半導(dǎo)體押寶EUV ASML突破瓶頸 預(yù)計2018年可用于量產(chǎn)
摩爾定律(Moore’s Law)自1970年代左右問世以來,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)均能朝此一定律規(guī)則前進(jìn)發(fā)展,過去數(shù)十年來包括光微影技術(shù)(Photolithography)等一系列制程技術(shù)持續(xù)的突破,才得以讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能依照摩爾定律演進(jìn),進(jìn)而帶動全球科技產(chǎn)業(yè)研發(fā)持續(xù)前進(jìn)。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201611/340456.htm但為延續(xù)產(chǎn)業(yè)良性發(fā)展,光是依賴于傳統(tǒng)微影技術(shù)仍不夠,因此芯片制造商也正在苦思試圖進(jìn)行一次重大且最具挑戰(zhàn)的變革,即發(fā)展所謂的“極紫外光”(EUV)微影技術(shù),該技術(shù)也成為臺積電、英特爾(Intel)等晶圓代工及芯片大廠追捧的新寵,未來是否能以EUV技術(shù)拯救摩爾定律,值得持續(xù)觀察。
先進(jìn)芯片廠正尋求將EUV設(shè)備導(dǎo)入自有生產(chǎn)線
根據(jù)IEEE報導(dǎo),隨著時代演進(jìn),芯片制造商如今更加看重EUV微影技術(shù)的重要性,但EUV與當(dāng)前半導(dǎo)體微影掃描機(jī)臺的紫外線光不同,EUV無法在空氣中傳遞,也無法透過傳統(tǒng)鏡子或透鏡聚焦,且EUV光線也難以生成。如果要能創(chuàng)造出一個具足夠亮度及可靠度,且能在生產(chǎn)線中幾乎一天24小時、一年365天的不停運(yùn)轉(zhuǎn)的EUV設(shè)備系統(tǒng),將會是一項(xiàng)龐大工程挑戰(zhàn)。
不過即使過去多年來EUV技術(shù)發(fā)展面臨不斷的失敗及外界質(zhì)疑,但在業(yè)界努力下,如今EUV技術(shù)發(fā)展逐漸達(dá)到商用化地步,如荷蘭微影設(shè)備制造商ASML似乎已克服萬難,即將開始商用化生產(chǎn)自有EUV微影設(shè)備。
目前ASML已正在出貨EUV微影掃描機(jī)(EUV Scanner),這些設(shè)備預(yù)計自2018年起將準(zhǔn)備量產(chǎn)先進(jìn)微處理器及存儲器。全球最先進(jìn)的芯片制造商目前正在努力思考何時及如何將這些設(shè)備導(dǎo)入自有生產(chǎn)線中。不過這將是一項(xiàng)很大的冒險,因現(xiàn)階段摩爾定律正面臨巨大挑戰(zhàn),沒有人可以確定全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來5~10年的發(fā)展樣貌會是如何,也不知道后摩爾定律時代下的全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)會是何種發(fā)展光景。
ASML率先突破 決心開發(fā)EUV技術(shù)
光微影技術(shù)發(fā)展至1990年代后期,ASML與幾家合作業(yè)者開始從事EUV微影技術(shù)的研發(fā)工作,當(dāng)時業(yè)界都在就可預(yù)見的摩爾定律將面臨終點(diǎn)的問題進(jìn)行技術(shù)突破,尋找各種不同的制程技術(shù),其中EUV就是較特別的一項(xiàng)技術(shù)。
ASML旗下EUV研究人員從一開始也堅信將能開發(fā)出這項(xiàng)技術(shù),并能成為芯片制造商最經(jīng)濟(jì)的選擇,因此不到10年時間ASML便決定打造EUV原型樣式機(jī),以讓其他研究人員也能測試這項(xiàng)技術(shù)。不過EUV技術(shù)在發(fā)展上并非那么容易,讓ASML旗下EUV研究人員面臨許多開發(fā)上的難題,例如如何讓射線彎曲即為一大技術(shù)課題。
ASML發(fā)展至今,其EUV微影設(shè)備的一個EUV光束基于內(nèi)部構(gòu)造設(shè)計的限制,僅不到2%光線會留存,但若到達(dá)晶圓端的光線愈少,就會增加晶圓必須留在EUV微影設(shè)備內(nèi)曝光的時間,因此若要讓EUV技術(shù)能達(dá)商用化量產(chǎn)階段,將需要比現(xiàn)有微影制程在成本上更具優(yōu)勢。因此為彌補(bǔ)EUV微影設(shè)備內(nèi)因鏡面反射導(dǎo)致的光線耗損,將必須提供非常明亮的射線光源才行,但這對工程師來說將是一大挑戰(zhàn)。
多年嘗試 最終克服光線亮度提升挑戰(zhàn)
多年來業(yè)界在提升設(shè)射線光源的技術(shù)進(jìn)展很緩慢,光線亮度的提升一直不如預(yù)期,直到2011年美國領(lǐng)導(dǎo)級光源開發(fā)商Cymer才成功開發(fā)出可持續(xù)提供11W的光源。ASML負(fù)責(zé)EUV產(chǎn)品行銷的Hans Meiling表示,該公司可能低估了這項(xiàng)技術(shù)的難度。最終ASML為了加速技術(shù)發(fā)展進(jìn)程,在2013年以31億歐元(約33.4億美元)收購Cymer。
Cymer以名為“雷射光束激發(fā)電漿”(Laser-Produced Plasma)法生產(chǎn)EUV光源,初期這項(xiàng)技術(shù)被認(rèn)為不可思議,但Cymer日后確實(shí)逐步開發(fā)出此一新方法。受惠于Cymer的新方法,ASML在2016年上半曾表示,該公司實(shí)驗(yàn)階段的光源功率已達(dá)200W。
除了Cymer外,另一家光源開發(fā)商Gigaphoton據(jù)稱在該技術(shù)上也取得大幅進(jìn)步,在此情況下或許業(yè)界期待已久的250W光源不再看似遙不可及。即使如此,EUV微影技術(shù)能否實(shí)際投入商用化階段,仍必須取決于ASML芯片制造客戶的實(shí)驗(yàn)室及晶圓廠的導(dǎo)入。
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