瑞薩電子與臺積電共同宣布，雙方合作開發(fā)28納米嵌入式閃存(eFlash)制程技術，以生產支持新一代環(huán)保汽車與自動駕駛汽車的微控制器(MCU)。采用此全新28納米工藝技術生產的車用MCU預計于2017年提供樣品，2020年開始量產。

　　瑞薩與臺積電自90納米技術時代便開始密切合作開發(fā)有片上閃存的MCU產品。為了使未來的環(huán)保汽車與自動駕駛汽車更節(jié)能且更可靠，雙方在合作40納米MCU平臺并生產四年之后，擴大合作至28納米MCU的開發(fā)。通過此次合作，瑞薩具備高可靠性及高速優(yōu)勢的MONOSeFlash技術，將結合臺積電高性能、低功耗的28納米high-k絕緣層+金屬柵極(HKMG)工藝技術，生產全球頂尖的車用MCU產品，以支持廣泛的應用，例如自動駕駛汽車的傳感器控制、電子控制單元(ECU)之間的協(xié)調控制、環(huán)保汽車的高效率燃油引擎控制、以及電動車的高效率電機變頻器控制。

　　為了滿足未來自動駕駛汽車對于高效能與安全性的嚴格要求，新一代MCU利用3D雷達監(jiān)測車輛四周環(huán)境，以實現(xiàn)高精度的感測功能，同時可整合多個傳感器的數(shù)據(jù)，并且具備自動駕駛操作時所需的實時判斷處理能力。能夠安全控制自動駕駛功能的ECU亦需要新一代的MCU快速處理復雜的控制任務(包括失效穩(wěn)定運行能力、安全性、以及對多個ECU之間協(xié)調控制的支持)，并提高整體系統(tǒng)的能源效率及功能安全性。同時，為了符合更嚴格的排放法規(guī)，新一代環(huán)保汽車的引擎還需要強大的運算性能來控制新的燃油系統(tǒng)，它也需要強大且大容量的片上閃存來容納更大的固件程序。由于市場對環(huán)保的要求越來越高，對電動車(EV)與充電式油電混合車(PHV)也要求具備更長的續(xù)航，這就要求MCU具備更高的運算效能及更高的功能集成，從而控制效率更高、體積更小的電機變頻器。大容量閃存亦不可或缺，能夠更精確地支持各國環(huán)境法規(guī)與標準，并得以通過空中傳輸(OTA)的方式無線更新控制程序。此外，具備優(yōu)異效能與絕佳安全性的MCU嵌入式閃存技術對于打造安全社會的新一代控制技術來說也是必須的，適用領域包括工業(yè)4.0等工業(yè)領域以及社會基礎建設領域。

　　通過此項合作所開發(fā)的28納米eFlash工藝技術，MCU的程序內存容量最高將可比目前的40納米技術多出四倍以上，效能也將提升超過四倍，滿足新一代車用運算的需求。此全新MCU產品的其他強化特點還包括了使用多CPU核、更先進的安全性，并且支持多種接口標準。

　　瑞薩執(zhí)行副總裁大村隆司表示：“汽車產業(yè)正經歷重大轉變，新一代的環(huán)保汽車及自動駕駛車即將問世，而創(chuàng)新的半導體技術是加速新一代汽車開發(fā)的重要關鍵。我相信通過與臺積電針對新一代MCU的技術合作，未來將能夠提供使客戶安心的穩(wěn)定供貨。而我們也將致力于建構MCU的生態(tài)系統(tǒng)，并持續(xù)扮演好領導廠商的角色，協(xié)助推動MCU產業(yè)往前邁進。”

　　臺積電業(yè)務開發(fā)副總經理金平中博士表示：“與瑞薩合作履行了我們提供具有競爭力的技術為客戶產品創(chuàng)造最大價值的承諾。借由臺積電28納米高性能且低能耗的技術，我們相信將能夠展現(xiàn)優(yōu)化的先進技術，以滿足新一代汽車產品對創(chuàng)新的需求，并在效能與成本之間為客戶取得極具競爭優(yōu)勢的地位。”