鋰離子電池管理芯片的研究及其低功耗設(shè)計 — 鋰離子電池管理芯片的功能設(shè)計及功耗優(yōu)化
3.1 VLSI功耗優(yōu)化設(shè)計流程
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201706/348227.htmVLSI的Top-Down低功耗設(shè)計流程如圖3.1.1所示。圖中,虛框所示的是傳統(tǒng)的VLSI設(shè)計流程。由圖可見,和傳統(tǒng)設(shè)計方法相比,低功耗優(yōu)化設(shè)計在每個關(guān)鍵層次上都增加了功耗的約束條件:一是在關(guān)鍵層次上運用低功耗設(shè)計技術(shù)進(jìn)行功耗優(yōu)化,二是對功耗優(yōu)化的結(jié)果進(jìn)行分析或者評估。
正如第二章所提出,在設(shè)計的各個層次,功耗優(yōu)化的效果都不一樣。在系統(tǒng)/結(jié)構(gòu)級,系統(tǒng)框架已經(jīng)確定,在這個層次介入低功耗設(shè)計,還需要不涉及電路結(jié)構(gòu)本身,所以功耗優(yōu)化的空間很大,本章所提出的動態(tài)功耗管理技術(shù)便是在此時實施的。在這個階段,低功耗設(shè)計的難點在于,建立一個較為準(zhǔn)確的系統(tǒng)功耗模型,采用有效的功耗管理策略進(jìn)行功耗優(yōu)化。
3.2鋰離子電池管理芯片的保護(hù)功能設(shè)計
3.2.1應(yīng)用特點及要求
正如緒言中所提到的,隨著便攜式電子產(chǎn)品不斷小型化、性能以及普及率的日益提高,作為其電源的二次電池市場正迅速拓寬。其中,鋰離子電池以其能量密度高、重量輕、循環(huán)次數(shù)長、自放電率低而在筆記本電腦與移動電話領(lǐng)域中應(yīng)用廣泛,市場占有率已分別在80%與90%以上。
鋰離子電池是以鋰離子的儲存與釋放為電能轉(zhuǎn)換介質(zhì)。由于金屬鋰的化學(xué)活性極強(qiáng),加上電池內(nèi)部使用了可燃性的有機(jī)溶劑,鋰離子可充電電池如果發(fā)生過充電、過放電、外部電路短路或放電電流過大時,電池很容易出現(xiàn)膨脹、漏液甚至爆裂等異常現(xiàn)象,從而導(dǎo)致電池性能惡化甚至失效。因此,每個電池(組)都必須安裝具有保護(hù)功能的電池管理芯片,也可稱電池保護(hù)芯片,并由其監(jiān)視電池的工作狀態(tài)。一旦電池達(dá)到過充電、過放電及過流狀態(tài),啟動保護(hù)功能,斷開系統(tǒng),而在正常使用條件下,保護(hù)芯片不工作,電池仍可繼續(xù)使用。
通?;芈分谐潆婋娏鞯耐〝嚅_關(guān),由兩個外加的背靠背的功率MOS管實現(xiàn),它既可以是與電池(組)負(fù)端相接的N型功率MOS管,也可以是與電池正端相接的P型MOS管,如圖3.2.1所示.
在這樣的應(yīng)用場合下,鋰離子電池保護(hù)系統(tǒng)設(shè)計將遇到以下幾個挑戰(zhàn):
①面積小、成本低。這樣才能夠內(nèi)置在電池(組)中使用。
②功能強(qiáng),精度高。一方面要求有內(nèi)置高精度的電壓保護(hù)電路,還要求包括過流1、過流2和短路保護(hù)在內(nèi)的三級過流保護(hù)機(jī)制;此外,由內(nèi)部實現(xiàn)延時,精度高達(dá)30%;最好還應(yīng)該具有充電功能和非正常充電電流保護(hù)功能及零伏電池充電抑制功能。
③低電流消耗:為了盡量減小對電池壽命的影響,系統(tǒng)的電流消耗必須明顯低于電池的自放電率,這意味著整個電路僅消耗幾十微安電流。典型地,系統(tǒng)電流應(yīng)不高于3.0μA.
