ARM 于今(24)日宣布推出新款先進emBISTRx 嵌入式內存測試與修復系統(tǒng)。該系統(tǒng)與ARM　Advantage及Metro內存編譯器緊密整合，而該兩項內存編譯器均為Artisan實體層IP系列中的一員。此款ARM推出的全工嵌入式內存子系統(tǒng)，整合了內建自我測試(Best-in-Self-Test, BIST)及內建自我修復(Best-in-Self-Repair, BISR)IP，使Advantage與Metro系列內存在邁入45納米、65納米及90納米制程時，能提高整體芯片良率、降低芯片成本、提高獲利，以及增進制造測試的品質。

在納米設計的時代，內存內容增加至數千個記憶單元(instance)，導致系統(tǒng)單芯片(System-on-chip, SoC)開發(fā)業(yè)者在管理功率、效能及尺寸等設計參數的管理上，面臨各個方面的挑戰(zhàn)。另一個主要的影響則是生產力的開發(fā)，以確保良率的提升及高品質的測試。

先進的ARM emBISTRx系統(tǒng)使用一套階層式分散架構，有別于目前采用專屬控制器支持各別內存類型的模式。ARM解決方案透過一套集中式的共享BIST/BISR 控制器，管理不同尺寸與類型的緩存器檔案與內存，以及置于內存單元旁的智能型包裝器。ARM整合模式的利益在于能夠在控制器、包裝器及內存宏間，針對測試與修復邏輯進行最佳化分割，以降低整體內存子系統(tǒng)占用的空間。相較于傳統(tǒng)的設計方法，依照設計與建置方式的不同，該架構平均可減少20%至30%的系統(tǒng)尺寸。

此外，ARM emBISTRx解決方案有效降低了互連與配線擁塞的情況，進而節(jié)省空間并達到更快的時序收斂。這種節(jié)省空間的架構模式，使開研發(fā)業(yè)者能在有限的時間內，針對時序關鍵途徑進行最佳化，并支持全速模式測試，以因應消費者及企業(yè)快速變遷的重要需求。

為了提高設計生產力，ARM emBISTRx系列加入一套自動化工具，能將BIST/BISR內建并整合至設計方案中，進而縮短建置時間并排除各種設計錯誤。ARM emBISTRx系統(tǒng)與ARM內存編譯器緊密結合，為開發(fā)業(yè)者提供一套簡單易用的解決方案，以建置ARM嵌入式內存子系統(tǒng)。

除了傳統(tǒng)鎖定標準內存錯誤類型外，ARM emBISTRx系統(tǒng)還包含許多算法，能偵測納米技術中實際的硅組件瑕疵，如漏電、微弱位(weak bits)，以及其它因低良率而導致的細微反應，如短路與開路。偵測型BIST算法能減少測試失效的可能性，讓高產量產品能節(jié)省數百萬美元的成本。ARM emBISTRx 系統(tǒng)特別針對ARM的內存冗余架構進行調校，而該架構則以內存瑕疵資料、細胞單元良率(bit-cell yields)，以及相關晶圓廠的建議資料作為基礎。

ARM實體IP部門行銷副總裁Neal Carney表示：“當客戶從90納米轉移至45納米以下制程時，他們也面臨了許多嚴苛的挑戰(zhàn)，包括必須提供良率更高、測試品質更佳、且滿足空間與時序限制的內存。藉由ARM emBISTRx解決方案的推出，我們提供一款空間優(yōu)化的嵌入式內存子系統(tǒng)，緊密結合測試及修復功能，使我們的客戶達成整體良率目標，并提高測試品質與利潤。此款解決方案協(xié)助業(yè)者克服眼前的挑戰(zhàn)，在精密的SoC中加入測試與修復功能，以協(xié)助客戶加快產品的上市時程。”

供應時程

ARM emBISTRx 產品即將于2006年第四季問市，并將根據客戶選擇的內存與制程技術報價。

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