器負(fù)輸入端的參考電壓 VREF 比較,提供柵極驅(qū)動(dòng)電壓 VGATE。最后,誤差信號(hào)驅(qū)動(dòng)輸出晶體管 NFET,以對 VOUT 進(jìn)行調(diào)節(jié)。

          圖 1 LDO 負(fù)反饋環(huán)路.jpg

          圖 1 LDO 負(fù)反饋環(huán)路

          簡單噪聲分析以圖 2 作為開始。藍(lán)色箭頭表示由常見放大器差異代表的環(huán)路子集(電壓跟隨器或者功率緩沖器)。這種電壓跟隨器電路迫使 VOUT 跟隨 VREF。VFB 為誤差信號(hào),其參考 VREF。在穩(wěn)定狀態(tài)下,VOUT 大于 VREF,其如方程式 1 所描述:

          g1.jpg

          圖 2 LDO 參考電壓緩沖.jpg

          圖 2 LDO 參考電壓緩沖

          其中,1 + R1/R2 為誤差放大器必須達(dá)到穩(wěn)態(tài)輸出電壓 (VOUT) 的增益。

          假設(shè)電壓參考不理想,并在其DC輸出電壓(VREF)上有一個(gè)有效噪聲因數(shù)VN(REF)。假設(shè)圖 2 中所有電路模塊均理想,VOUT 便為噪聲源的函數(shù)??梢暂p松地對方程式 1 進(jìn)行修改,以考慮到噪聲源,如方程式 2 所示:

          g2.jpg

          其中,VN(REF) 為輸出的單獨(dú)噪聲影響因素,如方程式 3 所示:

          g3.jpg

          通過方程式 2 和 3,我們可以清楚地看到,更高的輸出電壓產(chǎn)生更高的輸出噪聲。反饋電阻 R1 和 R2 設(shè)置(或者調(diào)節(jié))輸出電壓,從而設(shè)置輸出噪聲電壓。因此,許多LDO器件的特點(diǎn)是,噪聲性能與輸出電壓有關(guān)。例如,VN = 16 µVRMS×VOUT 說明了一種標(biāo)準(zhǔn)的輸出噪聲描述方式。

          主要 LDO 輸出電壓噪聲源

          對于大多數(shù)典型的LDO器件來說,主要輸出噪聲源為方程式3所示經(jīng)過放大的參考噪聲。雖然總輸出噪聲因器件不同而各異,但一般都是如此。圖 3 為一個(gè)完整的結(jié)構(gòu)圖,顯示了其各個(gè)電路組件的相應(yīng)等效噪聲源。由于任何有電流流過的器件都是一個(gè)潛在的噪聲源,圖 1 和圖 2 所示所有單個(gè)組件均為一個(gè)噪聲源。

          圖 4 由圖 3 改畫而來,目的是包括 OUT 節(jié)點(diǎn)的所有等效參考噪聲源。完整的噪聲方程式為:

          g4.jpg

          圖 3 等效噪聲源 LDO 拓?fù)?jpg

          圖 3 等效噪聲源 LDO 拓?fù)?/p>

          圖 4 統(tǒng)一噪聲源 LDO 拓?fù)?jpg

          圖 4 統(tǒng)一噪聲源 LDO 拓?fù)?/p>

          在大多數(shù)情況下,由于參考電壓模塊即能帶隙電路由許多電阻器、晶體管和電容器組成,因此 VN(REF) 往往會(huì)大于該方程式中最后三個(gè)噪聲源,其中 VN(REF) >> VN(R1) 或者 VN(REF) >> VN(R2)。因此,方程式 4 可以簡化為:

          g5.jpg

          就高性能 LDO 器件而言,常見的方法是添加一個(gè)降噪 (NR) 引腳,以消除參考噪聲。圖5描述了NR引腳如何降低噪聲。由于VN(REF)為主要輸出噪聲源,因此我們在參考電壓模塊(VREF)和誤差放大器之間插入一個(gè)RC濾波電容器CNR,旨在減少這種噪聲。RC 濾波器減少噪聲的程度由一個(gè)衰減函數(shù)決定:

          g6.jpg

          其中

          g77.jpg

          圖 5 參考噪聲濾波器 LDO 拓?fù)?jpg

          圖 5 參考噪聲濾波器 LDO 拓?fù)?/p>

          圖 6 RMS 噪聲與輸出電壓的關(guān)系.jpg
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