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          DDR測(cè)試技術(shù)介紹與工具分析

          作者: 時(shí)間:2012-05-04 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

           業(yè)界速度最快、最完整的測(cè)試解決方案

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/193939.htm

            對(duì)于信號(hào)路徑(通道)鑒定和電路板/DIMM檢驗(yàn),泰克公司帶有TDR模塊和S參數(shù)軟件的DSA8200采樣示波器可以幫助工程師高效、簡(jiǎn)單地完成阻抗測(cè)量、插入損耗和回波損耗、串?dāng)_等測(cè)量項(xiàng)目,完成整個(gè)項(xiàng)目只需幾分鐘。該示波器的采樣帶寬>70GHz,最有最低的抖動(dòng)本底,改善了阻抗測(cè)量精度和分辨率(Z-Line),1M的存儲(chǔ)深度可保證對(duì)高頻信號(hào)的長(zhǎng)時(shí)間測(cè)試。

            對(duì)于的模擬特性和物理層調(diào)試,泰克帶寬達(dá)20GB的DPO/DSA/MSO70000B高性能示波器和相關(guān)探測(cè)、測(cè)量軟件將是非常不錯(cuò)的選擇,一個(gè)方案同時(shí)支持DDR1/2/3、LP-DDR、GDDR3。當(dāng)然,特別值得一提的是還要搭配泰克公司的突破性探測(cè)工具和技術(shù)。不過(guò),余嵐介紹說(shuō):“對(duì)于經(jīng)費(fèi)預(yù)算有限且DDR測(cè)試要求稍低的中小公司而言,泰克最新推出的高性價(jià)比中端示波器MSO/DPO5000也是不錯(cuò)的選擇。”

            眾所周知,不論是智能手機(jī)等直接將DRAM芯片焊接在PCB上的嵌入式設(shè)計(jì)還是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)化DIMM存儲(chǔ)卡,因?yàn)槿缃馜DR2和DDR3都是采用FBGA封裝,所以DRAM芯片的探測(cè)都是非常困難,因?yàn)橐酝倪壿?a class="contentlabel" href="http://cafeforensic.com/news/listbylabel/label/分析">分析儀和示波器探頭都不能探測(cè)到焊球,而通過(guò)連接器、PCB板或過(guò)孔這些測(cè)試點(diǎn)都不能真正代表DRAM內(nèi)部情況。為此,泰克創(chuàng)業(yè)界先河,與Nexus公司合作,開(kāi)發(fā)出BGA芯片插座,該插座分為Socket版本和焊接版本,配合泰克公司的P7500系列TriMode(三模)專利探頭,可提供探測(cè)信號(hào)的完美保真度。

            

          Nexus公司開(kāi)發(fā)的BGA芯片插座

            圖2:Nexus公司開(kāi)發(fā)的BGA芯片插座(分成socket版本和焊接版本)確保了DDR探測(cè)信號(hào)保真度。

            泰克的TriMode(三模)探測(cè)技術(shù)使用單條探頭與DUT鏈接,不僅可完成傳統(tǒng)差分測(cè)量,而且可切換成在任一輸入上進(jìn)行獨(dú)立單端測(cè)量或直接進(jìn)行共模測(cè)量。以往,完成這些需要3個(gè)獨(dú)立探頭(見(jiàn)圖3)。

            

          以往1只探頭用于差分測(cè)量

            圖3:

            左圖:以往1只探頭用于差分測(cè)量、2只探頭用于單端測(cè)量和共模測(cè)量或1只探頭焊接和重焊三次、2只探頭用于共模測(cè)量。

            右圖:1只TriMode探頭,通過(guò)切換進(jìn)行差分測(cè)量、單端測(cè)量和共模測(cè)量。



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