大陸存儲(chǔ)器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲(chǔ)芯片基地引起全球關(guān)注，韓國業(yè)界對(duì)此評(píng)估稱，韓國與大陸廠商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導(dǎo)體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團(tuán)隊(duì)中新成立大陸工作小組，以研究學(xué)習(xí)大陸商業(yè)法、專利法等相關(guān)法律。

　　據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟(jì)引述SK海力士內(nèi)部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無固定編制、相關(guān)成員可自由參與研究學(xué)習(xí)大陸專利法等相關(guān)法律的模式。因大陸半導(dǎo)體技術(shù)暫時(shí)還未趕上韓國，成立大陸工作小組只為提前應(yīng)對(duì)未來可能發(fā)生的專利訴訟，故采取非正式編制的形式。

　　海力士半導(dǎo)體致力生產(chǎn)以DRAM和NAND Flash為主的半導(dǎo)體產(chǎn)品。2012年2月，韓國第三大財(cái)閥SK集團(tuán)宣布收購海力士21.05%的股份從而入主這家內(nèi)存大廠。目前在韓國有4條8英寸晶圓生產(chǎn)線和一條12英寸生產(chǎn)線，在美國俄勒岡州有一條8英寸生產(chǎn)線。市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS資料顯示，2016年SK海力士在全球DRAM市場(chǎng)占有率為25.2%，僅次于三星電子48.0%位居第二，但在NAND Flash市場(chǎng)卻僅有10.1%位居第五，遠(yuǎn)落后于三星(35.4%)與東芝(19.6%)。

　　回看歷年SK海力士半導(dǎo)體專利訴訟，均是與美國或者日本半導(dǎo)體同業(yè)者有關(guān)的。

　　自2000年起，SK海力士與美國半導(dǎo)體專利授權(quán)業(yè)者Rambus展開13年專利訴訟，最終在2013年，SK海力士和Rambus簽訂了一個(gè)為期5年的專利授權(quán)協(xié)議，SK海力士向Rambus支付2.4億美元的專利授權(quán)費(fèi)，按照每季度1200萬美元的方式支付，而Rambus則向SK海力士開放相應(yīng)的內(nèi)存專利授權(quán)。

　　2004年，SK海力士與東芝展開3年在日本、美國的NAND Flash專利侵權(quán)訴訟，直到2007年3月，雙方才以專利交叉授權(quán)方式和解。

　　2014年，因NAND Flash技術(shù)外流，東芝向SK海力士提出1.1萬億韓元(約9.1億美元)規(guī)模的民事賠償，雙方關(guān)系一度破裂，最后SK海力士以支付2.8億美元，相當(dāng)訴訟規(guī)模27%的和解金與東芝達(dá)成協(xié)議，撤銷訴松。此外，SK海力士半導(dǎo)體部門與東芝間的專利交叉授權(quán)合約，與產(chǎn)品供應(yīng)契約均獲得了延長(zhǎng)。

　　2015年，美國內(nèi)存大廠SanDisk曾控告旗下某職員于2008年跳槽后，將機(jī)密泄漏給SK海力士，但在雙方達(dá)成和解后，SanDisk同意撤回官司。之后，SK海力士與SanDisk還進(jìn)一步就專利授權(quán)取得新協(xié)議，海力士將支付SanDisk專利授權(quán)費(fèi)，并供應(yīng)DRAM給SanDisk，時(shí)間將持續(xù)至2023年。

　　但是近幾年，在大陸政策的支持下，大陸半導(dǎo)體行業(yè)正在飛速發(fā)展。

　　國務(wù)院先后于2014年6月、2015年5月發(fā)布《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》與《中國制造2025》，給予大陸IC產(chǎn)業(yè)政策支持。其中，前者最重要的政策支持則在于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資基金的設(shè)立;而后者則明確訂定2020年大陸IC內(nèi)需市場(chǎng)自制率將達(dá)40%，2025年將更進(jìn)一步提高至70%的政策目標(biāo)。

　　目前，全球僅有三星、東芝、美光、SK海力士四家企業(yè)在生產(chǎn)主流存儲(chǔ)器。為了彌補(bǔ)這塊空白，2016年，總投資240億美元的國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目于武漢宣布正式開工，紫光集團(tuán)入股長(zhǎng)江存儲(chǔ)，并執(zhí)掌項(xiàng)目建設(shè)亦引人注目。

　　據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)準(zhǔn)備進(jìn)軍存儲(chǔ)芯片的起點(diǎn)不低，投產(chǎn)后將直接生產(chǎn)3D NAND閃存。在今年一月的半導(dǎo)體峰會(huì)上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技執(zhí)行長(zhǎng)楊士寧表示，目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)在32層3D NAND Flash發(fā)展順利，產(chǎn)品指標(biāo)良好，預(yù)計(jì)在2019年可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能滿載。他甚至預(yù)測(cè)2019年與國際存儲(chǔ)器大廠的技術(shù)差距可拉近至半代，最晚于2020年趕上世界領(lǐng)先技術(shù)。

　　雖然暫時(shí)大陸半導(dǎo)體技術(shù)并未趕上韓國，但為防患于未然，SK海力士才會(huì)決定盡早防范未來可能的專利紛爭(zhēng)。韓國業(yè)界對(duì)此評(píng)估稱，韓國與大陸廠商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。