1　引言
　　scale-2芯片組是專門為適應(yīng)當今igbt與功率mosfet柵驅(qū)動器的功能需求而設(shè)計的。這些需求包括：可擴展的分離式開通與關(guān)斷門級電流通路;功率半導(dǎo)體器件在關(guān)斷時的輸出電壓可以為有源箝位提供支持;多電平變換器與并聯(lián)功率器件的專業(yè)控制功能的兼容性;可以選擇使用低成本的雙向信號的變壓器接口或抗電磁干擾光纖接口;可擴展設(shè)置，并具備故障管理;次級故障信號輸入/輸出，3.3v到15v的邏輯兼容性。
　　在延伸漏極雙井雙柵氧cmos制造工藝中使用了這個芯片組，它包括幾個不盡相同的次級智能門級驅(qū)動（igd）asic和一個初級邏輯驅(qū)動插口（ldi）asic。
2　集成的柵驅(qū)動器核心

　　圖1所示為柵驅(qū)動器asic原型的顯微照片。它的有源區(qū)約為：
　　4 mm×2mm。常規(guī)封裝是一個在高電流接口有著雙引線鍵合的soic-16。在成本非常低的情況下，不同的接合法常被用來控制不同的標準產(chǎn)品的專業(yè)功能，包括可以選擇使用雙向信號變壓器接口或雙向光導(dǎo)纖維接口。這個高度集成的柵驅(qū)動器核心包含一個輸出電流與泄放電流為5.5a的輸出驅(qū)動級，同時支持對外置的n型mosfet的直接驅(qū)動，這樣就可以輕松放大柵極功率和柵極電流分別達到20w與20a甚至更大。半橋推挽式輸出級為在低成本的擴展，幾個柵驅(qū)動器并聯(lián)與不依賴關(guān)斷柵極-發(fā)射極電壓的操作控制性都提供了可能。
　　先進的控制功能以及專門為客戶提供的選項可以通過在可編程的單層掩膜上預(yù)置復(fù)合信號單元以及簡單器件（例如模擬比較器，邏輯門，cmos晶體管，接口），實現(xiàn)在最短的時間內(nèi)以具有競爭力的價格投入市場。

　　初級邏輯驅(qū)動插口（ldi）asic實現(xiàn)了一個雙溝道雙向變壓器接口，一個帶有專用啟動序列可擴展的dc-dc轉(zhuǎn)換器，并且具有可擴展設(shè)置和故障管理功能。圖2所示為邏輯驅(qū)動插口asic原型的顯微照片，其有源區(qū)約為4mm × 2 mm，常規(guī)封裝為soic-16。
　　為了提高igbt的抗短路能力，一般在開啟過程和導(dǎo)通狀態(tài)下將其柵極-發(fā)射極電壓限制在+15v以下。由于近來的igbt的閾值柵壓已經(jīng)超過3v，所以在關(guān)斷過程和斷開狀態(tài)下把柵極-發(fā)射極電壓設(shè)置為0v就足夠了。這對于直接把柵驅(qū)動器集成在功率模塊中的智能功率模塊（ipm）來說是一種慣例。與這些小型的ipm相比，現(xiàn)今常規(guī)的大型igbt模塊，帶有36個以上的并聯(lián)igbt芯片，它的柵極互連線產(chǎn)生的電阻以及集電極-柵極轉(zhuǎn)移電容都會增大，這會對它的關(guān)斷速度，抗噪聲特性造成嚴重的影響，特別是還有可能產(chǎn)生由于瞬間電壓導(dǎo)致的局部誤導(dǎo)通。為了減少這些影響，柵極-發(fā)射極關(guān)斷電壓通常設(shè)定為-5v—15 v。
　　因此，在第一種工作模式下，igdasic可以通過在“vee”管腳（見圖3）調(diào)節(jié)發(fā)射極電壓的方式，提供給開啟導(dǎo)通狀態(tài)一個調(diào)節(jié)過的+15v柵極-發(fā)射極電壓來作為整個柵驅(qū)動器的供給電壓，其測量精確度為±450mv，工藝偏差在3σ內(nèi)，溫度范圍為400℃—1250℃。驅(qū)動直流電流必須被限制在 2.8ma以下，這樣外部元件就可以控制將柵極-發(fā)射極電壓設(shè)定為用戶需要的值。