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          向IDM進軍 中國存儲器產業(yè)需勇往直前

          作者: 時間:2017-06-02 來源:全球半導體觀察 收藏

            尤如一座大山,擺在中國半導體業(yè)面前。不過既然已經決定發(fā)展產業(yè),就沒有退縮的余地。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201706/359966.htm

            中國半導體業(yè)發(fā)展有其特殊性,它依國家實力作為后盾,盡管西方陣營在“唱衰”中國產業(yè)的發(fā)展。然而不可否認的是,他們也在擔心中國存儲器業(yè)的成功。

            現(xiàn)階段中國存儲器產業(yè)已經積聚了三股力量,包括長江存儲,晉華及王寧國主導的合肥長鑫,它們各有特色,采用不同的策略。不過至于哪家能取得成功,要看2018或2019年的結果,目前尚不好預言。

            中國存儲器業(yè)的初級目標

            按中國臺灣地區(qū)南亞科總裁李培瑛的說法,他認為在三到五年內,大陸不會對DRAM產業(yè)形成威脅。預期全球DRAM產業(yè)將維持“三大一中二小”的局面。三大指三星、SK海力士、美光;一中為南亞科;二小為華邦電以及力晶。

          向IDM進軍 中國存儲器產業(yè)需勇往直前

           

            事實上,這樣的論調具有一定的積極意義,可以促使中國半導體業(yè)更加努力與精心,打破這個“魔咒“。

            觀察集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)2017年2月的季度數(shù)據(jù),到2022年時,大陸存儲器業(yè)已經實現(xiàn)量產,可以初試牛刀,一旦有廠商的季度銷售額超過4億美元,則意味著大陸可以跨進全球存儲器業(yè)的先進行列,至少可以與臺灣地區(qū)的存儲器業(yè)相媲美。

            選擇存儲器作為突破口

            中國芯片制造業(yè)依代工起步,在某一階段有它的合理性。但就長期發(fā)展,以及“十三五”規(guī)劃的目標來看,中國需要重新審視半導體產業(yè)發(fā)展模式。向進軍,刻不容緩。

            眾所周知,中國半導體業(yè)一定要融入全球化之中,不能單成體系。按目前全球芯片銷售額的定義,中國半導體業(yè)銷售額中只有Fabless可以計入,其余的包括前,后段中的代工產值都不能計入其中。

            另外,中國擁有全球最大的半導體市場,但是每年的集成電路進口額超過2000億美元,進口替代以及提高芯片國產化率的呼聲很高。

            因此如何在短期內能有一個明顯的提升,可以起到示范效應。

            所以跨入模式已經刻不容緩,目前的困難是選擇哪一個品類作為突破口。

            相比較CPU處理器而言,對于中國芯片制造業(yè),存儲器產品可能是個正確的選擇。

            挑戰(zhàn)不可避免

            市場經濟是一場搏斗,必定要分出勝負。所以對于中國半導體業(yè)而言,只能鼓足勇氣向前,不能退縮。

            相信中國的存儲器一定能制造成功,因為日本及韓國在半導體市場的成功都是以存儲器作為突破口。

            對手們主要是從以下三個方面防范中國:1)控制技術與人才流向中國;2)專利戰(zhàn);3)價格戰(zhàn)。

            其中對中國影響最大的是價格戰(zhàn),因為對手的設備折舊凈值已經不多,加上擁有先進工藝制程,成本會比較低,而中國在這方面的成本會高很多。

            盡管這段困難的經歷是無法避免的,但只要中國的工藝成熟與穩(wěn)定,產能充足后,存儲器的成本必然會下降,加上存儲器業(yè)的周期性,中國有可能交上“好運”。

            然而真正的挑戰(zhàn)來自于自身技術研發(fā)的挑戰(zhàn),中國必須努力研發(fā),突破技術瓶頸,否則產能很難有大幅提升。

            中國半導體業(yè)有國家實力作為后盾,此次存儲器競爭是中國半導體業(yè)中的IDM模式保衛(wèi)戰(zhàn),盡管任務艱巨,責任重大,但相信只要能堅持到底,就有成功的希望,因此中國存儲器業(yè)要爭口氣。



          關鍵詞: IDM 存儲器

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