除此之外，臺積電高管還爆料，最早采用FinFET的16納米工藝，原本計劃跟隨英特爾，稱為20納米FinFET。因為該工藝的電晶體最小線寬(half-pitch)與量產的前一代20納米傳統(tǒng)電晶體工藝差不多，只是換上全新的FinFET電晶體。然而，三星搶先命名為“14nm”!也就是說，三星的出現(xiàn)，擾亂了市場的命名的慣例。

　　10nm

　　在14nm上逐漸趕上英特爾的三星，在10nm的研究上，幾乎和強大的競爭對手英特爾站在了同一起跑線上。

　　然而，10nm的研究，似乎并不順利。

　　按照英特爾的計劃，10nm預計在2015年就能推出，由于14nm工藝的跳票，打亂了時間節(jié)點，并且10nm的研究中可能遇到了不小的難題。

　　目前，英特爾10nm工藝已經開始試產，并且表示將在2017年上半年量產10nm，在下半年發(fā)布10nm產品。

　　反觀三星，雖然在去年展示了10nm的晶圓，并表示將在2017年量產10nm工藝。但是到目前為止，幾乎沒什么動靜。

　　與三星同為競爭對手的臺積電卻是非常高調，宣布將在今年底開始量產10nm。這一點也是可以理解，畢竟與三星同為晶圓代工，誰先勝出，誰就能得到更多的代工業(yè)務。

　　不過，有專業(yè)人士透露，臺積電的十六納米等于英特爾的二十納米、十納米等于英特爾的十二納米……在這一方面，臺積電也是積極承認。

　　納米工藝的進步，使得我們在同樣大小的芯片上，能夠感受更強大的性能;在運行速度更快的同時，也更加省電;這些更小的晶體元件，只需要更低的導通電壓，能效也會隨之提升;最為重要的是，組件越小，同一片晶圓可切割出來的芯片就可以更多。即使更小的工藝需要更昂貴的設備，其投資成本也可以被更多的晶片所抵消。

　　未來，7nm，5nm甚至更小的納米制造工藝也會相繼出現(xiàn)，雖然有專家分析，目前10nm工藝或許將成為硅材料晶體管的物理極限。但英特爾等廠商不會停止不前，因為，他們對于“極限”的追求是永無止境的。