韓媒Energy經(jīng)濟報導，三星目前仍然是唯一量產(chǎn)第三代(48層堆疊)3D NAND的半導體廠商，三星計劃從第4季開始生量第4代(64層堆疊)3D NAND，并搭載在像是32TB SSD等各式儲存裝置上，預計于2017年上市。

　　市調(diào)機構IHS預期，如以數(shù)量為基準，企業(yè)用SSD產(chǎn)品中采用3D NAND的比重，將從2015年10%攀升到2018年的77%;同期消費者用產(chǎn)品也將從3%擴大到60%。換句話說，現(xiàn)在的NAND產(chǎn)品大多數(shù)都開始往3D NAND方向轉(zhuǎn)換。

　　韓國半導體業(yè)界認為，三星所擁有的3D NAND Flash技術力，至少領先競爭對手1年以上。其他的半導體廠商則是致力生產(chǎn)32~36層堆疊3D NAND。

　　其中，東芝(Toshiba)和新帝(SanDisk)、美光與英特爾(Intel)各自在2015年3月、4月研發(fā)出48層堆疊3D NAND，不過皆要等到2016年底(東芝)或是2017年上半(英特爾)才計劃投產(chǎn)。

　　東芝為了要搶攻3D NAND市場，曾傳出要在第3季量產(chǎn)64層堆疊3D NAND，不過至今尚未有投產(chǎn)消息。英特爾則是與美光合作，以年內(nèi)量產(chǎn)64層堆疊3D NAND樣品為目標，持續(xù)進行大規(guī)模投資，但分析預期，首家量產(chǎn)64層堆疊3D NAND應該仍是三星。

　　SK海力士則是在2016年上半完成了48層堆疊3D NAND技術研發(fā)，預計年底投產(chǎn)。同時計劃在2017年上半，以M14產(chǎn)線為中心，正式投資3D NAND設備，并將50%以上的NAND生產(chǎn)量轉(zhuǎn)換為3D NAND。半導體業(yè)界認為，SK海力士將會在2017年后完成72層堆疊3D NAND Flash的研發(fā)。

　　業(yè)界人士表示，完成技術研發(fā)和實際進行投產(chǎn)基本是兩碼子事情。就算研發(fā)出新技術，如果無法量產(chǎn)的話也沒有用處。如果SK海力士真的能在年底開始供應第三世代3D NAND，可以看做是擁有超越東芝及美光的基礎。

　　值得注意的是，大陸企業(yè)也被認為是另外一波不可小覷的崛起勢力。稍早7月底傳出，紫光集團已依大陸當局指示收購武漢新芯(XMC)的多數(shù)股權，武漢新芯之前獲大陸當局資助建設造價240億美元的存儲器制造中心。

　　大陸當局試圖借此打造更強大的存儲器芯片公司，縮小與西方國家的技術差距。據(jù)悉，武漢新芯的技術力已經(jīng)達到了可以初期量產(chǎn)32層堆疊3D NAND的程度。