④電壓工作范圍寬:對于單節(jié)電池保護(hù)系統(tǒng)設(shè)計而言,更大的挑戰(zhàn)在于低電壓工作能力,這樣才能保證過放電的電池(低于2V)能正常充電;另外,直接和充電器相接的管腳需要能夠承受高壓。就整個系統(tǒng)而言,要求能在1.5V~8V的電壓范圍內(nèi)正常工作。
⑤可靠性高。明顯地,該系統(tǒng)要能夠在較寬的溫度范圍(-40℃~85℃)內(nèi)有較高的可靠性。
3.2.2保護(hù)功能設(shè)計
結(jié)合單節(jié)鋰離子電池保護(hù)芯片的應(yīng)用電路圖,來討論外圍電路中器件的選擇原則方法以及芯片保護(hù)功能設(shè)計,并在此基礎(chǔ)上介紹不涉及功耗管理模塊的系統(tǒng)框圖。
1外圍電路及功能設(shè)計
圖3.2.2給出了單節(jié)鋰離子電池保護(hù)芯片的應(yīng)用圖。
圖3.2.2所示的保護(hù)芯片中,VDD和VSS分別是電池電源和地輸入端;CO和DO分別控制芯片外接的兩個N型功率MOS管FET1和FET2,來控制電池的充電及放電回路,工作原理如下:正常工作時,CO和DO均為與V DD相等的高電平,此時FET1和FET2導(dǎo)通,電池既可以向負(fù)載放電,又可以由充電器進(jìn)行充電;當(dāng)CO降為低電平時,F(xiàn)ET1截止,充電回路被切斷,但電池仍然可以通過FET1的寄生二極管向負(fù)載放電;當(dāng)DO為低電平時,F(xiàn)ET2截止,放電回路被切斷,但FET2的寄生二極管仍保證了電池可以進(jìn)行充電。此外,圖中3.2.2中還提供了VM端,來檢測充、放電過程中的過流情況。
圖3.2.2中,保護(hù)芯片外接的元件十分重要。其中,F(xiàn)ET1和FET2是放電和充電控制功率NMOS管,設(shè)計時應(yīng)該重視以下參數(shù):一是導(dǎo)通電阻R on,這兩個NMOS必須具有盡可能低的導(dǎo)通電阻,以盡量降低壓降和功耗損失;另一方面,從過流檢測角度,如接負(fù)載放電時,過流檢測電壓為
式中,I為放電電流。應(yīng)用中為了降低VM值,有效利用放電或充電電流,功率管的導(dǎo)通電阻也應(yīng)盡可能地小,一般地,取20mΩ~30mΩ。二是能承受的電流峰值,由于在短路過程中,功率MOS管要能夠承受瞬間的大電流,比如單節(jié)鋰離子電池的內(nèi)阻典型值為150m左右,當(dāng)充電到4.1V時,電池產(chǎn)生的短路電流短時間內(nèi)將超過20A;三是尺寸,為了便于封裝,兩個NMOS的尺寸應(yīng)盡可能地小。另外,圖3.2.2中的R1和C1用于電源波動保護(hù),典型值分別為470和0.1μf;R2用于充電器反接保護(hù),典型值為1kΩ.
如圖3.2.2所示,在電池接上負(fù)載放電和充電器充電的過程中,為了能有效地保護(hù)電池,保護(hù)IC將具有以下五種工作狀態(tài):正常、過壓保護(hù)(充電過壓和放電過壓)、過流保護(hù)(過流1、過流2及負(fù)載短路三種放電過流及非正常充電電流)、充電檢測和零伏電池充電抑制狀態(tài).下面分別加以說明:
①正常狀態(tài)
IC監(jiān)視VDD端和VSS之間的電池電壓以及VM和VSS端之間的電壓,假如V DD在放電檢測電壓VDL和充電檢測電壓VCU之間,VM電壓在充電檢測電壓VCHA和過流1檢測電壓V IOV1之間,電路就正常工作。此時CO和DO均處于高電位,用于控制的兩只FET都處于導(dǎo)通狀態(tài),電路可以向負(fù)載放電,也可以由充電器進(jìn)行充電。為了有效利用放電電流或充電電流,F(xiàn)ET采用導(dǎo)通電阻很小的功率MOSFET.
