1 變頻調(diào)速方式
交流電機的轉(zhuǎn)速為n1=60f/p，再根據(jù)異步電機轉(zhuǎn)差率s=(n1-n)/n1，可知交流異步機的轉(zhuǎn)速公式為：n=n1(1-s)=(1-s)60f/p，其中P為極對數(shù)，s為轉(zhuǎn)差率，f為定子供電頻率，當p和s為定植時，要改變電機的轉(zhuǎn)速，只需要改變f就可以了，根據(jù)控制方式的不同，一般可以分為三種調(diào)速方式：在變頻調(diào)速過程中保持定子電壓和定子供電頻率之比為常數(shù)，即恒磁通變頻調(diào)速，保持定子電流不變的恒流控制調(diào)速方式，保掙恒電磁通調(diào)速方式。
在具體控制上，可以采用VVVF(Variable Voltagevariable Frequency)變頻或矢量控制變頻控制方式，在電路設計時，需要實時采樣相電壓以及各相電流，根據(jù)控制方式的不同，可以選用不同的算法程序。

2 高速DSP芯片TMS320F2812介紹
TMS320F2812DSP是德州儀器公司(TI)推出的一款32位高性能數(shù)字信號處理器，它是專為控制設計的高速DSP芯片，擁有峰值每秒運行150萬條指令(MIPs)的處理速度和單周期完成32×32位MAC運算的功能，再加上兩個事件管理器(EVA和EVB)、片上Flash以及片上RAM和AD轉(zhuǎn)換模塊，能夠?qū)崿F(xiàn)實時快速的數(shù)字信號處理算法，在三相異步電機控制系統(tǒng)中廣泛的被采用。
(1)高性能的32位中央處理器
主頻150MHZ(時鐘周期6．67ns)，低功耗(核心低壓1．8v，I／O口3．3v)，16位×16位和32位×32位乘且累加操作以及16位×16位的兩個乘且累加，統(tǒng)一的寄存器編程模式，可達4M字的線性程序地址和數(shù)據(jù)地址。
(2)片內(nèi)存儲器
8Kx16位的Flash存儲器
1Kx16位的0TP型只讀存儲器
L0和L1：兩塊4Kx16位的單口隨機存儲器(SARAM)
HO：一塊8Kx16位的單口隨機存儲器
M0和M1：兩塊1Kx16位的單口隨機存儲器
(3)時鐘與系統(tǒng)控制
支持動態(tài)的改變鎖相環(huán)的頻率(PLL)
片內(nèi)振蕩器
看門狗定時器模塊
CPU級和外設級中斷相結(jié)合的控制系統(tǒng)
(4)豐富的外圍設備
兩個事件管理器(EVA、EVB)
串行外圍接口(SPI)
兩個串行通信接口(SCI)，標準的UART
改進的控制器局域網(wǎng)絡(ECAN)
多通道緩沖串行接口(MCBSP)
16通道12位的數(shù)模轉(zhuǎn)換器(ADC)

3 智能功率模塊DIP-IPM
三菱第五代IGBT芯片的DIP-IPM模塊是三菱公司總結(jié)前四代功率模塊的基礎上設計的，它彌補了以往功率模塊在使用和可靠性方面的很多不足，是專為三相電機驅(qū)動設計的功率模塊。其特點如下：提高可靠性和馬達效率(死區(qū)時間減少)，單電源15V供電，實現(xiàn)低損耗；熱阻低，易于散熱，簡化了設計空間，低成本單模封裝，方便了集中安裝接散熱片，為設計高集成度的電機控制器提供了便利；內(nèi)置短路、欠壓保護電路。且不需要高速光耦隔離，明顯減少了電機的死區(qū)時間；輸入接口電路采用高電平驅(qū)動邏輯，消除了舊產(chǎn)品低電平驅(qū)動方式對電源投入和切斷時的時序要求。增強了模塊自保護能力；輸入信號端內(nèi)置下拉電阻，外部無須再下拉電阻，可直接由DSP或3V級單片機驅(qū)動。

如上圖所示，圖1為IPM模塊的上驅(qū)動部分，圖2為IPM模塊的下驅(qū)動部分。一個完整的DIP-IPM模塊包括三個上驅(qū)動部分和一個下驅(qū)動部分，在圖1中給出的只是U相的驅(qū)動電路，V、W相與U相的電路完全相同。下面就結(jié)合內(nèi)部結(jié)構(gòu)對模塊進行說明。
UP，VP，WP，UN，VN，WN，控制信號輸入端子，此為控制開關運行的信號輸入端子，信號為電壓型。這些端子在模塊內(nèi)部與5V CMOS施密特觸發(fā)電路相連。各信號線可直接與單片機輸出口連接，無需接光耦隔離。
P為逆變器直流母線的正電源端。在模塊內(nèi)部，此端與上臂IGBT的集電極相連。為抑制直流母線引線和PCB上寄生電感引起的浪涌電壓，應在非?？拷黀，N端子處加平滑電容或具有良好頻率特性的小薄膜電容。
N為逆變器直流母線的負電源端(主電路地)。在模塊內(nèi)部，此端與下臂IGBT的發(fā)射極相連。