或許是巧合!12月30日，長江存儲的國家存儲器基地與華力二期12英寸生產(chǎn)線這兩個(gè)持續(xù)受到業(yè)界關(guān)注的重大項(xiàng)目，同日舉行了開工啟動(dòng)儀式。

　　長江存儲是國內(nèi)最大的存儲器項(xiàng)目之一，瞄準(zhǔn)3D NAND技術(shù)，建成后將扭轉(zhuǎn)我國存儲器有市場無產(chǎn)品的窘境;華力微電子12英寸生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目則是“909工程”的二次升級改造，將建設(shè)邏輯芯片的代工生產(chǎn)線，建成后將使我國擁有從0.5微米到14納米各工藝節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn)平臺，追趕國際先進(jìn)水平。

　　隨著《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》的推進(jìn)，中國IC業(yè)掀起一輪高速發(fā)展的投資熱潮，其中又以晶圓制造為重點(diǎn)發(fā)展領(lǐng)域。經(jīng)過近兩年發(fā)展，一批重大項(xiàng)目陸續(xù)進(jìn)入開工建設(shè)階段，預(yù)計(jì)2017年將成為中國IC業(yè)的重要建設(shè)期。未來隨著這些產(chǎn)線的投產(chǎn)，拼技術(shù)、工藝、良品率以及成本將成為“主旋律”，也是檢驗(yàn)這些項(xiàng)目最終能否成功的關(guān)鍵。

　　兩大項(xiàng)目同日開工

　　12月30日，紫光集團(tuán)聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設(shè)的國家存儲器基地項(xiàng)目，在武漢東湖高新區(qū)正式動(dòng)工建設(shè)。據(jù)了解，此次正式開工建設(shè)的國家存儲器基地項(xiàng)目位于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來科技城，將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB 廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，其核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備每平方米的投資強(qiáng)度超過3萬美元。該項(xiàng)目總投資240億美元，主要生產(chǎn)存儲器芯片，總占地面積1968畝。項(xiàng)目一期計(jì)劃2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個(gè)項(xiàng)目，總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。

　　紫光集團(tuán)董事長兼長江存儲公司董事長趙偉國強(qiáng)調(diào)，國家存儲器基地正式動(dòng)工建設(shè)不僅僅是一個(gè)項(xiàng)目的開工，更具有特別的意義：一是存儲器基地項(xiàng)目是中國集成電路存儲芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模化發(fā)展“零”的突破，相當(dāng)于中國科技領(lǐng)域的遼寧號航空母艦出海試航;二是存儲器基地項(xiàng)目的運(yùn)作，是一種新模式的成功探索，這種新模式就是“國家戰(zhàn)略推動(dòng)、地方大力支持、企業(yè)市場化運(yùn)作”的三合一;三是存儲器基地項(xiàng)目投資強(qiáng)度大，是中國集成電路行業(yè)單體投資最大的項(xiàng)目，也是湖北省最大的投資項(xiàng)目，還是中國最大的單體投資項(xiàng)目。

　　就在同一天，華力微12英寸先進(jìn)工藝生產(chǎn)線項(xiàng)目也舉行了開工儀式。該項(xiàng)目總投資為387億元，將建設(shè)一條月產(chǎn)能4萬片的12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線，工藝從28納米起步，最終具備14納米三維工藝的高性能芯片生產(chǎn)能力。本次開工建設(shè)的華力12英寸先進(jìn)工藝集成電路生產(chǎn)線，是“909工程”的二次升級改造項(xiàng)目，被列為國家《“十三五”集成電路產(chǎn)業(yè)重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃》的重點(diǎn)項(xiàng)目，也是“十三五”期間上海最大的產(chǎn)業(yè)投資項(xiàng)目。項(xiàng)目建成后，華虹集團(tuán)將擁有從0.5微米到14納米各工藝節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn)平臺。根據(jù)項(xiàng)目規(guī)劃，項(xiàng)目將于2017年底完成基建工程，2018年底完成工藝集成、試生產(chǎn)，逐步提高工藝等級和產(chǎn)能并達(dá)綱。

　　降低成本是關(guān)鍵

　　由于全球集成電路大廠紛紛看好中國大陸市場，陸續(xù)在我國大陸投資設(shè)立12英寸廠，包括臺積電南京廠、聯(lián)電廈門廠、英特爾大連廠、三星電子西安廠、力晶合肥廠等，分別覆蓋了先進(jìn)邏輯工藝、NAND Flash、DRAM及LCD驅(qū)動(dòng)IC等產(chǎn)品領(lǐng)域。 而我國集成電路產(chǎn)業(yè)目前則面臨著嚴(yán)峻的“兩個(gè)在外”挑戰(zhàn)，即集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)的產(chǎn)品主要在海外加工;集成電路制造企業(yè)的主要業(yè)務(wù)也在海外。集成電路制造企業(yè)的產(chǎn)能和工藝技術(shù)能力均不能滿足國內(nèi)設(shè)計(jì)企業(yè)的需求。應(yīng)對國際競爭，立足提高芯片自制能力，近年來我國集成電路制造企業(yè)也在不斷謀求產(chǎn)能擴(kuò)展和工藝技術(shù)能力提升，主要廠商接連啟動(dòng)新的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。

　　本次開工的兩個(gè)項(xiàng)目具有很強(qiáng)的代表性。存儲器是應(yīng)用最廣泛的芯片產(chǎn)品之一，其重要性不在CPU之下，在數(shù)據(jù)中心大規(guī)模建設(shè)的推動(dòng)下，其市場規(guī)模還在不斷擴(kuò)大。而晶圓制造則是IC產(chǎn)業(yè)鏈中最重要的環(huán)節(jié)之一，《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》中便強(qiáng)調(diào)要以制造為基礎(chǔ)，發(fā)展我國的IC產(chǎn)業(yè)。

　　但是，挑戰(zhàn)也十分嚴(yán)峻。有業(yè)內(nèi)人士表示：“長江存儲，開工易，研發(fā)難;儀式易，做事難;起點(diǎn)易，終點(diǎn)難。”我國在大規(guī)模投資建設(shè)了這些生產(chǎn)項(xiàng)目之后，如何盡快提高成品率，實(shí)現(xiàn)盈虧平衡，將是未來企業(yè)需要面對的最重要的考驗(yàn)。根據(jù)SEMI的數(shù)據(jù)，目前處于規(guī)劃或建設(shè)階段，預(yù)計(jì)將于2017年～2020年間投產(chǎn)的62座半導(dǎo)體晶圓廠，其中26座設(shè)于中國大陸，占全球總數(shù)42%。中國集成電路企業(yè)在這個(gè)市場環(huán)境中想要繼續(xù)運(yùn)營發(fā)展，不斷擴(kuò)大投入是必然之舉。但是，關(guān)建是要解決積累與擴(kuò)張的平衡之道，以期盡快解決盈虧平衡問題。

　　半導(dǎo)體專家莫大康也指出，快速降低成本是最關(guān)鍵的一環(huán)，特別是對于存儲器來說，拼的就是工藝和成本，只有將成品率提上來，成本降下去，發(fā)展才具有持續(xù)性。“在投產(chǎn)初期，成本至少要控制在國際企業(yè)的1～2倍才有希望。否則任何企業(yè)也做不到持續(xù)投入，經(jīng)不起長期的虧損。”他說。