東芝(Toshiba)8日發(fā)布新聞稿宣布，為了增產(chǎn)3D Flash Memory，將在四日市工廠內(nèi)興建新廠房“第6廠房(Fab 6)”。東芝指出，該座新廠房將作為3D Flash專用廠房，將分2期工程興建，其中第1期工程將在2017年2月動(dòng)工、并預(yù)計(jì)于2018年夏天完工。

　　東芝指出，關(guān)于上述新廠房具體的設(shè)備導(dǎo)入、開始生產(chǎn)時(shí)間，以及產(chǎn)能、生產(chǎn)計(jì)劃等細(xì)節(jié)，將待今后評(píng)估市場(chǎng)動(dòng)向之后再?zèng)Q定，且和西數(shù)(Western Digital，“WD”)進(jìn)行協(xié)商后，雙方今后也將進(jìn)行共同投資。

　　東芝并指出，該座新廠房將導(dǎo)入活用AI人工智能的生產(chǎn)系統(tǒng)、借此提升生產(chǎn)效率。

　　據(jù)NHK報(bào)道，東芝上述新廠房的投資額約800億日元。

　　根據(jù)Yahoo Finance的資料顯示，截至9日上午8點(diǎn)05分為止，東芝勁揚(yáng)1.59%至376日日元。

　　為了對(duì)抗三星電子等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，東芝于今年3月宣布，將在今后3年內(nèi)(2016年度-2018年度)總計(jì)砸下約8,600億日元投資NAND型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)，而上述新廠房就是該8,600億日元投資計(jì)劃中的一環(huán)。

　　東芝7月27日宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D Flash制程技術(shù)，并自當(dāng)日起領(lǐng)先全球同業(yè)開始進(jìn)行樣品出貨。東芝指出，采用上述制程技術(shù)的256Gb(32GB)產(chǎn)品預(yù)計(jì)將在2017年前半開始進(jìn)行量產(chǎn)，主要用來搶攻數(shù)據(jù)中心/PC用SSD、以及智能手機(jī)/平板電腦/存儲(chǔ)卡等市場(chǎng)，且今后也計(jì)劃推出512Gb(64GB)產(chǎn)品。

　　東芝表示，和48層產(chǎn)品相比，此次新研發(fā)的64層產(chǎn)品每單位面積的存儲(chǔ)容量擴(kuò)大至1.4倍，且每片晶圓所能生產(chǎn)的存儲(chǔ)容量增加、每bit成本也下滑。

　　東芝統(tǒng)籌存儲(chǔ)器事業(yè)的副社長(zhǎng)成毛康雄于7月6日舉行的投資人說明會(huì)上表示，將沖刺N(yùn)AND型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)產(chǎn)量，目標(biāo)在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴(kuò)增至2015年度的3倍水準(zhǔn)(以容量換算)。

　　成毛康雄指出，將強(qiáng)化3D Flash的生產(chǎn)，目標(biāo)在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進(jìn)一步提高至9成左右水準(zhǔn)。