但隨著“摩爾定律”的不斷推進(jìn)，矛盾的問題也隨著出現(xiàn)。當(dāng)閘極長度縮小到20納米以下時(shí)，源極和汲極之間的距離就會(huì)十分靠近，閘極下方的氧化物也會(huì)變得非常薄，因?yàn)殚l極的失效有可能導(dǎo)致產(chǎn)生“漏電”問題，繼續(xù)下去，閘極有可能完全喪失掉對通道的控制力。

　　也正因此，美國加州大學(xué)伯克利分校的胡正明、Tsu-Jae King-Liu和Jeffrey Bokor 三位教授發(fā)明了“鰭式場效電晶體(Fin Field Effect Transistor，FinFET)”，把2D結(jié)構(gòu)的 MOS 改為3D結(jié)構(gòu)的 FinFET，而其得名也正是因?yàn)闃?gòu)造很像魚鰭(Fin)。

　　這之間最大的變化就是源極和汲極拉高變成立體板狀結(jié)構(gòu)，讓源極和汲極之間的通道變成板狀，閘極與通道之間的接觸面積也因此變大，這樣做的好處就是即使閘極長度縮小到20納米以下，仍然留有很大的接觸面積，保證閘極對電流的有效控制，降低漏電和動(dòng)態(tài)功率耗損(即FinFET由0變1或由1變0時(shí)所消耗的電能)，使整體設(shè)備更加省電。

　　所以，從此也可以看出， FinFET 是微電子產(chǎn)品尺寸進(jìn)一步縮小的關(guān)鍵技術(shù)，掌握了這項(xiàng)“利器”就擁有了在半導(dǎo)體戰(zhàn)場上的競爭力。而值得一提的是，胡正明教授正是梁孟松的博士論文指導(dǎo)教授，也就是說，梁孟松是掌握該項(xiàng)技術(shù)的核心人物之一。梁孟松轉(zhuǎn)戰(zhàn)中芯，或許同樣會(huì)幫助大陸晶圓代工先進(jìn)制程技術(shù)實(shí)現(xiàn)突飛猛進(jìn)。

　　中芯國際PK臺(tái)積電

　　顯然，中芯國際和臺(tái)積電之間的戰(zhàn)役已拉開大幕。臺(tái)積電目前在大陸已有位于上海松江廠的 8 寸半導(dǎo)體工廠，2016 年開始在南京建設(shè)12寸半導(dǎo)體工廠，預(yù)計(jì)在 2018 年量產(chǎn)采用 16 納米 FinFET 工藝。這對中芯國際是最大的威脅，因?yàn)橹行緡H同樣在研發(fā) 14 納米 FinFET 工藝，并希望能在 2018 年投產(chǎn)以與臺(tái)積電一決高下。

　　圖 │臺(tái)積電LOGO

　　為了取得競爭優(yōu)勢，中芯國際在更早之前就引入了臺(tái)積電前執(zhí)行長蔣尚義，蔣尚義曾負(fù)責(zé)領(lǐng)導(dǎo)臺(tái)積電的28納米、20納米和16納米FinFET等關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)的研發(fā)。如果成真，中芯國際此次迎來梁孟松加盟無疑是如虎添翼。

　　早在2014年，大陸就成立了集成電路產(chǎn)業(yè)基金，用以扶持中國芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展。在2015年全球芯片銷售額呈下滑趨勢的時(shí)候，中國市場成功繼續(xù)保持上升勢頭。目前，大陸的芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域涌現(xiàn)了華為海思、清華紫光、中興微電子、瑞芯微電子、君正等企業(yè)。

　　因此，有臺(tái)灣專家認(rèn)為，臺(tái)灣半導(dǎo)體超級(jí)戰(zhàn)將紛紛進(jìn)軍大陸，似乎是為大陸半導(dǎo)體未來的黃金10年做背書，而大陸積極挖角臺(tái)灣人才，其中暴露的企業(yè)人才管理問題也有必要引起臺(tái)灣方面的重視。

　　2010年，馬云曾在 “中國綠色公司年會(huì)”的演講中直言：“臺(tái)灣沒希望了，假如7、80歲的人還在創(chuàng)新，問題就大了”。

　　臺(tái)灣智知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利助理審查官、臺(tái)灣大學(xué)機(jī)械工程博士黃孝怡就曾撰文指出，這一說法并非沒有道理，“是不是這些公司出了什么問題?是否因?yàn)檫@樣讓很多人才上不去?而沒上去的人才只好跳槽，而且一跳就讓公司跳腳?！?/p>

　　無論臺(tái)灣如何擔(dān)憂，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅速崛起無疑已經(jīng)成為大勢所趨。