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          誰會(huì)是三星14/10nm工藝泄密事件的幕后買家?

          作者: 時(shí)間:2016-09-25 來源:芯智訊 收藏
          編者按:綜合眼前的信息來看,這位三星高管將“三星14nm、10nm工藝的機(jī)密信息”賣給臺(tái)積電的可能性還是比較大的。更何況,三星和臺(tái)積電本身就有夙怨,特別是在三星的14nm工藝上。

            英特爾、臺(tái)積電、可謂是目前半導(dǎo)體制程工藝的領(lǐng)軍廠商。目前這三家都在緊鑼密鼓的準(zhǔn)備推出最新的制程工藝,都希望能夠搶先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一步推向市場(chǎng),占據(jù)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。不過近日,卻發(fā)生了一起嚴(yán)重的泄密事件。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201609/310308.htm

            高管偷賣14/工藝機(jī)密給中國(guó)公司?

            據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道稱,韓國(guó)警方近日逮捕了三星System LSI部門的一位李姓高管,原因是他將該公司的半導(dǎo)體技術(shù)機(jī)密賣給了某中國(guó)公司,而對(duì)方是三星電子的直接競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手(具體是誰未公開)。

            據(jù)說,此人出賣了三星14nm、工藝的機(jī)密信息,而目前三星還沒有公開披露任何有關(guān)10nm Exynos處理器的消息,但據(jù)說明年初的新旗艦Galaxy S8會(huì)首次使用。

            報(bào)道稱,三星已經(jīng)起訴了這位高管,檢察部門也將展開更深入的調(diào)查。

            這家“中國(guó)公司”會(huì)是誰?

            雖然,報(bào)道并未透露三星這位李姓高管究竟將“三星14nm、10nm工藝的機(jī)密信息”賣給哪家中國(guó)公司,但是可以看到,報(bào)道中稱“對(duì)方是三星電子的直接競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手”,而目前能夠稱得上是三星的“直接競(jìng)爭(zhēng)”對(duì)手的只有臺(tái)積電和英特爾。而大陸的芯片代工龍頭中芯國(guó)際去年下半年才開始量產(chǎn)28nm,顯然也算不上三星的“直接競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手”。

            當(dāng)然,肯定有人會(huì)質(zhì)疑稱,如果是臺(tái)積電,韓國(guó)媒體應(yīng)該會(huì)報(bào)道稱是“泄密給臺(tái)灣公司”。不過,早在1992年的時(shí)候,韓國(guó)就已經(jīng)承認(rèn)臺(tái)灣是中國(guó)的一部分。所以,如果確實(shí)是“臺(tái)積電”,韓國(guó)媒體稱其為“中國(guó)公司”也是合理的,另外如果直接說是臺(tái)灣公司,那么矛頭指向似乎就比較明確和直接了。

           三星與臺(tái)積電的暗戰(zhàn)

            近年來,三星在半導(dǎo)體工藝方面可謂是進(jìn)步神速,其14nm工藝早在2014年12月就已經(jīng)開始開始量產(chǎn),領(lǐng)先臺(tái)積電至少半年。而三星之所以能夠成功超越臺(tái)積電的關(guān)鍵在于張忠謀愛將——前臺(tái)積電資深處長(zhǎng)梁孟松,以及他麾下由黃國(guó)泰、夏勁秋、鄭鈞隆、侯永田及陳建良等臺(tái)積電舊部屬組成的“臺(tái)灣團(tuán)隊(duì)”。

            梁孟松于2009年從臺(tái)積電離職,當(dāng)年8月到三星集團(tuán)旗下的成均館大學(xué)任教,據(jù)悉從那時(shí)開始,梁孟松陸續(xù)將臺(tái)積電機(jī)密泄露給了三星。而當(dāng)三星14nm成功量產(chǎn)之時(shí),梁孟松已“正式”擔(dān)任三星LSI(即晶圓代工部門)技術(shù)長(zhǎng)三年半的時(shí)間。

            為何認(rèn)為三星的成功是因?yàn)榱好纤蓪⑴_(tái)積電機(jī)密泄露給了三星呢?

            據(jù)了解,臺(tái)積電曾委托外部專家制作了一份“臺(tái)積電/三星/IBM產(chǎn)品關(guān)鍵制程結(jié)構(gòu)分析比對(duì)報(bào)告”,詳細(xì)比對(duì)三家公司產(chǎn)品最近四個(gè)世代的主要結(jié)構(gòu)特征,以及組成材料。

            由于三星產(chǎn)品技術(shù)源自IBM,因此該公司2009年開始量產(chǎn)的65nm制程,產(chǎn)品特征與IBM相似,和臺(tái)積電差異極大。這點(diǎn)符合一般預(yù)期。但令臺(tái)積電驚訝的是,隨后的三星的45nm、32nm、28nm世代,與臺(tái)積電差異快速減少。報(bào)告中列出七個(gè)電晶體的關(guān)鍵制程特征,例如淺溝槽隔離層的形狀、后段介電質(zhì)層的材料組合等,雙方都高度相似。


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          關(guān)鍵詞: 三星 10nm

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