②過充電保護(hù)狀態(tài)所謂過充電保護(hù)工作,是在電池電壓升高到大于過充電檢測電壓VCU并且這種狀態(tài)持續(xù)到過充電保護(hù)延遲時間tCU結(jié)束時,禁止充電器充電,CO從高電位變?yōu)榈碗娢?,充電控制管FET2截止,停止充電。但在檢測出過充電以后,電路仍然可以通過FET2的寄生二極管向負(fù)載放電。VCU大于過充電釋放電壓VCL,即具有過充電滯后釋放功能,可以在以下兩種情況釋放過充電保護(hù):
一種是當(dāng)電池電壓降到低于VCL,IC將FET2打開,使電路正常工作;另一種情況是,當(dāng)連接電池負(fù)載開始放電時,IC打開FET2并使電路回到正常工作狀態(tài)。具體釋放機(jī)制如下:當(dāng)連接負(fù)載并開始放電后,放電電流立即流過FET2內(nèi)部寄生二極管,VM端電壓同時增至0.7V.IC檢測到這一高于過流保護(hù)1電壓V IOV1的電壓后,就使CO電位升高,釋放過充電狀態(tài)。此時如果電池電壓等于或低于V CU,電路就立即回到正常工作狀態(tài),但如果電池電壓高于V CU,即使接上負(fù)載,IC也要電池電壓降到低于V CU才回到正常狀態(tài)。而且當(dāng)接上負(fù)載并且開始放電時,假如VM電壓等于或低于V IOV1,IC則不會回到正常狀態(tài)。
③過放電狀態(tài)(具有Power Down狀態(tài)功能)
在正常放電過程中,當(dāng)電池電壓下降到低于過放電檢測電壓V DL并且持續(xù)到過放電保護(hù)延時時間tDL結(jié)束時,IC中DO降為低電位,放電控制管FET1截止,停止放電。FET1關(guān)閉后,VM電壓被芯片中VM和VDD端之間電阻RVMD抬高,同時VM和VDD端電位差下降,當(dāng)達(dá)到1.3V的負(fù)載短路檢測電壓VSHORT時,電流下降到低電流IPDN,這種狀態(tài)稱為Power Down狀態(tài)。
當(dāng)接上充電器,VM和VDD端電位差變?yōu)?.3V或更高時,Power Down狀態(tài)釋放,此時FET1仍關(guān)閉。當(dāng)電池電壓等于過放檢測電壓VDL或更高時,IC打開FET1將過放電狀態(tài)轉(zhuǎn)換為正常狀態(tài)。
④放電過流狀態(tài)
在正常狀態(tài)下放電時,當(dāng)放電電流等于或高于特定值,對應(yīng)于VM電壓等于或高于過流檢測電壓,并且持續(xù)到過流檢測延遲時間結(jié)束時,IC中DO為低電位,放電控制管FET1截止,停止放電,這種狀態(tài)稱為過流狀態(tài),并按過流程度可以分為:過流1、過流2或負(fù)載短路狀態(tài)。
在過流狀態(tài)下,VM和VSS端被電阻RVMS內(nèi)部短路。當(dāng)連接上負(fù)載時,VM電壓等于VDD;當(dāng)去掉負(fù)載時,由于RVMS的短路作用,VM電壓恢復(fù)到VSS.以過流1狀態(tài)為例,如果檢測到VM電壓低于VIOV1,電路就回到正常狀態(tài)。
但在過充電狀態(tài)下,IC禁止過流保護(hù)起作用。這是因為電池在過充電后接上負(fù)載的情況下,在剛放電的時候,放電電流必然很大,引起過流的可能性很大;而過流保護(hù)如果起作用,就會關(guān)斷放電回路。這樣,一旦電池過充電,就可能永遠(yuǎn)不能放電。但過充電狀態(tài)結(jié)束后,IC又使這種禁止取消,過流保護(hù)重新起作用,又使系統(tǒng)能得到及時、有效的過流保護(hù)。
⑤非正常充電電流檢測
如果在正常充電條件下,VM電壓下降到低于充電器檢測電壓V CHA,并且持續(xù)了過充電檢測延遲時間tCU甚至更長,IC將關(guān)閉充電控制管FET2,停止充電,這被稱為非正常充電電流保護(hù)。
但在過放電保護(hù)起作用時,IC禁止非正常充電電流保護(hù)起作用。因為當(dāng)電池過放電后,剛接上充電器充電時,充電電流會很大。此時禁止非正常充電電流保護(hù)起作用,可有效防止充電回路被切斷,從而保證電池在過放電后可以再充電。
當(dāng)FET1打開,VM電壓下降到低于VCHA,非正常充電電流檢測開始工作。
因此,如果在過放電條件下,有非正常充電電流流過電池,電池電壓變到等于過放電檢測電壓VDL甚至更高,并且過充電延遲時間消去后,IC將關(guān)閉FET2,停止充電。當(dāng)去掉充電器,VM和VSS間電壓低于VCHA時,非正常充電電流檢測被釋放。
⑥充電檢測
電池在過放條件下接上充電器,如果VM的電壓低于充電檢測電壓VCHA,當(dāng)電池電壓高于過放檢測電壓VDL且過放檢測延時滯后釋放,此時過放狀態(tài)被解除,F(xiàn)ET1打開,這被稱為充電檢測。如果過放保護(hù)MOS管關(guān)閉,充電電流只能通過過放保護(hù)MOS管的內(nèi)部寄生二極管進(jìn)行充電,因此,充電檢測狀態(tài)減少了充電的時間。電池在過放條件下接上充電器,如果VM引腳的電壓高于充電檢測電壓VCHA,當(dāng)電池電壓高于過放釋放電壓VDU,過放狀態(tài)釋放。
⑦零伏電池充電抑制功能
這一功能禁止對連接其上的內(nèi)部短路的電池(即零伏電池)進(jìn)行充電。當(dāng)電池電壓為0.9V或更低時,充電控制管FET2的柵極電位被固定為EB-的電位,從而禁止充電。當(dāng)電池電壓等于或高于零伏電池充電抑制電壓VOINH時,可以進(jìn)行充電。
2系統(tǒng)框圖
要實現(xiàn)上面所述的電池管理芯片的保護(hù)功能,芯片的系統(tǒng)框圖如圖3.2.3所示。
圖3.2.3給出了不包含功耗管理模塊的鋰離子電池保護(hù)IC的系統(tǒng)框圖。圖中,取樣電路(Sample)將實時監(jiān)測電池電壓信號,并將之送入過充電比較器(Overcharge Comparator)、過放電比較器(Over-discharge Comparator)和基準(zhǔn)電壓(Reference Voltage)比較,判斷電池電壓是否高于過充電檢測電壓或是否低于過放電檢測電壓,再由數(shù)字邏輯控制電路(Control Logic)輸出相應(yīng)信號到CO端和DO端,即完成過充電、過放電檢測功能。
圖3.2.3中的VM端可以監(jiān)測電池接負(fù)載放電時的電流大小,和不同的基準(zhǔn)電壓比較后,由三個比較器:過流1(Overcurrent1)、過流2(Overcurrent2)、負(fù)載短路(Load Short Detection)輸出相應(yīng)信號,并根據(jù)過流的程度,經(jīng)過相應(yīng)延時后,由邏輯控制電路輸出信號控制DO端。VM端的另一個作用是可以監(jiān)測電池接充電器時的充電電流大小,并通過邏輯控制電路輸出信號控制CO或者DO端。
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